• Menu
  • Product
  • Email
  • PDF
  • Order now

  • 适用于成本敏感型系统的 TLV900x 低功耗、RRIO、1MHz 运算放大器

    • ZHCSH61R October   2017  – November 2021 TLV9001 , TLV9002 , TLV9004

      PRODUCTION DATA  

  • CONTENTS
  • SEARCH
  • 适用于成本敏感型系统的 TLV900x 低功耗、RRIO、1MHz 运算放大器
  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息：TLV9001
    5. 7.5  热性能信息：TLV9001S
    6. 7.6  热性能信息：TLV9002
    7. 7.7  热性能信息：TLV9002S
    8. 7.8  热性能信息：TLV9004
    9. 7.9  热性能信息：TLV9004S
    10. 7.10 电气特征
    11. 7.11 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 工作电压
      2. 8.3.2 轨到轨输入
      3. 8.3.3 轨到轨输出
      4. 8.3.4 EMI 抑制
    4. 8.4 过载恢复
    5. 8.5 关断
    6. 8.6 器件功能模式
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 TLV900x 低侧电流感测应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 单电源光电二极管放大器
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
        3. 9.2.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
    1. 10.1 输入和 ESD 保护
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息
  14. 重要声明

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DPW|5
  • DBV|6
  • DBV|5
  • DCK|5
  • DCK|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
  • DPW|5
    • QFND567C
订购信息
  • zhcsh61r_oa
  • zhcsh61r_pm
search No matches found.
  • Full reading width
    • Full reading width
    • Comfortable reading width
    • Expanded reading width
  • Card for each section
  • Card with all content

 

DATA SHEET

适用于成本敏感型系统的 TLV900x 低功耗、RRIO、1MHz 运算放大器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

1 特性

  • 可扩展 CMOS 放大器，适用于低成本应用
  • 轨至轨输入和输出
  • 低输入失调电压：±0.4mV
  • 单位带宽增益积：1MHz
  • 低宽带噪声：27nV/√Hz
  • 低输入偏置电流：5pA
  • 低静态电流：60µA/通道
  • 单位增益稳定
  • 内置 RFI 和 EMI 滤波器
  • 可在电源电压低至 1.8V 的情况下运行
  • 由于具有电阻式开环输出阻抗，因此可在更高的容性负载下更轻松地实现稳定
  • 工作温度范围：–40°C 至 125°C

2 应用

  • 传感器信号调节
  • 电源模块
  • 有源滤波器
  • 低侧电流检测
  • 烟雾探测器
  • 运动检测器
  • 可穿戴设备
  • 大型和小型家用电器
  • EPOS
  • 条形码扫描仪
  • 个人电子产品
  • HVAC：暖通空调
  • 电机控制：交流感应

3 说明

TLV900x 系列包括单通道 (TLV9001)、双通道 (TLV9002)、 和四通道 (TLV9004) 低电压（1.8V 至 5.5V）运算放大器，具有轨至轨输入和输出摆幅能力。这些运算放大器为空间受限、需要低压运行和高容性负载驱动的应用（例如烟雾探测器、可穿戴电子产品和小型电器）提供了具有成本效益的解决方案。TLV900x 系列的电容负载驱动器具有 500pF 的电容，而电阻式开环输出阻抗使其能够在更高的电容负载下更轻松地实现稳定。这些运算放大器专为低工作电压(1.8V 至 5.5V)而设计，性能规格类似于 TLV600x 器件。

TLV900x 系列稳健耐用的设计可简化电路设计。这些运算放大器具有单位增益稳定性，集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器，并且在过驱情况下不会出现相位反转。

TLV900x 器件具有关断模式（TLV9001S、TLV9002S 和 TLV9004S），允许放大器切换至典型电流消耗低于 1µA 的待机模式。

针对所有通道型号（单通道、双通道和四通道）提供微型封装（如 SOT-553 和 WSON）以及行业标准封装（如 SOIC、MSOP、SOT-23 和 TSSOP 封装）。

