ZHCSP75B July   2022  – October 2026 TPS1HC30-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 SNS 时序特性
    7. 5.7 开关特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 精确的电流检测
      2. 7.3.2 可编程电流限制
        1. 7.3.2.1 VDS 上的电流限制精度
        2. 7.3.2.2 电容充电
      3. 7.3.3 电感负载关断钳位
      4. 7.3.4 全面保护和诊断
        1. 7.3.4.1  短路和过载保护
        2. 7.3.4.2  开路负载和电池短路检测
        3. 7.3.4.3  电池短路检测
        4. 7.3.4.4  反极性和电池反向保护
        5. 7.3.4.5  闩锁模式
        6. 7.3.4.6  热保护行为
        7. 7.3.4.7  UVLO 保护
        8. 7.3.4.8  GND 失效保护
        9. 7.3.4.9  电源失效保护
        10. 7.3.4.10 反向电流保护
        11. 7.3.4.11 MCU I/O 保护
      5. 7.3.5 诊断使能功能
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 动态改变电流限制
        2. 8.2.2.2 EMC 瞬态干扰测试
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 无接地网络
        2. 8.4.2.2 有接地网络
      3. 8.4.3 散热注意事项
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.8 典型特性

以下所有数据均基于三个批次样本的平均值；如果未指定，则 VVBB = 13.5V。

TPS1HC30-Q1 瞬态热阻抗
 
图 5-1 瞬态热阻抗
TPS1HC30-Q1 输出泄漏电流 IOUT,STBY 与温度间的关系
VOUT = 0VVEN = 0VVDIAG_EN = 0V
VBB 有所不同
图 5-3 输出泄漏电流 IOUT,STBY 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 诊断电流 IDIA 与温度间的关系
IOUT = 0AVEN = 0VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同
图 5-5 诊断电流 IDIA 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 RDSON 与 VBB 间的关系
IOUT = 1AVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同
图 5-7 RDSON 与 VBB 间的关系
TPS1HC30-Q1 KCL 与 RILIM 间的关系
ROUT = 5μH 和 100mΩVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VDS = 3V
图 5-9 KCL 与 RILIM 间的关系
TPS1HC30-Q1 KSNS 误差与 VBB 间的关系
IOUT = 1.5AVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-11 KSNS 误差与 VBB 间的关系
TPS1HC30-Q1 VSNSFH (5V) 与 VBB 间的关系
ROUT = 5μH 和 100mΩVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-13 VSNSFH (5V) 与 VBB 间的关系
TPS1HC30-Q1 关断时间 TOFF 与温度间的关系
ROUT = 10ΩVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-15 关断时间 TOFF 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 下降压摆率 SRF 与温度间的关系
ROUT = 10ΩVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-17 下降压摆率 SRF 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 VIL 与温度间的关系
ROUT = 1kΩVEN = 3.3 至 0VVDIAG_EN = 3.3 至 0V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-19 VIL 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 关断时间 (tOFF)
ROUT = 10ΩVEN = 5 至 0VVDIAG_EN = 0V
VBB = 13.5VRSNS = 1kΩ
图 5-21 关断时间 (tOFF)
TPS1HC30-Q1 带 ILIM 接地短路的短路
ROUT = 5μH 和 100mΩVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB = 13.5VRSNS = 1kΩRILIM = 7.15kΩ
图 5-23 带 ILIM 接地短路的短路
TPS1HC30-Q1 470μF 容性负载驱动
ROUT = 470μF 和 20ΩVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB = 13.5VRSNS = 1kΩRILIM = 71.5kΩ
图 5-25 470μF 容性负载驱动
TPS1HC30-Q1 待机电流 ISB 与温度间的关系
VOUT = 0VVEN = 0VVDIAG_EN = 0V
VBB 有所不同
图 5-2 待机电流 ISB 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 静态电流 IQ 与温度间的关系
IOUT = 0AVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同
图 5-4 静态电流 IQ 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 RDSON 与温度间的关系
IOUT = 1AVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同
图 5-6 RDSON 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 RONREV 与温度间的关系
IOUT = 1AVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同
图 5-8 RONREV 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 KSNS 误差与负载电流间的关系
ROUT 有所不同VEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB = 13.5VRSNS = 1kΩ
图 5-10 KSNS 误差与负载电流间的关系
TPS1HC30-Q1 VSNSFH (3.3V) 与 VBB 间的关系
ROUT = 5μH 和 100mΩVEN = 5VVDIAG_EN = 3.3V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-12 VSNSFH (3.3V) 与 VBB 间的关系
TPS1HC30-Q1 导通时间 TON 与温度间的关系
ROUT = 10ΩVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-14 导通时间 TON 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 上升压摆率 SRR 与温度间的关系
ROUT = 10ΩVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-16 上升压摆率 SRR 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 VIH 与温度间的关系
ROUT = 1kΩVEN = 0 至 3.3VVDIAG_EN = 0 至 3.3V
VBB 有所不同RSNS = 1kΩ
图 5-18 VIH 与温度间的关系
TPS1HC30-Q1 导通时间 (tON)
ROUT = 10ΩVEN = 0 至 5VVDIAG_EN = 0V
VBB = 13.5VRSNS = 1kΩ
图 5-20 导通时间 (tON)
TPS1HC30-Q1 负载阶跃上的 ISNS 趋稳时间 (tSNSION)
IOUT = 1A 至 5AVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB = 13.5VRSNS = 1kΩ
图 5-22 负载阶跃上的 ISNS 趋稳时间 (tSNSION)
TPS1HC30-Q1 5mH 感性负载驱动
ROUT = 5mHVEN = 5VVDIAG_EN = 5V
VBB = 13.5VRSNS = 1kΩRILIM = GND
图 5-24 5mH 感性负载驱动