ZHCSVB3 December   2024 TMP113

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 相关产品
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 接口时序
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 数字温度输出
      2. 7.3.2 解码温度数据
      3. 7.3.3 温度限制和警报
      4. 7.3.4 NIST 可追溯性
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 连续转换模式
      2. 7.4.2 单稳态模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行接口
      2. 7.5.2 总线概述
      3. 7.5.3 器件地址
      4. 7.5.4 总线事务
        1. 7.5.4.1 写入
        2. 7.5.4.2 读取
        3. 7.5.4.3 通用广播复位功能
        4. 7.5.4.4 SMBus 警报响应
        5. 7.5.4.5 超时功能
        6. 7.5.4.6 可兼容 I3C 混合总线
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 Temp_Result 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
    2. 8.2 配置寄存器（地址 = 01h）[复位 = 40A0h]
    3. 8.3 TLow_Limit 寄存器（地址 = 02h）[复位 = 4B00h]
    4. 8.4 THigh_Limit 寄存器（地址 = 03h）[复位 = 5000h]
    5. 8.5 器件 ID 寄存器（地址 = 0Bh）[复位 = 113xh]
    6. 8.6 Unique_ID0 寄存器（地址 = 0Ch）[复位 = xxxxh]
    7. 8.7 Unique_ID1 寄存器（地址 = 0Dh）[复位 = xxxxh]
    8. 8.8 Unique_ID2 寄存器（地址 = 0Eh）[复位 = xxxxh]
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 相同的 I2C 上拉和电源应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装选项附录
    2. 12.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 I2C 接口时序

最小值和最大值规格适用于 –40°C 至 125°C 温度范围且 V+ = 1.4V 至 5.5V（除非另有说明）(1)
快速模式 快速+ 模式 高速模式 单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
f(SCL) SCL 运行频率 0.001 0.4 0.001 1 0.001 3.4 MHz
t(BUF) 停止和启动条件之间的总线空闲时间 600 – 500 160 – ns
t(HDSTA) 重复启动条件后的保持时间。
在此周期后，生成第一个时钟。		 100 – 100 100 – ns
t(SUSTA) 重复启动条件建立时间 100 – 100 100 – ns
t(SUSTO) STOP 条件建立时间 600 – 260 160 – ns
t(HDDAT) 数据保持时间(2) 10 900 10 150 10 105 ns
t(SUDAT) 数据建立时间 100 – 10 10 – ns
t(LOW) SCL 时钟低电平周期 1300 – 500 160 – ns
t(HIGH) SCL 时钟高电平周期 600 – 260 60 – ns
t(VDAT) 数据有效时间（数据响应时间）(3) 900 450 ns
tF SDA 和 SCL 下降时间 – 300 120 – 80 ns
tR SDA 和 SCL 上升时间 – 300 – 120 – 80 ns
ttimeout 超时（SCL = 低电平或 SDA = 低电平） 30 30 – 40 ms
tLPF 毛刺信号抑制滤波器 50 50 – 40 ns
(1) 控制器和器件的 V+ 值相同。此类数值基于在初始发布期间对测试样本的统计分析
(2) 对于快速模式，t(HDDAT) 最大值可达 0.9µs，比 t(VDAT) 最大值要小一个转换时间。
(3) t(VDAT) = 数据信号从 SCL 低电平到 SDA 输出（高电平到低电平，以更差的情况为准）的时间。