ZHCSU58 December   2023 MCT8315Z

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 SPI 时序要求
    7. 7.7 SPI 次级器件模式时序
    8. 7.8 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  输出级
      2. 8.3.2  PWM 控制模式（1x PWM 模式）
        1. 8.3.2.1 模拟霍尔输入配置
        2. 8.3.2.2 数字霍尔输入配置
        3. 8.3.2.3 异步调制
        4. 8.3.2.4 同步调制
        5. 8.3.2.5 电机运行
      3. 8.3.3  器件接口模式
        1. 8.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 8.3.3.2 硬件接口
      4. 8.3.4  混合模式降压稳压器
        1. 8.3.4.1 以电感器模式降压
        2. 8.3.4.2 以电阻器模式降压
        3. 8.3.4.3 具有外部 LDO 的降压稳压器
        4. 8.3.4.4 降压稳压器上的 AVDD 电源时序
        5. 8.3.4.5 混合模式降压运行和控制
      5. 8.3.5  AVDD 线性稳压器
      6. 8.3.6  电荷泵
      7. 8.3.7  压摆率控制
      8. 8.3.8  跨导（死区时间）
      9. 8.3.9  传播延迟
        1. 8.3.9.1 驱动器延迟补偿
      10. 8.3.10 引脚图
        1. 8.3.10.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
        2. 8.3.10.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
        3. 8.3.10.3 开漏引脚
        4. 8.3.10.4 推挽引脚
        5. 8.3.10.5 四电平输入引脚
        6. 8.3.10.6 七电平输入引脚
      11. 8.3.11 主动消磁
        1. 8.3.11.1 自动同步整流模式（ASR 模式）
          1. 8.3.11.1.1 自动同步整流（换向模式）
          2. 8.3.11.1.2 自动同步整流（PWM 模式）
        2. 8.3.11.2 自动异步整流模式（AAR 模式）
      12. 8.3.12 逐周期电流限制
        1. 8.3.12.1 具有 100% 占空比输入的逐周期电流限制
      13. 8.3.13 霍尔比较器（模拟霍尔输入）
      14. 8.3.14 超前角
      15. 8.3.15 FGOUT 信号
      16. 8.3.16 保护功能
        1. 8.3.16.1  VM 电源欠压锁定 (NPOR)
        2. 8.3.16.2  AVDD 欠压锁定 (AVDD_UV)
        3. 8.3.16.3  降压欠压锁定 (BUCK_UV)
        4. 8.3.16.4  VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        5. 8.3.16.5  过压保护 (OVP)
        6. 8.3.16.6  过流保护 (OCP)
          1. 8.3.16.6.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.16.6.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
        7. 8.3.16.7  降压过流保护
        8. 8.3.16.8  电机锁定 (MTR_LOCK)
          1. 8.3.16.8.1 MTR_LOCK 锁存关断 (MTR_LOCK_MODE = 00b)
          2. 8.3.16.8.2 MTR_LOCK 自动重试 (MTR_LOCK_MODE = 01b)
          3. 8.3.16.8.3 MTR_LOCK 仅报告 (MTR_LOCK_MODE= 10b)
          4. 8.3.16.8.4 MTR_LOCK 已禁用 (MTR_LOCK_MODE = 11b)
          5. 8.3.16.8.5 75
        9. 8.3.16.9  热警告 (OTW)
        10. 8.3.16.10 热关断 (OTSD)
          1. 8.3.16.10.1 OTSD FET
          2. 8.3.16.10.2 OTSD（非 FET）
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 功能模式
        1. 8.4.1.1 睡眠模式
        2. 8.4.1.2 工作模式
