ZHCSXL2A December   2024  – June 2025 MSPM0L1116 , MSPM0L1117

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
    1. 5.1 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      11
    3. 6.3 信号说明
      1.      13
      2.      14
      3.      15
      4.      16
      5.      17
      6.      18
      7.      19
      8.      20
      9.      21
      10.      22
      11.      23
      12.      24
      13.      25
      14.      26
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 STOP/STANDBY 模式
      3. 7.5.3 SHUTDOWN 模式
    6. 7.6  电源时序控制
      1. 7.6.1 电源斜坡
      2. 7.6.2 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  计时特点
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 低频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 I2C
      1. 7.15.1 I2C 特性
      2. 7.15.2 I2C 滤波器
      3. 7.15.3 I2C 时序图
    16. 7.16 SPI
      1. 7.16.1 SPI
      2. 7.16.2 SPI 时序图
    17. 7.17 UART
    18. 7.18 TIMx
    19. 7.19 TRNG 电气特性
    20. 7.20 TRNG 开关特性
    21. 7.21 仿真和调试
      1. 7.21.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  功能方框图
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 安全性
    17. 8.17 TRNG
    18. 8.18 AESADV
    19. 8.19 密钥库
    20. 8.20 CRC-P
    21. 8.21 UART
    22. 8.22 I2C
    23. 8.23 SPI
    24. 8.24 低频子系统 (LFSS)
    25. 8.25 RTC_B
    26. 8.26 IWDT_B
    27. 8.27 WWDT
    28. 8.28 计时器 (TIMx)
    29. 8.29 器件模拟连接
    30. 8.30 输入/输出图
    31. 8.31 串行线调试接口
    32. 8.32 引导加载程序 (BSL)
    33. 8.33 器件出厂常量
    34. 8.34 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RHB|32
  • RGZ|48
  • RGE|24
  • PT|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

MSPM0L111x 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的超低功耗 32 位 MCU 系列，该 MCU 系列基于增强型 Arm®Cortex®-M0+ 内核平台，工作频率最高可达 32MHz。这些成本优化型 MCU 具有高性能模拟外设集成和出色的低功耗电流消耗。这些 MCU 还支持从 -40℃ 到 125℃ 的工作温度范围，并在 1.62V 至 3.6V 的电源电压下运行。

器件具有内置纠错码 (ECC) 且高达 128KB 的嵌入式闪存存储器，以及高达 16KB 的 SRAM。闪存存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。

可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP 保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种 AES 对称密码模式以及 TRNG 熵源提供了硬件加速。网络安全架构正等待 Arm® PSA 1 级认证。

这些 MCU 包含精度高达 ±1.2% 的高速片上振荡器，无需外部晶体。其他特性包括 3 通道 DMA、16 位/32 位 CRC 加速器，以及各种高性能模拟外设，例如一个具有可配置内部电压基准的 12 位 1.68Msps ADC、一个可配置内部电压基准和一个片上温度传感器。这些器件还提供智能数字外设，例如一个 16 位高级控制计时器和两个 16 位通用计时器、一个具有正交使能输入的通用计时器、窗口式和独立看门狗计时器以及各种通信外设，包括一个 I2C、一个 SPI 和两个 UART（其中一个提供对 LIN 协议的支持）。

TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件，可让客户找到满足其工程需求的 MCU。此架构结合了多种低功耗模式，并经过优化，可在便携式测量应用中延长电池寿命。

MSPM0L111x MCU 由广泛的硬件和软件生态系统提供支持，随附参考设计和代码示例，便于您快速开始设计。开发套件包括可供购买的 LaunchPad™ 开发套件和适用于目标插座板的设计文件。TI 还提供免费的 MSP 软件开发套件 (SDK)，该套件在 TI Resource Explorer 中作为 Code Composer Studio™ IDE 桌面版和云版组件提供。MSPM0 MCU 还通过 MSP Academy 提供广泛的在线配套资料、培训，并通过 TI E2E™ 支持论坛提供在线支持。

有关完整的模块说明，请参阅 MSPM0 L 系列 32MHz 微控制器技术参考手册。

警告：

系统级静电放电 (ESD) 保护必须符合器件级 ESD 规范，以防发生电过应力或对数据或代码存储器造成干扰。有关更多信息，请参阅 MSP430™ 系统级 ESD 注意事项；本应用手册中的准则适用于 MSPM0 MCU。

器件信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)

MSPM0L1116SRGER

RGE（VQFN，24）

 4mm x 4mm

MSPM0L1117SRGER

MSPM0L1116SRHBR

RHB（VQFN，32）

5mm x 5mm

MSPM0L1117SRHBR

MSPM0L1116SRGZR

RGZ（VQFN，48）

7mm x 7mm

MSPM0L1117SRGZR

MSPM0L1116SPTR

PT（LQFP，48）

9mm x 9mm

MSPM0L1117SPTR
(1) 有关更多信息，请参阅 机械、封装和可订购信息。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。