ZHCSU13A November   2023  – April 2024 TDP2004

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 直流电气特性
    6. 5.6 高速电气特性
    7. 5.7 SMBus/I2C 时序特性
    8. 5.8 典型特性
    9. 5.9 典型抖动特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 线性均衡
      2. 6.3.2 平坦增益
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 工作模式
      2. 6.4.2 待机模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 引脚模式
        1. 6.5.1.1 五电平控制输入
      2. 6.5.2 SMBus/I2C 寄存器控制接口
        1. 6.5.2.1 共享寄存器
        2. 6.5.2.2 通道寄存器
      3. 6.5.3 SMBus/I 2 C 主模式配置（EEPROM 自加载）
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 DP 2.1 主链路信号调节
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RNQ|40
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 引脚配置和功能

TDP2004 RNQ 封装，40 引脚 WQFN（顶视图） 图 4-1 RNQ 封装，40 引脚 WQFN（顶视图）
表 4-1 引脚功能
引脚类型(1)说明
名称编号
DONEn7O、3.3V 开漏在 SMBus/I2C 主模式下：
指示有效 EEPROM 寄存器加载操作完成。操作所需的外部上拉电阻，例如 4.7kΩ。
高电平：外部 EEPROM 加载失败或未完成
低电平：外部 EEPROM 加载成功并在
SMBus/I2C 从/引脚模式下完成：
该输出为高阻态。该引脚可以悬空。
模式25I，5 电平设置器件控制配置模式。表 6-3 中提供的 5 电平 IO 引脚。该引脚可以在器件上电或正常运行模式下使用。
L0：引脚模式 – 器件控制配置仅由 strap 配置引脚完成。
L1：SMBus/I2C 主模式 - 从外部 EEPROM 读取器件控制配置。当 TDP2004 成功完成从 EEPROM 的读取时，DONEn 引脚被拉至低电平。在 EEPROM 读取之前、读取期间或读取之后，该模式提供 SMBus/I2C 从设备运行。请注意，在 EEPROM 读取期间，如果外部 SMBus/I2C 主模式希望访问 TDP2004 寄存器，则外部控制器必须支持仲裁。
L2：SMBus/I2C 从模式 – 器件控制配置由具有 SMBus/I2C 主模式的外部控制器完成。
L3 和 L4（悬空）：保留 – TI 内部测试模式。
EQ0/ADDR023I，5 电平在引脚模式下：
按照表 6-1 中的说明为通道 0-3 设置接收器线性均衡 (CTLE) 增强。只在器件上电时对这些引脚进行采样。
在 SMBus/I2C 模式下：
按照表 6-4 中的说明设置 SMBus/I2C 从地址。只在器件上电时对这些引脚进行采样。
EQ1/ADDR124I，5 电平
GAIN / SDA27I，5 电平 / I/O、3.3V LVCMOS，漏极开路在引脚模式下：
通道 0-3 从器件输入端到输出端的平坦增益（直流和交流）。仅在器件上电时对引脚进行采样。
在 SMBus/I2C 模式下：
3.3V SMBus/I2C 数据。根据 SMBus/I2C 接口标准，需要外部 1kΩ 至 5kΩ 上拉电阻。
GND1、8、11、18、21、28、31、38、EPP器件的接地基准。
EP：QFN 封装底部的外露焊盘，用作器件的 GND 回路。EP 必须通过低电阻路径连接到一个或多个接地平面。过孔阵列提供到 GND 的低阻抗路径。EP 还改善了散热性能。
PD6I，3.3V LVCMOS控制转接驱动器运行状态的 2 级逻辑。在所有器件控制模式下均有效。该引脚具有 1MΩ 内部弱下拉电阻。
高电平：通道 0-3 断电
低电平：上电，通道 0-3 正常运行
READ_EN_N22I，3.3V LVCMOS在 SMBus/I2C 主模式下：
器件上电后，当该引脚为低电平时，会启动 SMBus/I2C 主模式 EEPROM 读取功能。EEPROM 读取完成后（通过将 DONEn 置为低电平进行指示），该引脚可保持低电平，以保障器件正常运行。在 EEPROM 加载过程中，器件的信号路径被禁用。
在 SMBus/I2C 从模式和引脚模式下：
在这些模式下，不使用引脚。引脚可以保持悬空。该引脚具有 1MΩ 内部弱下拉电阻。
RSVD2—保留供 TI 使用。该引脚必须保持悬空 (NC)。
TEST / SCL26I，5 电平 / I/O、3.3V LVCMOS，漏极开路在引脚模式下：
TI 测试模式。必须安装外部 1kΩ 下拉电阻。
在 SMBus/I2C 模式下：
3.3V SMBus/I2C 时钟。根据 SMBus/I2C 接口标准，需要外部 1kΩ 至 5kΩ 上拉电阻。
RX0N30I均衡器的反相差分输入。从引脚到内部 CM 偏置电压的集成式 50Ω 终端电阻器。通道 0。
RX0P29I均衡器的同相差分输入。从引脚到内部 CM 偏置电压的集成式 50Ω 终端电阻器。通道 0。
RX1N33I均衡器的反相差分输入。从引脚到内部 CM 偏置电压的集成式 50Ω 终端电阻器。通道 1。
RX1P32I均衡器的同相差分输入。从引脚到内部 CM 偏置电压的集成式 50Ω 终端电阻器。通道 1。
RX2N37I均衡器的反相差分输入。从引脚到内部 CM 偏置电压的集成式 50Ω 终端电阻器。通道 2。
RX2P36I均衡器的同相差分输入。从引脚到内部 CM 偏置电压的集成式 50Ω 终端电阻器。通道 2。
RX3N40I均衡器的反相差分输入。从引脚到内部 CM 偏置电压的集成式 50Ω 终端电阻器。通道 3。
RX3P39I均衡器的同相差分输入。从引脚到内部 CM 偏置电压的集成式 50Ω 终端电阻器。通道 3。
TX0N19O用于 100Ω 差分驱动器输出的反相引脚。通道 0。
TX0P20O用于 100Ω 差分驱动器输出的同相引脚。通道 0。
TX1N16O用于 100Ω 差分驱动器输出的反相引脚。通道 1。
TX1P17O用于 100Ω 差分驱动器输出的同相引脚。通道 1。
TX2N12O用于 100Ω 差分驱动器输出的反相引脚。通道 2。
TX2P13O用于 100Ω 差分驱动器输出的同相引脚。通道 2。
TX3N9O用于 100Ω 差分驱动器输出的反相引脚。通道 3。
TX3P10O用于 100Ω 差分驱动器输出的同相引脚。通道 3。
VCC14、15、34、35P电源引脚。VCC = 3.3V ±10%。该器件的 VCC 引脚应通过一个低电阻路径与电路板的 VCC 平面相连。在每个 VCC 引脚附近安装一个去耦电容连接至 GND。
(1) I = 输入；O = 输出；P = 电源