器件信息
器件型号(1) 封装 封装尺寸（标称值）
TLV9001 SOT-23 (5) 1.60mm × 2.90mm
SC70 (5) 1.25mm × 2.00mm
SOT-553 (5)(2) 1.65mm × 1.20mm
X2SON (5) 0.80mm × 0.80mm
TLV9001S SOT-23 (6) 1.60mm × 2.90mm
SC70 (6) 1.25mm × 2.00mm
TLV9002 SOIC (8) 3.91mm × 4.90mm
WSON (8) 2.00mm × 2.00mm
VSSOP (8) 3.00mm × 3.00mm
SOT-23 (8) 1.60mm × 2.90mm
TSSOP (8) 3.00mm × 4.40mm
TLV9002S VSSOP (10) 3.00mm × 3.00mm
X2QFN (10) 1.50mm x 2.00mm
DSBGA (9) 1.00mm x 1.00mm
TLV9004 SOIC (14) 8.65mm × 3.91mm
SOT-23 (14) 4.20 mm × 2.00 mm
TSSOP (14) 4.40mm × 5.00mm
WQFN (16) 3.00mm × 3.00mm
X2QFN (14) 2.00mm × 2.00mm
TLV9004S WQFN (16) 3.00mm × 3.00mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 仅表示封装为预发布。
GUID-8F963DB4-283C-4CA5-8337-0F5C3285910E-low.gif单极低通滤波器

4 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLQ (June 2021)to RevisionR (November 2021)

  • 向器件信息 表中添加了 SOT-23 (14) 封装Go
  • 向器件比较表中添加了 SOT-23 DYY 封装Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 SOT-23 (14) 封装Go
  • 向热性能信息：TLV9004 表中添加了 DYY (SOT-23) 封装的热性能信息Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLP (April 2021)to RevisionQ (June 2021)

  • 将绝对最大额定值表中的电源电压 (V+) – (V–) MAX 从 6V 更改为 7VGo

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLO (April 2020)to RevisionP (April 2021)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 向器件信息 表中添加了 9 引脚 DSBGA 封装Go
  • 向器件比较表中添加了 9 引脚 DSBGA 封装Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9002S 9 引脚 DSBGA 封装Go
  • 向热性能信息：TLV9002S 表中添加了 TLV9002S 9 引脚 DSBGA 封装 Go
  • 从器件和文档支持部分中删除了相关链接部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLN (January 2020)to RevisionO (April 2020)

  • 删除了 TLV9001S 上的“预发布”标识Go
  • 删除了 TLV9001SIDCK（6 引脚 SC70）封装预发布说明Go
  • 向“热性能信息：TLV9001S”表中添加了 DCK (SC70) 数据Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLM (September 2019)to RevisionN (January 2020)

  • 向器件信息 表中添加了 6 引脚 SC70 封装Go
  • 向器件比较表中添加了 6 引脚 SC70 封装Go
  • 添加了 TLV9001SIDCK（6 引脚 SC70）封装引脚Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9001S 6 引脚 SC70 封装Go
  • 向引脚功能：TLV9001S 中添加了 6 引脚 SC70 引脚图 Go
  • 向热性能信息：TLV9001S 表中添加了 TLV9001S 6 引脚 SC70 封装Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLL (May 2019)to RevisionM (September 2019)

  • 删除了针对 SOT-23-8 (DDF) 封装的预发布备注Go
  • 向所有 SHDN 引脚功能行中添加了指向关断 部分的链接Go
  • 向特性说明部分中添加了 EMI 抑制部分Go
  • 更改了关断部分，以添加关于内部上拉电阻器的更多清晰度Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLK (March 2019)to RevisionL (May 2019)

  • 向器件信息 表中添加了 SOT-23 (8) 信息Go
  • 向器件比较表中添加了 SOT-23 DDF 封装Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 SOT-23 (DDF)Go
  • 添加了 DDF (SOT-23) 热性能信息：TLV9002 表Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLJ (January 2019)to RevisionK (March 2019)

  • 更改了 TLV9002S ESD 等级标题以包含所有 TLV9002S 封装Go
  • 删除了热性能信息表中 TLV9002SIRUG 的预览符号Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLI (November 2018)to RevisionJ (January 2019)

