ZHCSKB5B October 2019 – November 2025 LMR36510
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源电压（VIN 引脚） | ||||||
| IQ-nonSW | 工作静态电流（非开关）(2) | VEN = 3.3V（仅限 PFM 型号） | 26 | 36 | µA | |
| ISD | 关断静态电流；在 VIN 引脚处测得 | VEN = 0V | 5.3 | µA | ||
| 使能（EN 引脚） | ||||||
| VEN-VCC-H | VCC 输出的使能输入高电平 | VENABLE 上升 | 1.14 | V | ||
| VEN-VCC-L | VCC 输出的使能输入低电平 | VENABLE 下降 | 0.3 | V | ||
| VEN-VOUT-H | VOUT 的使能输入高电平 | VENABLE 上升 | 1.157 | 1.231 | 1.3 | V |
| VEN-VOUT-HYS | VOUT 的使能输入迟滞 | 迟滞低于 VENABLE-H；下降 | 110 | mV | ||
| ILKG-EN | 使能输入漏电流 | VEN = 3.3V | 2.7 | nA | ||
| 内部 LDO（VCC 引脚） | ||||||
| VCC | 内部 VCC 电压 | 6 V ≤ VIN ≤ 65 V | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
| VCC-UVLO-Rising | 内部 VCC 欠压锁定 | VCC 上升 | 3.6 | 3.8 | 4.0 | V |
| VCC-UVLO-Falling | 内部 VCC 欠压锁定 | VCC 下降 | 3.1 | 3.3 | 3.5 | V |
| 电压基准（FB 引脚） | ||||||
| VFB | 反馈电压 | 0.985 | 1 | 1.015 | V | |
| ILKG-FB | 反馈漏电流 | FB = 1V | 2.1 | nA | ||
| 电流限值和断续 | ||||||
| ISC | 高侧电流限值(3) | 1.6 | 2 | 2.4 | A | |
| ILS-LIMIT | 低侧电流限值(3) | 1 | 1.3 | 1.6 | A | |
| IL-ZC | 过零检测器阈值 | 仅限 PFM 型号 | 0.04 | A | ||
| IPEAK-MIN | 最小电感器峰值电流(3) | 0.28 | A | |||
| 电源正常（PGOOD 引脚） | ||||||
| VPG-HIGH-UP | 电源正常上限阈值 - 上升 | FB 电压 % | 105% | 107% | 110% | |
| VPG-LOW-DN | 电源正常下限阈值 - 下降 | FB 电压 % | 90% | 93% | 95% | |
| VPG-HYS | 电源正常状态迟滞（上升和下降） | FB 电压 % | 1.5% | |||
| VPG-VALID | 适当的电源正常功能的最小输入电压 | 2 | V | |||
| RPG | 电源正常导通电阻 | VEN = 2.5V | 80 | 165 | Ω | |
| RPG | 电源正常导通电阻 | VEN = 0V | 35 | 90 | Ω | |
| MOSFET | ||||||
| RDS-ON-HS | 高侧 MOSFET 导通电阻 | IOUT = 0.5A | 245 | 465 | mΩ | |
| RDS-ON-LS | 低侧 MOSFET 导通电阻 | IOUT = 0.5A | 165 | 310 | mΩ | |