ZHCSXL2A December   2024  – June 2025 MSPM0L1116 , MSPM0L1117

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
    1. 5.1 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      11
    3. 6.3 信号说明
      1.      13
      2.      14
      3.      15
      4.      16
      5.      17
      6.      18
      7.      19
      8.      20
      9.      21
      10.      22
      11.      23
      12.      24
      13.      25
      14.      26
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 STOP/STANDBY 模式
      3. 7.5.3 SHUTDOWN 模式
    6. 7.6  电源时序控制
      1. 7.6.1 电源斜坡
      2. 7.6.2 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  计时特点
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 低频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 I2C
      1. 7.15.1 I2C 特性
      2. 7.15.2 I2C 滤波器
      3. 7.15.3 I2C 时序图
    16. 7.16 SPI
      1. 7.16.1 SPI
      2. 7.16.2 SPI 时序图
    17. 7.17 UART
    18. 7.18 TIMx
    19. 7.19 TRNG 电气特性
    20. 7.20 TRNG 开关特性
    21. 7.21 仿真和调试
      1. 7.21.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  功能方框图
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 安全性
    17. 8.17 TRNG
    18. 8.18 AESADV
    19. 8.19 密钥库
    20. 8.20 CRC-P
    21. 8.21 UART
    22. 8.22 I2C
    23. 8.23 SPI
    24. 8.24 低频子系统 (LFSS)
    25. 8.25 RTC_B
    26. 8.26 IWDT_B
    27. 8.27 WWDT
    28. 8.28 计时器 (TIMx)
    29. 8.29 器件模拟连接
    30. 8.30 输入/输出图
    31. 8.31 串行线调试接口
    32. 8.32 引导加载程序 (BSL)
    33. 8.33 器件出厂常量
    34. 8.34 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RHB|32
  • RGZ|48
  • RGE|24
  • PT|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11 修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLDecember 1, 2024 to May 31, 2025 (from Revision* (December 2024)to RevisionA (June 2025))

  • 校正的 I/O 特性列表Go
  • 添加了备注，说明该器件旨在通过 PSA-L1 认证Go
  • 更新了“器件比较”部分以将通信外设实例以列表形式列出Go
  • 更新了引脚属性部分，以正确列出该器件中可用的 IO 类型，并添加了指示具有唤醒功能的 SDIO 的脚注Go
  • 更正了引脚属性表，以表明 GPIO PA2 由 PINCM7 而不是 PINCM61 控制Go
  • 更正了引脚属性表，以表明 PA15 是高驱动型 IO (HDIO)Go
  • 更正了引脚属性表，以表明 PB24 是标准型 IO (SDIO)Go
  • 更新了 I_VDD 和 I_VSS 的绝对最大额定值以反映正确的结温并删除了 VDD >= 2.7V 的条件Go
  • 向“绝对最大额定值”中添加了 PB24 的二极管电流额定值Go
  • 向绝对最大额定值中添加了环境温度额定值Go
  • 向 I_VDD 和 I_VSS 指南添加了脚注，说明当 VDD 电源电压较低（如 1.62V）时的低电流消耗情况Go
  • 更新了“电源电流特性”部分，纳入最大值和精确的典型值Go
  • 增加了每 Mhz 休眠电流（在 32MHz 下评估）的电源电流特性参数Go
  • 更改了 POR 和 BOR 规格以反映 POR 和冷启动 BOR 的精确电压阈值Go
  • 更新了 POR 和 BOR 规格部分，以删除针对 dVDD/dt 条件的脚注Go
  • 更改了闪存存储器特性，支持用户指定闪存的任意 32kB 扇区进行 10 万次擦写操作，而不仅限于低地址的 32kB 扇区Go
  • 更新了定时特性部分，其中包含准确的规格值和从 STOP1 和 STOP2 到 RUN 的唤醒时间的校正规格标签Go
  • 根据准确的值更新了系统振荡器规格Go
  • 删除了“SYSOSC 典型频率精度”图Go
  • 删除了 VDD 电源电压范围的 LFXT 规格，为这些规格已经适用于器件的整个 VDD 运行范围Go
  • 更改了 LFXT 启动时间以指示 1 秒的典型值Go
  • 更新了数字 IO 电气特性以反映环境温度条件Go
  • 在数字 IO 开关特性中添加了上升/下降时间规格Go
  • 针对 HDIO DRV=1 条件添加了脚注，以限制高电流运行时的信号压摆率Go
  • 更新了 SNR 和 PSRRDC 的 ADC 规格以删除最小值Go
  • 更新了温度传感器系数规格值Go
  • 更改了 VREF 电气特性中的 I_VREF、TC_VREF 和 PSRRDC 规格值Go
  • 删除了 VREF 电气特性中的 Vnoise 规格Go
  • 更新了 SPI 规格以反映正确的设置和保持时序值Go
  • 更新了 CPU 说明部分，以表示对存储器保护单元 (MPU) 的支持Go
  • 更新了“不同工作模式下支持的功能”表以确保准确性和优化结构Go
  • 在 DMA 部分中添加了详细的 DMA 特性表Go
  • 更新了“闪存存储器”部分，以指示可以选择任何 32kB 扇区进行高耐久性操作Go
  • 更新了 SRAM 部分中与写入执行用户操作相关的说明Go
  • 更新了 GPIO 部分，以阐明该器件中有两个 GPIO 端口（PAx 和 PBx）Go
  • 更新了“温度传感器”部分，添加了使用 V_TRIM_0K 的每单位 TSc 计算方法的详细信息Go
  • 更新了 VREF 部分，以阐明该器件中的 VREF 不需要在 VREF+/- 引脚上使用去耦电容器即可正常运行，并且还添加了详细说明 VREF 配置的方框图。Go
  • 更新了“安全性”部分，以列出该器件中存在的所有安全功能Go
  • 更新了 SPI 部分以引用 MCLK 而不是 ULPCLKGo
  • 更新了 LFSS 部分，以指示存在 LFSS_B 和 RTC_B 型号Go
  • 更新了“计时器”部分，以正确详细说明各种计时器实例类型的功能Go
  • 更新了机械、封装和可订购信息部分以附加每个封装型号的图纸Go