  • 删除了 TLV9002SIRUGR 的预发布符号Go
  • 将 TLV9004 WQFN(14) 封装标识符更改为 X2QFN(14) 封装标识符Go
  • 向器件比较表中添加了 RUG 封装Go
  • 向器件比较表中添加了 DGS 封装Go
  • 向器件比较表中添加了关断器件Go
  • 更改了 TLV9001 DRL 封装引脚图Go
  • 更改了 TLV9001 DRL 封装的引脚功能Go
  • 删除了 TLV9002SIRUGR (X2QFN) 引脚图中的封装预发布说明Go
  • 添加了 TLV9004IRUC 的热性能信息Go
  • 更改了闭环增益与频率间的关系图的图例Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLH (October 2018)to RevisionI (November 2018)

  • 向 ESD 等级表中添加了 TLV9002SIDGSGo

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLG (September 2018)to RevisionH (October 2018)

  • 在整个数据表中将 TLV9001 DCK 封装更改为：TLV9001T DCK 封装Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (August 2018)to RevisionG (September 2018)

  • 添加了器件比较表 Go
  • 更改了所有器件和所有封装的引脚名称Go
  • 更改了一些 TLV9001 引脚的引脚名称和 I/O 标识Go
  • 更改了引脚功能： TLV9004 表SOIC，TSSOP 列中 V+ 的引脚编号Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (July 2018)to RevisionF (August 2018)

  • 添加了“可扩展 CMOS 放大器，适用于低成本应用”特性Go
  • 删除了采用 TSSOP 封装的 TLV9002 和 TLV9004 器件上的“预发布”标识。Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9001U DBV (SOT-23) 引脚图Go
  • 向引脚功能部分中添加了 SOT-23 U 引脚Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (June 2018)to RevisionE (July 2018)

  • 更正了说明 部分中的拼写错误Go
  • 向器件信息 表中添加了 TLV9001 5 引脚 X2SON 封装Go
  • 向器件信息 表中添加了 TLV9001S 6 引脚 SOT-23 封装Go
  • 向器件信息 表中添加了 TLV9004 14 引脚和 16 引脚 WQFN 封装Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9001 DPW (X2SON) 引脚图Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9001S 6 引脚 SOT-23 封装Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9004 RTE 引脚信息Go
  • 向热性能信息：TLV9001 表中添加了 DPW (X2SON) 和 DRL (SOT-553) 封装Go
  • 向规格 部分中添加了 热性能信息： TLV9001S 表Go
  • 向热性能信息：TLV9002 表中添加了 RUG (X2QFN) 封装Go
  • 向热性能信息：TLV9004 表中添加了 RTE (WQFN) 和 RUC (WQFN) 封装Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (May 2018)to RevisionD (June 2018)

  • 向说明 部分添加了关断文本Go
  • 向器件信息 表中添加了 TLV9002S 和 TLV9004S 器件Go
  • 向器件信息 表中添加了 TLV9002S 10 引脚 X2QFN 封装Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9002S DGS 封装引脚信息Go
  • 向规格部分中添加了 热性能信息： TLV9001 表Go
  • 向规格 部分中添加了 热性能信息： TLV9004 表Go
  • 向电气特性：VS（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 至 5.5V 表中添加了“关断”部分Go
  • 添加了关断部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (March 2018)to RevisionC (May 2018)

  • 向器件信息 表中添加了 TLV9002 16 引脚 TSSOP 封装Go
  • 向器件信息 表中添加了 TLV9002 10 引脚 X2QFN 封装Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9002S DGS 封装引脚图Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9004 引脚图和引脚配置表Go
  • 向引脚配置和功能部分中添加了 TLV9004S 引脚图和引脚配置表Go
  • 将 TLV9002 D (SOIC) 结至环境热阻值从 147.4°C/W 更改为 207.9°C/WGo
  • 将 TLV9002 D (SOIC) 结至外壳（顶部）热阻从 94.3°C/W 更改为 92.8°C/WGo
  • 将 TLV9002 D (SOIC) 结至电路板热阻从 89.5°C/W 更改为 129.7°C/WGo
  • 将 TLV9002 D (SOIC) 结至顶特征参数从 47.3°C/W 更改为 26°C/WGo
  • 将 TLV9002 D (SOIC) 结至电路板特征参数从 89°C/W 更改为 127.9°C/WGo
  • 向热性能信息：TLV9002 表中添加了 DSG (WSON) 的热性能信息Go
  • 向热性能信息：TLV9002 表中添加了 TLV9002 PW (TSSOP) 的热性能信息Go
  • 向热性能信息：TLV9002 表中添加了 PW (TSSOP) 的热性能信息Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (December 2017)to RevisionB (March 2018)