        3. 8.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
      2. 8.4.2 DRVOFF
    5. 8.5 SPI 通信
      1. 8.5.1 编程
        1. 8.5.1.1 SPI 格式
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 状态寄存器
      2. 8.6.2 控制寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 霍尔传感器配置和连接
      1. 9.2.1 典型配置
      2. 9.2.2 开漏配置
      3. 9.2.3 串联配置
      4. 9.2.4 并行配置
    3. 9.3 典型应用
      1. 9.3.1 具有电流限制特性的三相无刷直流电机控制
        1. 9.3.1.1 详细设计过程
          1. 9.3.1.1.1 电机电压
          2. 9.3.1.1.2 使用主动消磁
          3. 9.3.1.1.3 使用延迟补偿
          4. 9.3.1.1.4 使用降压稳压器
          5. 9.3.1.1.5 功率损耗和结温损耗
        2. 9.3.1.2 应用曲线
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 大容量电容
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
    3. 11.3 散热注意事项
      1. 11.3.1 功率损耗
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

TJ = –40°C 至 +150°C，VVM = 4.5V 至 35V（除非另有说明）。典型限值适用于 TA = 25°C、VVM = 24V
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源
IVMQ VM 睡眠模式电流 VVM > 6V，nSLEEP = 0，TA = 25°C 1.5 2.5 µA
nSLEEP = 0 2.5 5 µA
IVMS VM 待机模式电流
（降压稳压器已禁用） 		 nSLEEP = 1，PWM = 0，SPI =“关闭”，BUCK_DIS = 1； 4 10 mA
VVM > 6V，nSLEEP = 1，PWM = 0，SPI =“关闭”，TA = 25°C，BUCK_DIS = 1； 4 5 mA
IVMS VM 待机模式电流
（降压稳压器已启用）		 VVM > 6V，nSLEEP = 1，PWM = 0，SPI =“关闭”，IBK = 0，TA = 25°C，BUCK_DIS = 0;  5 6.5 mA
nSLEEP = 1，PWM= 0，SPI =“关闭”，IBK = 0，BUCK_DIS = 0； 6 10 mA
IVM VM 工作模式电流
（降压稳压器已禁用）		 VVM > 6V，nSLEEP = 1，fPWM = 25kHz，TA = 25°C，BUCK_DIS = 1 10 13 mA
VVM > 6V，nSLEEP = 1，fPWM = 200kHz，TA = 25°C，BUCK_DIS = 1 18 21 mA
 nSLEEP =1，fPWM = 25kHz，BUCK_DIS = 1 11 15 mA
nSLEEP =1，fPWM = 200kHz，BUCK_DIS = 1 17 24 mA
IVM VM 工作模式电流
（降压稳压器已启用）		 VVM > 6V，nSLEEP = 1，fPWM = 25kHz，TA = 25°C，BUCK_DIS = 0；BUCK_PS_DIS = 0 11 13 mA
VVM > 6V，nSLEEP = 1，fPWM = 200kHz，TA = 25°C，BUCK_DIS = 0；BUCK_PS_DIS = 0 19 22 mA
 nSLEEP =1，fPWM = 25kHz，BUCK_DIS = 0；BUCK_PS_DIS = 0 12 16 mA
 nSLEEP =1，fPWM = 200kHz，BUCK_DIS = 0；BUCK_PS_DIS = 0 18 27 mA
VAVDD 模拟稳压器电压 0mA ≤ IAVDD ≤ 30mA 3.1 3.3 3.465 V
IAVDD 外部模拟稳压器负载 30 mA
VVCP 电荷泵稳压器电压 VCP，以 VM 为基准 3.6 4.7 5.2 V
tWAKE 唤醒时间 VVM > VUVLO，nSLEEP = 1 以使输出就绪，且 nFAULT 已释放 1 ms
tSLEEP 睡眠脉冲时间 nSLEEP = 0 进入睡眠模式的周期 120 µs
tRST 复位脉冲时间 nSLEEP = 0 复位故障的周期 20 40 µs
降压稳压器
VBK 降压稳压器平均电压
（LBK = 47µH，CBK = 22µF）
