ZHCSYJ8E January   2005  – July 2025 TLV341 , TLV341A , TLV342 , TLV342S

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息：TLV341
    5. 5.5  热性能信息：TLV342
    6. 5.6  热性能信息：TLV342S
    7. 5.7  电气特性：V+ = 1.8V
    8. 5.8  电气特性：V+ = 5V
    9. 5.9  关断特性：V+ = 1.8V
    10. 5.10 关断特性：V+ = 5V
    11. 5.11 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 PMOS 输入级
      2. 6.3.2 CMOS 输出级
      3. 6.3.3 关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TLV34xx 器件分别为单和双 CMOS 运算放大器，具有低电压、低功耗和轨到轨输出摆幅功能。PMOS 输入级提供 1pA（典型值）的超低输入偏置电流和 0.3mV（典型值）的
失调电压。对于需要出色直流精度的应用，A 级 (TLV34xA) 在 25°C 时具有 1.25mV（最大值）的低失调电压。

这些单电源放大器专为超低电压（1.5V 至 5V）工作而设计，其共模输入电压范围通常介于与正电源轨的 –0.2V 至 0.5V。

采用 RUG 封装的 TLV341（单）和 TLV342（双）还提供了一个关断 (SHDN) 引脚，可用于禁用器件。在关断模式下，电源电流降至 45pA（典型值）。TLV341 采用 SOT-23 和更小的 SC70 封装，非常适合大多数空间受限的应用。双 TLV342 采用标准的 SOIC、VSSOP 和 X2QFN 封装。

TLV34xx 具有从 –40°C 到 125°C 的扩展工业温度范围，因此能够灵活用于各种商业和工业应用。

封装信息
器件型号 (1)封装本体尺寸（标称值）
TLV341(SOT-23, 6)2.90mm × 1.60mm
(SC70, 6)2.00mm × 1.25mm
SOT (6)1.60mm × 1.20mm
TLV342SOIC (8)4.90mm × 3.91mm
VSSOP (8)3.00mm × 3.00mm
(X2QFN, 10)1.50mm × 2.00mm
TLV342S(X2QFN, 10)1.50mm × 2.00mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。