ZHCSYK4C February   1997  – July 2025 TLE2061 , TLE2061A , TLE2061AM , TLE2061BM , TLE2061M , TLE2062 , TLE2062A , TLE2062AM , TLE2062BM , TLE2062M , TLE2064 , TLE2064A , TLE2064AM , TLE2064BM , TLE2064M

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 提供的选项
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  建议运行条件
    3. 5.3  TLE2061C 电气特性
    4. 5.4  TLE2061C 工作特性
    5. 5.5  TLE2061C 电气特性
    6. 5.6  TLE2061C 工作特性
    7. 5.7  TLE2061I 电气特性
    8. 5.8  TLE2061I 工作特性
    9. 5.9  TLE2061I 电气特性
    10. 5.10 TLE2061I 工作特性
    11. 5.11 TLE2061M 电气特性
    12. 5.12 TLE2061M 工作特性
    13. 5.13 TLE2061M 电气特性
    14. 5.14 TLE2061M 工作特性
    15. 5.15 TLE2061Y 电气特性
    16. 5.16 TLE2061Y 工作特性
    17. 5.17 TLE2062C 电气特性
    18. 5.18 TLE2062C 工作特性
    19. 5.19 TLE2062C 电气特性
    20. 5.20 TLE2062C 工作特性
    21. 5.21 TLE2062I 电气特性
    22. 5.22 TLE2062I 工作特性
    23. 5.23 TLE2062I 电气特性
    24. 5.24 TLE2062I 工作特性
    25. 5.25 TLE2062M 电气特性
    26. 5.26 TLE2062M 工作特性
    27. 5.27 TLE2062M 电气特性
    28. 5.28 TLE2062M 工作特性
    29. 5.29 TLE2062Y 电气特性
    30. 5.30 TLE2062Y 工作特性
    31. 5.31 TLE2064C 电气特性
    32. 5.32 TLE2064C 工作特性
    33. 5.33 TLE2064C 电气特性
    34. 5.34 TLE2064C 工作特性
    35. 5.35 TLE2064I 电气特性
    36. 5.36 TLE2064I 工作特性
    37. 5.37 TLE2064I 电气特性
    38. 5.38 TLE2064I 工作特性
    39. 5.39 TLE2064M 电气特性
    40. 5.40 TLE2064M 工作特性
    41. 5.41 TLE2064M 电气特性
    42. 5.42 TLE2064M 工作特性
    43. 5.43 TLE2064Y 电气特性
    44. 5.44 TLE2064Y 工作特性
    45. 5.45 典型特性
    46. 5.46 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 典型值
    2. 6.2 输入偏置和失调电流之间的关系
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 输入特性
      2. 7.1.2 TLE2061 输入失调电压归零
      3. 7.1.3 宏模型信息
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

TLE206x 系列低功耗 JFET 输入运算放大器可将早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的带宽加倍,但不会显著增加功耗。德州仪器 (TI) 的 Excalibur 工艺还可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失调电压的片上齐纳微调可为直流耦合应用生成精密等级。TL206x 器件与其他德州仪器 (TI) BiFET 兼容,为此,该器件能让 TL06x 和 TL03x 电路的带宽加倍,或将 TL05x、TL07x 和 TL08x 电路的功耗降低近 90%。

BiFET 运算放大器提供的 JFET 输入晶体管,其固有的输入阻抗更高,然并不会降低与双极放大器相关的输出驱动。这些器件特性专为连接高阻抗传感器或低电平交流信号而设计。此外,与具有类似功耗的双极或 CMOS 器件相比,这些器件本身具有更好的交流响应。TLE206x 系列具有高输出驱动电路,能够在低至 ±5V 的电源电压下驱动 100Ω 的负载。这使得它们特别适合驱动调制解调器中的变压器负载以及其他需要良好交流特性、低功耗和高输出驱动的应用中。

由于 BiFET 运算放大器设计用于双电源,因此在采用单电源供电时必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。需要输入信号的直流偏置,负载必须端接至 1/2 Vs 的虚拟接地节点。德州仪器 (TI) TLE2426 集成式虚拟接地发生器在通过单电源运行 BiFET 放大器时非常有用。

TLE206x 的额定工作电压为 ±15V 和 ±5V。若要在低电压或单电源系统中运行,建议使用德州仪器 (TI) LinCMOS 系列运算放大器(TLC- 和 TLV- 前缀)。从 BiFET 迁移到 CMOS 放大器时,应特别注意压摆率、带宽要求以及输出负载。德州仪器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 运算放大器是理想的选择。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)
TLE2061、TLE2061A、TLE2062 P(PDIP,8) 9.81mm × 9.43mm
D(SOIC,8) 4.9mm × 6mm
TLE2062A D(SOIC,8) 4.9mm × 6mm
TLE2064,TLE2064A N(PDIP,14) 19.3mm × 9.4mm
D(SOIC,14) 8.65mm × 6mm
TLE2061M、TLE2061AM、TLE2062M JG(CDIP,8) 9.6mm × 6.67mm
FK(LCCC,20) 8.89mm × 8.89mm
TLE2064M,TLE2064BM J(CDIP,14) 19.56mm × 6.67mm
FK(LCCC,20) 8.89mm × 8.89mm
TLE2064AM J(CDIP,14) 19.56mm × 6.67mm
CFP(W,14) 9.21mm × 6.3mm
FK(LCCC,20) 8.89mm × 8.89mm
有关更多信息,请参阅 节 10
封装尺寸(长 × 宽)为标称值,并包括引脚(如适用)。
TLE2061 TLE2061A TLE2062 TLE2062A TLE2064 TLE2064A TLE2061M TLE2061AM TLE2061BM TLE2062M TLE2062AM TLE2062BM TLE2064M TLE2064AM TLE2064BM 符号符号