（SPI 器件）		 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 200mA，BUCK_SEL = 00b 3.1 3.3 3.5 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 200mA，BUCK_SEL = 01b 4.6 5.0 5.4 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 200mA，BUCK_SEL = 10b 3.7 4.0 4.3 V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 200mA，BUCK_SEL = 11b 5.2 5.7 5.8 V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 200mA VVM–IBK*(RLBK+2)(1) V
VBK 降压稳压器平均电压
（LBK = 22µH，CBK = 22µF）
（SPI 器件）		 VVM  > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 50mA，BUCK_SEL = 00b 3.1 3.3 3.5 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 50mA，BUCK_SEL = 01b 4.6 5.0 5.4 V
VVM  > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 50mA，BUCK_SEL = 10b 3.7 4.0 4.3 V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 50mA，BUCK_SEL = 11b 5.2 5.7 5.8 V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 50mA VVM–IBK*(RLBK+2)(1) V
VBK 降压稳压器平均电压
（RBK = 22Ω，CBK = 22µF（
（SPI 器件）		 VVM  > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 40mA，BUCK_SEL = 00b 3.1 3.3 3.5 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 40mA，BUCK_SEL = 01b 4.6 5.0 5.4 V
VVM  > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 40mA，BUCK_SEL = 10b 3.7 4.0 4.3 V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 40mA，BUCK_SEL = 11b 5.2 5.7 5.8 V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 40mA VVM–IBK*(RBK+2)(1) V
VBK 降压稳压器平均电压
（LBK = 47µH，CBK = 22µF）
（硬件器件）		 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 200mA 4.6 5.0 5.4
VVM < 6.0V，0mA ≤ IBK ≤ 200mA VVM–IBK*(RLBK+2)(1) V
VBK 降压稳压器平均电压
（LBK = 22µH，CBK = 22µF）
（硬件器件）		 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 50mA 4.6 5.0 5.4 V
VVM < 6.0V，0mA ≤ IBK ≤ 50mA VVM–IBK*(RLBK+2)(1) V
VBK 降压稳压器平均电压
（RBK = 22Ω，CBK = 22µF（
（硬件器件）		 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 40mA 4.6 5.0 5.4 V
VVM < 6.0V，0mA ≤ IBK ≤ 40mA VVM–IBK*(RBK+2)(1) V
VBK_RIP 降压稳压器纹波电压 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 200mA，带电感器的降压稳压器，LBK = 47uH，CBK = 22µF –100 100 mV
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 50mA，带电感器的降压稳压器，LBK = 22uH，CBK = 22µF –100 100 mV
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 50mA，带电阻器的降压稳压器；RBK = 22Ω，CBK = 22µF –100 100 mV
IBK 外部降压稳压器负载 LBK = 47uH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b 200 mA
LBK = 47uH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b 200 – IAVDD mA
LBK = 22uH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b 50 mA
LBK = 22uH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b 50 – IAVDD mA
