ZHCSS71 November   2023 LMG3616

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2 导通压摆率控制
      3. 7.3.3 输入控制引脚(IN)
      4. 7.3.4 AUX 电源引脚
        1. 7.3.4.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.4.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      5. 7.3.5 过热保护
      6. 7.3.6 故障报告
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 导通压摆率设计
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

GaN 功率 FET 开关参数

图 6-1 显示了用于测量 GaN 功率 FET 开关参数的电路。该电路用作双脉冲测试仪。有关双脉冲测试仪的详细信息,请参阅外部基准。电路在升压配置下运行,低侧 LMG3616 为被测器件 (DUT)。高侧 LMG3616 充当双脉冲测试仪二极管,并在关断状态第三象限导通模式下实现电感器电流循环。


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图 6-1 GaN 功率 FET 开关参数测试电路

图 6-2 显示了 GaN 功率 FET 开关参数。

GaN 功率 FET 导通转换有三个时序分量:漏极电流导通延迟时间、导通延迟时间和导通上升时间。请注意,导通上升时间与 VDS 80% 至 20% 下降时间相同。所有三个导通时序分量都是 RDRV 引脚设置的函数。

GaN 功率 FET 关断转换具有两个时序分量:关断延迟时间和关断下降时间。请注意,关断下降时间与 VDS 20% 至 80% 上升时间相同。关断时序分量与 RDRV 引脚设置无关,但在很大程度上取决于 LHB 电流。

与导通上升时间电压差 (240V) 相比,导通压摆率是在较小的电压差 (100V) 下测量的,以获得更快的压摆率,这对 EMI 设计很有用。RDRV 引脚用于设定压摆率。


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图 6-2 GaN 功率 FET 开关参数