ZHCSXB3B November   2024  – October 2025 MSPM0G1518 , MSPM0G1519 , MSPM0G3518 , MSPM0G3519

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
    1. 5.1 器件比较图
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      11
    3. 6.3 信号说明
      1.      13
      2.      14
      3.      15
      4.      16
      5.      17
      6.      18
      7.      19
      8.      20
      9.      21
      10.      22
      11.      23
      12.      24
      13.      25
      14.      26
      15.      27
      16.      28
      17.      29
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序控制
      1. 7.6.1 电源斜坡
      2. 7.6.2 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 比较器 (COMP)
      1. 7.15.1 比较器电气特性
    16. 7.16 DAC
      1. 7.16.1 DAC_电源规格
      2. 7.16.2 DAC 输出规格
      3. 7.16.3 DAC 动态规格
      4. 7.16.4 DAC 线性度规格
      5. 7.16.5 DAC 时序规格
    17. 7.17 I2C
      1. 7.17.1 I2C 特性
      2. 7.17.2 I2C 滤波器
      3. 7.17.3 I2C 时序图
    18. 7.18 SPI
      1. 7.18.1 SPI
      2. 7.18.2 SPI 时序图
    19. 7.19 UART
    20. 7.20 TIMx
    21. 7.21 TRNG
      1. 7.21.1 TRNG 电气特性
      2. 7.21.2 TRNG 开关特性
    22. 7.22 仿真和调试
      1. 7.22.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  功能方框图
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0Gx51x)
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 COMP
    17. 8.17 DAC
    18. 8.18 安全性
    19. 8.19 TRNG
    20. 8.20 AESADV
    21. 8.21 密钥库
    22. 8.22 CRC-P
    23. 8.23 MATHACL
    24. 8.24 UART
    25. 8.25 I2C
    26. 8.26 SPI
    27. 8.27 CAN-FD
    28. 8.28 低频子系统 (LFSS)
    29. 8.29 RTC_B
    30. 8.30 IWDT_B
    31. 8.31 WWDT
    32. 8.32 计时器 (TIMx)
    33. 8.33 器件模拟连接
    34. 8.34 输入/输出图
    35. 8.35 串行线调试接口
    36. 8.36 引导加载程序 (BSL)
    37. 8.37 器件出厂常量
    38. 8.38 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 托盘信息
    2.     封装选项附录

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ZAW|100
  • PM|64
  • RGZ|48
  • RHB|32
  • PN|80
  • PZ|100
  • PT|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11 修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLNovember 1, 2024 to April 30, 2025 (from Revision* (November 2024)to RevisionA (April 2025))