RBK = 22Ω，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b 40 mA
RBK = 22Ω，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b 40 – IAVDD mA
fSW_BK 降压稳压器开关频率  调节模式 20 535 kHz
线性模式 20 535 kHz
VBK_UV 降压稳压器欠压锁定
（SPI 器件）		 VBK 上升，BUCK_SEL = 00b 2.7 2.8 2.9 V
VBK 下降，BUCK_SEL = 00b 2.5 2.6 2.7 V
VBK 上升，BUCK_SEL = 01b 4.2 4.4 4.55 V
VBK 下降，BUCK_SEL = 01b 4.0 4.2 4.35 V
VBK 上升，BUCK_SEL = 10b 2.7 2.8 2.9 V
VBK 下降，BUCK_SEL = 10b 2.5 2.6 2.7 V
VBK 上升，BUCK_SEL = 11b 4.2 4.4 4.55 V
VBK 下降，BUCK_SEL = 11b 4 4.2 4.35 V
VBK_UV 降压稳压器欠压锁定
（硬件器件）		 VBK 上升 4.2 4.4 4.55 V
VBK_UV 降压稳压器欠压锁定
（硬件器件）		 VBK 下降 4.0 4.2 4.35 V
VBK_UV_HYS 降压稳压器欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 90 200 320 mV
IBK_CL 降压稳压器电流限制阈值
（SPI 器件）		 BUCK_CL = 0b 360 600 900 mA
BUCK_CL = 1b 80 150 250 mA
IBK_CL 降压稳压器电流限制阈值
（硬件器件）		 360 600 900 mA
IBK_OCP 降压稳压器过流保护跳变点 1.6 2.1 3 A
tBK_RETRY 过流保护重试时间 0.7 1 1.3 ms
逻辑电平输入（BRAKE、DIR、DRVOFF、nSLEEP、PWM、SCLK、SDI）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.6 V
VIH 输入逻辑高电平电压 其他引脚 1.5 5.5 V
nSLEEP 1.6 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 其他引脚 180 300 420 mV
nSLEEP 95 250 420 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VPIN（引脚电压）= 0V -1.6 1 µA
IIH 输入逻辑高电流 nSLEEP，VPIN（引脚电压）= 5V 10 30 µA
其他引脚，VPIN（引脚电压）= 5V 30 75 µA
RPD 输入下拉电阻 nSLEEP 150 200 425 kΩ
其他引脚 70 100 130 kΩ，
CID 输入电容值 30 pF
逻辑电平输入 (nSCS)
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.6 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.5 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 180 300 420 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VPIN（引脚电压）= 0V 75 µA
IIH 输入逻辑高电流 VPIN（引脚电压）= 5V -1 66 µA
RPU 输入上拉电阻 80 100 130 kΩ，
CID 输入电容值 30 pF
四电平输入 (SLEW)
VL1 输入模式 1 电压 连接至 AGND 0 0.2*AVDD V
VL2 输入模式 2 电压 高阻态 0.27*AVDD 0.5*AVDD 0.52*AVDD V
VL3 输入模式 3 电压 47kΩ +/- 5% 连接至 AVDD 0.62*AVDD 0.75*AVDD 0.88*AVDD V
VL4 输入模式 4 电压 连接至 AVDD 0.97*AVDD AVDD V
RPU 输入上拉电阻 至 AVDD 70 100 130 kΩ
RPD 输入下拉电阻 至 AGND 70 100 130 kΩ，
七电平输入（ADVANCE、MODE）
VL1 输入模式 1 电压 连接至 AGND 0 0.06*AVDD V
VL2 输入模式 2 电压 22kΩ ± 5% 至 AGND 0.13*AVDD 0.15*AVDD 0.2*AVDD V
VL3 输入模式 3 电压 100kΩ ± 5% 至 AGND 0.27*AVDD 0.33*AVDD 0.38*AVDD V
VL4 输入模式 4 电压 高阻态 0.47*AVDD 0.5*AVDD 0.52*AVDD V
VL5 输入模式 5 电压 100kΩ ± 5% 至 AVDD 0.62*AVDD 0.66*AVDD 0.7*AVDD V
VL6 输入模式 6 电压 22kΩ ± 5% 至 AVDD 0.8*AVDD 0.84*AVDD 0.88*AVDD V
VL7 输入模式 7 电压 连接至 AVDD 0.97*AVDD AVDD V
RPU 输入上拉电阻 至 AVDD 80 100 120 kΩ