  • 在器件信息 表中，向 TLV9001 封装、TLV9004 封装和 TLV9002 8 引脚 VSSOP 封装添加了封装预发布说明Go
  • 向引脚配置和功能部分的 TLV9001、TLV9004 和 TLV9002 VSSOP 封装引脚图中添加了封装预发布说明Go
  • 从“引脚配置和功能”部分的 TLV9002 DSG (WSON) 引脚图中删除了封装预发布说明Go
  • 从引脚配置和功能部分的 TLV9002 RUG (X2QFN) 引脚图中删除了封装预发布说明Go
  • 向热性能信息：TLV9002 表中添加了 DSG (WSON) 封装的热性能信息Go
  • 删除了热性能信息：TLV9002 表中 DSG (WSON) 封装的封装预发布说明Go
  • 向热性能信息：TLV9004 表中添加了 D (SOIC) 封装的热性能信息Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (October 2017)to RevisionA (December 2017)

  • 将器件状态从“预告信息”更改为“量产数据/混合状态”Go

5 器件比较表

器件 通道数
 封装引线
SC70
DCK		 SOIC
D		 SOT-23
DBV		 SOT-23
DYY		 SOT-553
DRL		 TSSOP
PW		 VSSOP
DGK		 SOT-23
DDF		 WQFN
RTE		 WSON
DSG		 X2QFN
RUC		 X2SON
DPW		 X2QFN
RUG		 VSSOP
DGS		 DSBGA
YCK
TLV9001 1 5 — 5 — 5 — — — — — — 5 — — —
TLV9001S 6 — 6 — — — — — — — — — — — —
TLV9002 2 — 8 — — — 8 8 8 — 8 — — — — —
TLV9002S — — — — — — — — — — — — 10 10 9
TLV9004 4 — 14 — 14 — 14 — — 16 — 14 — — — —
TLV9004S — — — — — — — — 16 — — — — — —