  • 添加了备注，说明该器件旨在通过 PSA-L1 认证Go
  • 为确保准确，更新了低功耗运行时的特性说明，明确待机模式下支持 4 个计时器Go
  • 为确保准确，更新了低功耗运行时的特性说明，明确待机模式下支持 3 个 UART 实例Go
  • 为确保准确，将最高支持 32Mbit/s 的 SPI 实例数量更新为了 1 个Go
  • 阐明了各操作模式下 SRAM Bank0 和 Bank1 的可用情况Go
  • 添加了 100_nFBGA_ZAW 封装的器件变体作为预览版本Go
  • 添加了 42_DSBGA_YCJ 封装的器件变体作为预览版本Go
  • 更新了 100_nFBGA_ZAW 封装的器件变体作为发布版本Go
  • 更新了器件比较表，以表明所有器件型号中都存在 2 个 ADCGo
  • 更新了器件比较表以概述每个器件型号中 UART/I2C/SPI 的数量Go
  • 更新了“器件比较”表以添加 MSPM0G1518SPM（托盘包装）型号Go
  • 更新了“器件比较”表以添加 MSPM0G1518SPM（托盘包装）型号Go
  • 更新了 I_VDD 和 I_VSS 的绝对最大额定值以反映正确的结温并删除了 VDD >= 2.7V 的条件Go
  • 向 I_VDD 和 I_VSS 指南添加了脚注，说明当 VDD 电源电压较低（如 1.62V）时的低电流消耗情况Go
  • 向绝对最大额定值中添加了环境温度额定值Go
  • 在建议运行条件中添加了环境和结温规格Go
  • 根据不同封装类型，对“热性能信息”部分更新了准确的规格参数Go
  • 更新了“电源电流特性”部分，纳入最大值和精确的典型值Go
  • 增加了每 Mhz 休眠电流（在 80MHz 下评估）的电源电流特性参数Go
  • 更改了 POR 和 BOR 规格以反映 POR 和冷启动 BOR 的精确电压阈值Go
  • 更改了闪存存储器特性，支持用户指定闪存的任意 32kB 扇区进行 10 万次擦写操作，而不仅限于低地址的 32kB 扇区Go
  • 根据准确的规格值更新了“时序特性”部分并添加了从 SLEEP0 模式唤醒至运行状态的时间Go
  • 根据准确的值更新了系统振荡器规格Go
  • 删除了“SYSOSC 典型频率精度”图Go
  • 更新了 SYSPLL 启动时间的测试条件以指示 PDIV 和 QDIV 配置Go
  • 更新了数字 IO 电气特性以反映正确的环境温度条件Go
  • 在数字 IO 开关特性中添加了上升/下降时间规格Go
  • 在数字 IO 开关特性中，针对 HDIO DRV=1 条件添加了 f_max 规格Go
  • 更改了 ENOB 和 SNR 的 ADC 电气特性以优化规格参数，并将 f_in 频率列为测试条件Go
  • 将失调电压误差的 ADC 规格从 +/- 2mV 更改为 +/- 3.5mVGo
  • 将增益误差的 ADC 规格从 +/- 3LSB 更改为 +/- 4LSBGo
  • 更新了温度传感器条件以反映正确的 VREF 配置和稳定时间Go
  • 更新了温度传感器系数规格值Go
  • 更改了 VREF 电气特性中 IVREF 和 TCVREF 规格值Go
  • 更改了比较器电气特性中 IcompGo
  • 更新了 SPI 规格以反映修正后的值Go
  • 更新了“不同工作模式下支持的功能”表以确保准确性和优化结构Go
  • 在 DMA 部分中添加了详细的 DMA 特性表Go
  • 更新了“闪存存储器”部分，以指示可以选择任何 32kB 扇区进行高耐久性操作Go
  • 删除了 SRAM 部分中有关如何使用具有 SRAM ECC 保护的 DMA 的文本Go
  • 更新了 SRAM 部分中与写入执行用户操作相关的说明Go
  • 更新了 ADC 说明部分以反映结果存储寄存器的正确数量Go
  • 更新了“温度传感器”部分以反映稳定时间和 VREF 配置的正确测试条件Go
  • 更新了“安全性”部分，以列出该器件中存在的所有安全功能Go
  • 更新了密钥存储区部分，以指示最多支持 4 个密钥Go
  • 更新了 UART 部分以正确列出该器件中存在的 UART 实例Go
  • 更新了 SPI 部分以引用 MCLK 而不是 ULPCLKGo
  • 更新了 LFSS 部分，以指示存在 LFSS_B 和 RTC_B 型号Go
  • 向“计时器”部分添加了交叉触发器映射Go

All Revision History Changes Intro HTMLApril 30, 2025 to October 30, 2025 (from RevisionA (April 2025)to RevisionB (Oct 2025))

  • 更新了 100_nFBGA_ZAW 封装的器件变体作为发布版本Go
  • 更新了“器件比较”表以添加 MSPM0G1518SPM（托盘包装）型号Go
  • 更新了“器件比较”表以添加 MSPM0G1518SPM（托盘包装）型号Go
  • 在托盘格式表中添加了 MSPM0G1518Go
  • 添加了 YCJ 引脚映射Go
  • 添加了 ZAW 封装热特性Go
  • 从 POR 和 BOR 表中删除了带有内部测试条件的压摆率脚注Go
  • 添加了脚注 5 和 6 以阐明测试条件，使用户能够重现测试用例Go
  • 为 SYSPLL 表添加了脚注 3 以提供性能建议Go
  • 添加了 YCJ (WCSP) 和 ZAW (nfBGA) 封装图Go