ZHCSYJ8E January   2005  – July 2025 TLV341 , TLV341A , TLV342 , TLV342S

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息:TLV341
    5. 5.5  热性能信息:TLV342
    6. 5.6  热性能信息:TLV342S
    7. 5.7  电气特性:V+ = 1.8V
    8. 5.8  电气特性:V+ = 5V
    9. 5.9  关断特性:V+ = 1.8V
    10. 5.10 关断特性:V+ = 5V
    11. 5.11 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 PMOS 输入级
      2. 6.3.2 CMOS 输出级
      3. 6.3.3 关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性:V+ = 5V

V+ = 5V,GND = 0V,VIC = VO = V+/2,RL > 1MΩ(除非另有说明)。请参阅 节 5.10
参数测试条件TA最小值典型值(1)最大值单位
VIO输入失调电压标准等级25°C0.34mV
完整范围4.5
A 级25°C0.31.25
0°C 至 125°C0.31.5
-40°C 至 125°C0.31.7
αVIO输入失调电压的平均温度系数完整范围1.9μV/°C
IIB输入偏置电流25°C1200pA
-40°C 至 85°C375
-40°C 至 125°C3000
IIO输入失调电流25°C6.6fA
CMRR共模抑制比0 ≤ VICR ≤ 4.4V25°C7590dB
完整范围70
kSVR电源电压抑制比1.8V ≤ V+ ≤ 5V25°C7595dB
完整范围65
VICR共模输入电压范围CMRR ≥ 70dB25°C04.4V
AV大信号电压增益(1)RL = 10kΩ(连接至 2.5V)25°C80110dB
完整范围70
RL = 2kΩ(连接至 2.5V)25°C75105
完整范围60
VO输出摆幅
(相对于电源轨的偏差)
RL = 2kΩ(连接至 2.5V)低电平25°C4060mV
完整范围85
高电平25°C2560
完整范围85
RL = 10kΩ(连接至 2.5V)低电平25°C1830
完整范围40
高电平25°C715
完整范围20
ICC电源电流(每通道)25°C150200μA
完整范围215
IOS输出短路电流拉电流25°C60113mA
灌电流80115
SR压摆率RL = 10kΩ(1)25°C1V/μs
GBW单位增益带宽RL = 10kΩ,CL = 200pF25°C2.3MHz
φm相位裕度RL = 100kΩ,CL = 200pF25°C55°
Gm增益裕度RL = 100kΩ,CL = 200pF25°C15dB
Vn等效输入噪声电压f = 1kHz25°C33nV/√Hz
In等效输入噪声电流f = 1kHz25°C0.001pA/√ Hz
THD总谐波失真f = 1kHz,AV = 1,RL = 600Ω,
VI = 1VPP
25°C0.012%