6 引脚配置和功能

图 6-1 TLV9001 DBV，TLV9001T DCK 封装
5 引脚 SOT-23，SC70
顶视图
图 6-3 TLV9001 DPW 封装
5 引脚 X2SON
顶视图
图 6-2 TLV9001 DCK 封装、TLV9001 DRL 封装、TLV9001U DBV 封装
5 引脚 SC70、SOT-553、SOT-23
顶视图
表 6-1 引脚功能：TLV9001
引脚 I/O 说明
名称 SOT-23，
SC70(T)		 SC70、
SOT-23(U)、
SOT-553		 X2SON
IN– 4 3 2 I 反相输入
IN+ 3 1 4 I 同相输入
OUT 1 4 1 O 输出
V– 2 2 3 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 5 5 5 I 正（高）电源
图 6-4 TLV9001S DBV 封装
6 引脚 SOT-23
顶视图
GUID-DAA8F089-7E03-491A-8007-E7FF54A00F31-low.gif图 6-5 TLV9001S DCK 封装
6 引脚 SC70
顶视图
表 6-2 引脚功能：TLV9001S
引脚 I/O 说明
名称 SOT-23 SC70
IN– 4 3 I 反相输入
IN+ 3 1 I 同相输入
OUT 1 4 O 输出
SHDN 5 5 I 关断：低 = 禁用放大器，高 = 启用放大器。更多信息，请参阅Topic Link Label8.5。
V– 2 2 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 6 6 I 正（高）电源
图 6-6 TLV9002 D，DGK，PW，DDF 封装
8 引脚 SOIC，VSSOP，TSSOP，SOT-23
顶视图
A. 将散热焊盘连接至 V–。
图 6-7 TLV9002 DSG 封装
8 引脚 WSON（带有外露散热焊盘）
顶视图
表 6-3 引脚功能：TLV9002
引脚 I/O 说明
名称 编号
IN1– 2 I 反相输入，通道 1
IN1+ 3 I 同相输入，通道 1
IN2– 6 I 反相输入，通道 2
IN2+ 5 I 同相输入，通道 2
OUT1 1 O 输出，通道 1
OUT2 7 O 输出，通道 2
V– 4 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 8 I 正（高）电源
图 6-8 TLV9002S DGS 封装
10 引脚 VSSOP
顶视图
GUID-20200902-CA0I-S5JN-QWD4-H2R1QGCGNG3G-low.gif图 6-10 TLV9002S YCK 封装
9 引脚 DSBGA (WCSP)
仰视图
图 6-9 TLV9002S RUG 封装
10 引脚 X2QFN
顶视图
表 6-4 引脚功能：TLV9002S
引脚 I/O 说明
名称 VSSOP X2QFN DSBGA (WCSP)
IN1– 2 9 B1 I 反相输入，通道 1
IN1+ 3 10 A1 I 同相输入，通道 1
IN2– 8 5 B3 I 反相输入，通道 2
IN2+ 7 4 A3 I 同相输入，通道 2
OUT1 1 8 C1 O 输出，通道 1
OUT2 9 6 C3 O 输出，通道 2
SHDN1 5 2 — I 关断：低 = 禁用放大器，高 = 启用放大器，通道 1。更多信息，请参阅Topic Link Label8.5。
SHDN2 6 3 — I 关断：低 = 禁用放大器，高 = 启用放大器，通道 1。更多信息，请参阅Topic Link Label8.5。
SHDN — — B2 关断：低 = 禁用两个放大器，高 = 启用两个放大器
V– 4 1 A2 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 10 7 C2 I 正（高）电源
图 6-11 TLV9004 D，DYY，PW 封装
14 引脚 SOIC，SOT-23 (14)，TSSOP
顶视图
A. 将散热焊盘连接至 V–。
图 6-13 TLV9004 RTE 封装
16 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）
顶视图
图 6-12 TLV9004 RUC 封装
14 引脚 X2QFN
顶视图
表 6-5 引脚功能：TLV9004
引脚 I/O 说明
名称 SOIC、SOT-23 (14)、TSSOP WQFN X2QFN
IN1– 2 16 1 I 反相输入，通道 1
IN1+ 3 1 2 I 同相输入，通道 1
IN2– 6 4 5 I 反相输入，通道 2
IN2+ 5 3 4 I 同相输入，通道 2
IN3– 9 9 8 I 反相输入，通道 3
IN3+ 10 10 9 I 同相输入，通道 3
IN4– 13 13 12 I 反相输入，通道 4
IN4+ 12 12 11 I 同相输入，通道 4
NC — 6、7 — — 无内部连接
OUT1 1 15 14 O 输出，通道 1
OUT2 7 5 6 O 输出，通道 2
OUT3 8 8 7 O 输出，通道 3
OUT4 14 14 13 O 输出，通道 4
V– 11 11 10 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 4 2 3 I 正（高）电源
A. 将散热焊盘连接至 V–。
图 6-14 TLV9004S RTE 封装
16 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘）
顶视图
表 6-6 引脚功能：TLV9004S
引脚 I/O 说明
名称 编号
IN1+ 1 I 同相输入
IN1– 16 I 反相输入
IN2+ 3 I 同相输入
IN2– 4 I 反相输入
IN3+ 10 I 同相输入
IN3– 9 I 反相输入
IN4+ 12 I 同相输入
IN4– 13 I 反相输入
SHDN12 6 I 关断：低 = 禁用放大器，高 = 启用放大器，通道 1 和 2。更多信息，请参阅Topic Link Label8.5。
SHDN34 7 I 关断：低 = 禁用放大器，高 = 启用放大器，通道 3 和 4。更多信息，请参阅Topic Link Label8.5。
OUT1 15 O 输出
OUT2 5 O 输出
OUT3 8 O 输出
OUT4 14 O 输出
V– 11 I 或 — 负（低）电源或接地（对于单电源供电）
V+ 2 I 正（高）电源

