ZHCSJM0G April   2019  – November 2023 TMP61-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 TMP61-Q1 R-T 表
      2. 7.3.2 线性电阻曲线
      3. 7.3.3 正温度系数 (PTC)
      4. 7.3.4 内置失效防护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 AEC-Q200 认证
    3. 8.3 典型应用
      1. 8.3.1 热敏电阻偏置电路
        1. 8.3.1.1 设计要求
        2. 8.3.1.2 详细设计过程
          1. 8.3.1.2.1 带比较器的热保护
          2. 8.3.1.2.2 热折返
        3. 8.3.1.3 应用曲线
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 术语表
    6. 9.6 静电放电警告
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1 概述

TMP61-Q1 硅线性热敏电阻具有线性正温度系数 (PTC)，可在宽工作温度范围内实现一致、稳定的温度系数电阻 (TCR)。TI 使用特殊的硅工艺，其中掺杂水平和有源区器件控制关键特性（温度系数电阻 (TCR) 和标称电阻 (R25)）。该器件具有有源区和由于极化端子而形成的衬底。将正极端子连接到最高电压电位。将负极端子连接到最低电压电位。

与纯阻性器件 NTC 不同，TMP61-Q1 电阻受器件中电流的影响，并且电阻会随温度变化而变化。在分压器电路中，TI 建议将顶部电阻值保持在 10kΩ。更改顶部电阻器值或 VBIAS 值会改变 TMP61-Q1 的电阻与温度表（R-T 表），并随后改变设计要求部分中所述的多项式。如需更多信息，请查阅TMP61-Q1 R-T 表部分。

方程式 1 可以帮助用户估算 TCR。

方程式 1. GUID-DB56B39F-978F-4FC3-9175-A3A17D58AB82-low.gif

其中

  • TCR 的单位为 ppm/°C

关键术语和定义：

  • ISNS：流经 TMP61-Q1 器件的电流。
  • VSNS：两个 TMP61-Q1 端子之间的电压
  • IBIAS：由偏置电路提供的电流。
  • VBIAS：由偏置电路提供的电压。
  • VTEMP：与测得温度对应的输出电压。请注意，它与 VSNS 不同。在使用分压电路，TMP61-Q1 处于高侧的情况下，在 RBIAS 上测量 VTEMP。