ZHCSYJ8E
January 2005 – July 2025
TLV341
,
TLV341A
,
TLV342
,
TLV342S
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
引脚配置和功能
5
规格
5.1
绝对最大额定值
5.2
ESD 等级
5.3
建议运行条件
5.4
热性能信息:TLV341
5.5
热性能信息:TLV342
5.6
热性能信息:TLV342S
5.7
电气特性:V+ = 1.8V
5.8
电气特性:V+ = 5V
5.9
关断特性:V+ = 1.8V
5.10
关断特性:V+ = 5V
5.11
典型特性
6
详细说明
6.1
概述
6.2
功能方框图
6.3
特性说明
6.3.1
PMOS 输入级
6.3.2
CMOS 输出级
6.3.3
关断
6.4
器件功能模式
7
应用和实施
7.1
应用信息
7.2
典型应用
7.2.1
设计要求
7.2.2
详细设计过程
7.2.3
应用曲线
7.3
电源相关建议
7.4
布局
7.4.1
布局指南
7.4.2
布局示例
8
器件和文档支持
8.1
接收文档更新通知
8.2
支持资源
8.3
商标
8.4
静电放电警告
8.5
术语表
9
修订历史记录
10
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DCK|6
MPDS114F
DBV|6
MPDS026Q
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcsyj8e_oa
zhcsyj8e_pm
5.6
热性能信息:TLV342S
热指标
(1)
TLV342S
单位
RUG
(X2QFN)
10 引脚
R
θJA
结至环境热阻
158.3
°C/W
R
θJC(top)
结至外壳(顶部)热阻
52.6
°C/W
R
θJB
结至电路板热阻
87.9
°C/W
ψ
JT
结至顶部特征参数
1
°C/W
ψ
JB
结至电路板特征参数
87
°C/W
(1)
有关新旧热指标的更多信息,请参阅
《半导体和 IC 封装热指标》
应用报告
SPRA953
。