7 规格

7.1 绝对最大额定值

在工作温度范围内（除非另有说明）(1)
最小值最大值单位
电源电压 (V+) – (V–)7V
信号输入引脚电压(2)共模(V–) – 0.5(V+) + 0.5V
差分(V+) – (V–) + 0.2V
电流(2)-1010mA
输出短路(3)持续
温度，TA-55150°C
结温，TJ150°C
贮存温度，Tstg-65150°C
(1) 超出绝对最大额定值下所列的值的应力可能会对器件造成损坏。这些仅仅是压力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。摆幅超过电源轨 0.5V 的输入信号的电流必须限制在 10mA 或者更少。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。

7.2 ESD 等级

TLV9002S 封装值单位
V(ESD)静电放电人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)±1500V
充电器件模型（CDM），符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2)±1500
所有其他封装
V(ESD)静电放电人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)±2000V
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2)±1000
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件 JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准 ESD 控制流程下安全生产。

7.3 建议运行条件

在工作温度范围内（除非另有说明）
最小值最大值单位
VS电源电压1.85.5V
TA额定温度-40125°C

7.4 热性能信息：TLV9001

热指标(1)TLV9001单位
DBV (SOT-23)DCK (SC70)DPW (X2SON)DRL (SOT-553)(2)
5 引脚5 引脚5 引脚5 引脚
RθJA 结至环境热阻232.9239.6470.0待定°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻153.8148.5211.9待定°C/W
RθJB结至电路板热阻100.982.3334.8待定°C/W
ψJT结至顶部特征参数77.254.529.8待定°C/W
ψJB结至电路板特征参数100.481.8333.2待定°C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。
(2) 此 TLV9001 封装选项仅为预发布版。

7.5 热性能信息：TLV9001S

热指标(1)TLV9001S单位
DBV (SOT-23)DCK (SC70)
6 引脚6 引脚
RθJA 结至环境热阻232.9215.6°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻153.8146.4°C/W
RθJB结至电路板热阻100.972.0°C/W
ψJT结至顶部特征参数77.255.0°C/W
ψJB结至电路板特征参数100.471.7°C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。

7.6 热性能信息：TLV9002

热指标(1)TLV9002单位
D
(SOIC)		DGK
(VSSOP)		DGS
(VSSOP)		DSG
(WSON)		PW
(TSSOP)		DDF
(SOT-23)
8 个引脚8 引脚10 引脚8 个引脚8 引脚8 引脚
RθJA结至环境热阻207.9201.2169.5103.2200.7183.7°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻92.885.784.1120.195.4112.5°C/W
RθJB结至电路板热阻129.7122.911368.8128.698.2°C/W
ψJT结至顶部特征参数2621.215.814.727.218.8°C/W
ψJB结至电路板特征参数127.9121.4111.668.5127.297.6°C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。

7.7 热性能信息：TLV9002S

热指标(1) TLV9002S 单位
DGS (VSSOP) RUG (X2QFN) YCK (DSBGA)
10 引脚 10 引脚 9 引脚
RθJA 结至环境热阻 169.5 194.2 101.2 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 84.1 90.3 0.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 113 122.2 33.8 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 15.8 3.5 0.5 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 111.6 118.8 33.8 °C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。

7.8 热性能信息：TLV9004

热指标(1) TLV9004 单位
D (SOIC) DYY (SOT-23) PW (TSSOP) RTE (WQFN) RUC (X2QFN)
14 引脚 14 引脚 14 引脚 16 引脚 14 引脚
RθJA 结至环境热阻 102.1 154.3 148.3 66.4 205.5 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 56.8 86.8 68.1 69.3 72.5 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 58.5 67.9 92.7 41.7 150.2 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 20.5 10.1 16.9 5.7 3.0 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 58.1 67.5 91.8 41.5 149.6 °C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。

 
Texas Instruments

© Copyright 1995-2025 Texas Instruments Incorporated. All rights reserved.
Submit documentation feedback | IMPORTANT NOTICE | Trademarks | Privacy policy | Cookie policy | Terms of use | Terms of sale