ZHCSY62A April   2025  – June 2025 SN55LVTA4-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 参数测量信息
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 未使用的使能引脚
      2. 7.3.2 驱动器禁用输出
      3. 7.3.3 驱动器等效原理图
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 典型应用
        1. 8.1.1.1 详细设计过程
          1. 8.1.1.1.1 介质互连
        2. 8.1.1.2 设计要求
        3. 8.1.1.3 应用曲线
      2. 8.1.2 冷备用
      3. 8.1.3 电源相关建议
        1. 8.1.3.1 电源旁路电容
      4. 8.1.4 布局
        1. 8.1.4.1 布局指南
          1. 8.1.4.1.1 微带与带状线拓扑
          2. 8.1.4.1.2 电介质类型和电路板结构
          3. 8.1.4.1.3 建议的堆叠布局
          4. 8.1.4.1.4 引线间距
          5. 8.1.4.1.5 串扰和接地反弹最小化
        2. 8.1.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 相关文档
  11. 10接收文档更新通知
  12. 11支持资源
  13. 12商标
  14. 13静电放电警告
  15. 14术语表
  16. 15修订历史记录
  17. 16机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电源旁路电容

旁路电容器在配电电路中发挥着关键作用。具体来说,旁路电容器会在电源和接地之间以特定的频率(取决于值)建立低阻抗路径。在低频率下,稳压器在端子和接地之间提供低阻抗路径。但是,随着更高频率的电流通过电源布线传输,该电源通常无法保持低阻抗的接地路径。旁路电容器便用于解决这一问题。通常,板级大旁路电容器(10µF 至 1000μF)在 kHz 范围内可以很好地工作。由于引线的尺寸和长度,大电容器往往在现代数字电路的开关频率下具有较大的电感值。要解决这个问题,可以使用较小的电容器(nF 至 μF 范围)并将其安装在集成电路旁边。

多层陶瓷芯片或表面贴装电容器(尺寸 0603 或 0805)可以在高速环境中尽可能地减小旁路电容器的引线电感,因为它们的引线电感约为 1nH。为进行比较,带引线的典型电容器具有约 5nH 的引线电感。

根据下面的公式,方程 方程式 1方程式 2,可以通过以下公式确定与 LVDS 芯片一起使用的局部旁路电容器值。200ps 的保守上升时间和 1A 的最坏情况下电源电流变化涵盖了德州仪器 (TI) 提供的 LVDS 器件的整个范围。在此示例中,所能承受的最大电源噪声为 200mV;但是,根据设计中可用的噪声预算,此数字会有所不同。

方程式 1. C c h i p   =   I M a x i m u m   S t e p   C h a n g e   S u p p l y   C u r r e n t V M a x i m u m   P o w e r   S u p p l y   N o i s e   ×   T R i s e   T i m e
方程式 2. C L V D S   =   1 A 0.2 V   ×   200   p s   =   0.001   μ F

以下示例降低了引线电感,并涵盖了板级电容器 (>10µF) 与上述电容值 (0.001µF) 之间的中间频率。最小电容值应放置在尽可能靠近芯片的位置。

SN55LVTA4-SEP 建议的 LVDS 旁路电容器布局图 8-4 建议的 LVDS 旁路电容器布局