RPD 输入下拉电阻 至 AGND 80 100 120 kΩ
开漏输出（FGOUT、nFAULT）
VOL 输出逻辑低电压 IOD = 5mA 0.4 V
IOH 输出逻辑高电流 VOD = 5V -1 1 µA
COD 输出电容 30 pF
推挽式输出 (SDO)
VOL 输出逻辑低电压 IOP = 5mA 0 0.4 V
VOH 输出逻辑高电压 IOP = 5mA 2.2 5.5 V
IOL 输出逻辑低电平漏电流 VOP = 0V -1 1 µA
IOH 输出逻辑高电平漏电流 VOP = 5V -1 1 µA
COD 输出电容 30 pF
驱动器输出
RDS(ON) MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧） VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 275 295 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 285 305 mΩ
VVM > 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C 415 455 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C 425 465 mΩ
SR 相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%）
 		 VVM = 24V，SLEW = 00b 或 SLEW 引脚连接至 AGND 15 25 45 V/us
VVM = 24V，SLEW = 01b 或 SLEW 引脚处于高阻态 30 50 80 V/us
VVM = 24V，SLEW = 10b 或 SLEW 引脚连接至 47kΩ +/- 5% 至 AVDD 80 125 210 V/us
VVM = 24V，SLEW = 11b 或 SLEW 引脚连接至 AVDD 130 200 315 V/us
SR 相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%）
 		 VVM = 24V，SLEW = 00b 或 SLEW 引脚连接至 AGND 15 25 50 V/us
VVM = 24V，SLEW = 01b 或 SLEW 引脚处于高阻态 30 50 95 V/us
VVM = 24V，SLEW = 10b 或 SLEW 引脚连接至 47kΩ +/- 5% 至 AVDD 80 125 235 V/us
VVM = 24V，SLEW = 11b 或 SLEW 引脚连接至 AVDD 130 200 345 V/us
ILEAK OUTx 上的漏电流 VOUTx = VVM，nSLEEP = 1 5 mA
OUTx 上的漏电流  VOUTx = 0V，nSLEEP = 1 1 µA
tDEAD 输出死区时间 VVM = 24V，SR = 25V/µs，HS 驱动器开启到 LS 驱动器关闭 1800 3400 ns
VVM = 24V，SR = 50V/µs，HS 驱动器开启到 LS 驱动器关闭 1100 1550 ns
VVM = 24V，SR = 125V/µs，HS 驱动器开启到 LS 驱动器关闭 650 1000 ns
VVM = 24V，SR = 200V/µs，HS 驱动器开启到 LS 驱动器关闭 500 750 ns
tPD 传播延迟 VVM = 24V，PWM = 1 到 OUTx 转换，SR = 25V/μs 2000 4550 ns
VVM = 24V，PWM = 1 到 OUTx 转换，SR = 50V/μs 1200 2150 ns
VVM = 24V，PWM = 1 到 OUTx 转换，SR = 125V/μs 800 1350 ns
VVM = 24V，PWM = 1 到 OUTx 转换，SR = 200V/μs 650 1050 ns
tMIN_PULSE 最小输出脉冲宽度
SR = 200V/µs

 600 ns
霍尔比较器
VICM 输入共模电压（霍尔） 0.5 AVDD – 1.2 V
VHYS 电压迟滞（SPI 器件） HALL_HYS = 0 1.5 5 8 mV
HALL_HYS = 1 35 50 80 mV
电压迟滞（硬件器件） 1.5 5 8 mV
ΔVHYS 霍尔比较器迟滞差值 在霍尔 A、霍尔 B 和霍尔 C 比较器之间 –8 8 mV
VH(MIN) 最小霍尔差分电压 40 mV
II 输入漏电流 HPX = HNX = 0V -1 1 μA
tHDG 霍尔抗尖峰脉冲时间 0.6 1.15 1.7 μs
tE_HDG 霍尔使能抗尖峰脉冲时间 上电期间 1.4 μs
逐周期电流限制
VILIM 逐周期电流限制条件下 ILIM 引脚上的电压 AVDD/2 AVDD/2–0.32 V
ILIMIT 与 ILIM 引脚电压范围对应的电流限制 电流限制已禁用 4 A
ILIM_AC 电流限制准确度(2) ILIMIT ≥ 1A -14 14 %
tBLANK 逐周期电流限制消隐时间 5 µs
超前角
θADV 超前角设置
（SPI 器件）		 ADVANCE_LVL = 000 b 0 1 °
ADVANCE_LVL = 001 b 3 4 5 °
ADVANCE_LVL = 010 b 6 7 8
°
ADVANCE_LVL = 011 b 10 11 12
°
