ZHCSU58 December   2023 MCT8315Z

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 SPI 时序要求
    7. 7.7 SPI 次级器件模式时序
    8. 7.8 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  输出级
      2. 8.3.2  PWM 控制模式（1x PWM 模式）
        1. 8.3.2.1 模拟霍尔输入配置
        2. 8.3.2.2 数字霍尔输入配置
        3. 8.3.2.3 异步调制
        4. 8.3.2.4 同步调制
        5. 8.3.2.5 电机运行
      3. 8.3.3  器件接口模式
        1. 8.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 8.3.3.2 硬件接口
      4. 8.3.4  混合模式降压稳压器
        1. 8.3.4.1 以电感器模式降压
        2. 8.3.4.2 以电阻器模式降压
        3. 8.3.4.3 具有外部 LDO 的降压稳压器
        4. 8.3.4.4 降压稳压器上的 AVDD 电源时序
        5. 8.3.4.5 混合模式降压运行和控制
      5. 8.3.5  AVDD 线性稳压器
      6. 8.3.6  电荷泵
      7. 8.3.7  压摆率控制
      8. 8.3.8  跨导（死区时间）
      9. 8.3.9  传播延迟
        1. 8.3.9.1 驱动器延迟补偿
      10. 8.3.10 引脚图
        1. 8.3.10.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
        2. 8.3.10.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
        3. 8.3.10.3 开漏引脚
        4. 8.3.10.4 推挽引脚
        5. 8.3.10.5 四电平输入引脚
        6. 8.3.10.6 七电平输入引脚
      11. 8.3.11 主动消磁
        1. 8.3.11.1 自动同步整流模式（ASR 模式）
          1. 8.3.11.1.1 自动同步整流（换向模式）
          2. 8.3.11.1.2 自动同步整流（PWM 模式）
        2. 8.3.11.2 自动异步整流模式（AAR 模式）
      12. 8.3.12 逐周期电流限制
        1. 8.3.12.1 具有 100% 占空比输入的逐周期电流限制
      13. 8.3.13 霍尔比较器（模拟霍尔输入）
      14. 8.3.14 超前角
      15. 8.3.15 FGOUT 信号
      16. 8.3.16 保护功能
        1. 8.3.16.1  VM 电源欠压锁定 (NPOR)
        2. 8.3.16.2  AVDD 欠压锁定 (AVDD_UV)
        3. 8.3.16.3  降压欠压锁定 (BUCK_UV)
        4. 8.3.16.4  VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        5. 8.3.16.5  过压保护 (OVP)
        6. 8.3.16.6  过流保护 (OCP)
          1. 8.3.16.6.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.16.6.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
        7. 8.3.16.7  降压过流保护
        8. 8.3.16.8  电机锁定 (MTR_LOCK)
          1. 8.3.16.8.1 MTR_LOCK 锁存关断 (MTR_LOCK_MODE = 00b)
          2. 8.3.16.8.2 MTR_LOCK 自动重试 (MTR_LOCK_MODE = 01b)
          3. 8.3.16.8.3 MTR_LOCK 仅报告 (MTR_LOCK_MODE= 10b)
          4. 8.3.16.8.4 MTR_LOCK 已禁用 (MTR_LOCK_MODE = 11b)
          5. 8.3.16.8.5 75
        9. 8.3.16.9  热警告 (OTW)
        10. 8.3.16.10 热关断 (OTSD)
          1. 8.3.16.10.1 OTSD FET
          2. 8.3.16.10.2 OTSD（非 FET）
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 功能模式
        1. 8.4.1.1 睡眠模式
        2. 8.4.1.2 工作模式
        3. 8.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
      2. 8.4.2 DRVOFF
    5. 8.5 SPI 通信
      1. 8.5.1 编程
        1. 8.5.1.1 SPI 格式
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 状态寄存器
      2. 8.6.2 控制寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 霍尔传感器配置和连接
      1. 9.2.1 典型配置
      2. 9.2.2 开漏配置
      3. 9.2.3 串联配置
      4. 9.2.4 并行配置
    3. 9.3 典型应用
      1. 9.3.1 具有电流限制特性的三相无刷直流电机控制
        1. 9.3.1.1 详细设计过程
          1. 9.3.1.1.1 电机电压
          2. 9.3.1.1.2 使用主动消磁
          3. 9.3.1.1.3 使用延迟补偿
          4. 9.3.1.1.4 使用降压稳压器
          5. 9.3.1.1.5 功率损耗和结温损耗
        2. 9.3.1.2 应用曲线
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 大容量电容
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
    3. 11.3 散热注意事项
      1. 11.3.1 功率损耗
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11.1 布局指南

放置大容量电容器时应尽量缩短通过电机驱动器器件的大电流路径的距离。连接金属布线宽度应尽可能宽，并且在连接 PCB 层时应使用许多过孔。这些做法最大限度地减少了电感并允许大容量电容器提供大电流。

电荷泵、AVDD 和 VREF 电容器等低容值电容器应为陶瓷电容器，并应靠近器件引脚放置。

大电流器件输出应使用宽金属布线。

为减少大瞬态电流进入小电流信号路径的噪声耦合和 EMI 干扰，应在 PGND 和 AGND 之间分区接地。TI 建议将所有非功率级电路（包括散热焊盘）连接到 AGND，以降低寄生效应并改善器件的功率耗散。（可选）可以拆分 GND_BK。确保接地端通过网络连接或宽电阻器连接，减小电压偏移并保持栅极驱动器性能。

器件散热焊盘应焊接到 PCB 顶层地平面。应使用多个过孔连接到较大的底层接地平面。使用大金属平面和多个过孔有助于散发器件中产生的功率损耗。

为了提高热性能，请在 PCB 的所有可能层上尽可能地增大连接到散热焊盘接地端的接地面积。使用较厚的覆铜可以降低结至空气热阻并改善芯片表面的散热。

通过接地隔离将 SW_BK 和 FB_BK 迹线分开，以减少降压开关作为噪声耦合到降压外部反馈环路中的情况。尽可能加宽 FB_BK 迹线，以实现更快的负载开关。

图 11-1显示了 MCT8315Z 的布局示例。