ADVANCE_LVL = 100 b 13.5 15 16.5
°
ADVANCE_LVL = 101 b 18 20 22
°
ADVANCE_LVL = 110 b 22.5 25 27.5
°
ADVANCE_LVL = 111 b 27 30 33
°
θADV 超前角设置
（硬件器件）		 超前引脚连接至 AGND 0 1
°
超前引脚连接至 22kΩ ± 5% 至 AGND 3 4 5
°
超前引脚连接至 100kΩ ± 5% 至 AGND 10 11 12
°
超前引脚处于高阻态 13.5 15 16.5
°
超前引脚连接至 100kΩ ± 5% 至 AVDD 18 20 22
°
超前引脚连接至 22kΩ ± 5% 至 AVDD 22.5 25 27.5
°
超前引脚连接至 AVDD 27 30 33
°
保护电路
VUVLO 电源欠压锁定 (UVLO) VM 上升 4.3 4.4 4.5 V
VM 下降 4.1 4.2 4.3 V
VUVLO_HYS 电源欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 140 200 350 mV
tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 3 5 7 µs
VOVP 电源过压保护 (OVP)
（SPI 器件）		 电源电压上升，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 0 32.5 34 35 V
电源电压下降，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 0 31.8 33 34.3 V
电源电压上升，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 1 20 22 23 V
电源电压下降，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 1 19 21 22 V
VOVP_HYS 电源过压保护 (OVP)
（SPI 器件）		 上升至下降阈值，OVP_SEL = 1 0.9 1 1.1 V
上升至下降阈值，OVP_SEL = 0 0.7 0.8 0.9 V
tOVP 电源过压抗尖峰脉冲时间 2.5 5 7 µs
VCPUV 电荷泵欠压锁定（高于 VM） 电源上升 2.3 2.5 2.7 V
电源下降 2.2 2.4 2.6 V
VCPUV_HYS 电荷泵 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 75 100 140 mV
VAVDD_UV 模拟稳压器欠压锁定 电源上升 2.7 2.85 3 V
电源下降 2.4 2.65 2.8 V
VAVDD_UV_HYS 模拟稳压器欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 180 200 240 mV
IOCP 过流保护跳变点（SPI 器件） OCP_LVL = 0b 5.5 9 12 A
OCP_LVL = 1b 9 13 18 A
过流保护跳变点（硬件器件） 5.5 9 12 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间
（SPI 器件）		 OCP_DEG = 00b 0.02 0.2 0.4 µs
OCP_DEG = 01b 0.2 0.6 1.2 µs
OCP_DEG = 10b 0.5 1.2 1.8 µs
OCP_DEG = 11b 0.9 1.6 2.5 µs
过流保护抗尖峰脉冲时间
（硬件器件）		 0.2 0.6 1.2 µs
tRETRY 过流保护重试时间
（SPI 器件）		 OCP_RETRY = 0 4 5 6 ms
OCP_RETRY = 1 425 500 575 ms
tMTR_LOCK 电机锁定检测时间
（SPI 器件）		 MOTOR_LOCK_TDET = 00b 270 300 330 ms
MOTOR_LOCK_TDET = 01b 450 500 550 ms
MOTOR_LOCK_TDET = 10b 900 1000 1100 ms
MOTOR_LOCK_TDET = 11b 4500 5000 5500 ms
tMTR_LOCK 电机锁定检测时间
（硬件器件）		 900 1000 1100 ms
tMTR_LOCK_RETRY 电机锁定重试时间
（SPI 器件）		 MOTOR_LOCK_RETRY = 0b 450 500 550 ms
MOTOR_LOCK_RETRY = 1b 4500 5000 5500 ms
tMTR_LOCK_RETRY 电机锁定重试时间
（硬件器件）		 450 500 550 ms
TOTW 热警告温度 内核温度 (TJ) 135 145 155 °C
TOTW_HYS 热警告迟滞 内核温度 (TJ) 15 20 30 ℃
TTSD 热关断温度（降压） 内核温度 (TJ) 170 180 190 °C
TTSD_HYS 热关断迟滞（降压） 内核温度 (TJ) 15 20 30 ℃
TTSD_FET 热关断温度 (FET) 内核温度 (TJ) 165 175 185 °C
TTSD_FET_HYS 热关断滞后 (FET) 内核温度 (TJ) 15 20 30 ℃
(1) RLBK 为电感器 LBK 的阻值
(2) 电流限制精度取决于消隐时间、电机参数和 VM