ZHDS285 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHDS285A June 2026 – September 2026 LM851772-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RHA|40
- MPQF135D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RHA|40
- QFND657

订购信息

10.2.2.12 MOSFET QH2 和 QL2

输出侧 MOSFET QH2 (Q4) 和 QL2 (Q3) 会看到 48V 的输出电压以及开关期间 SW2 上出现的额外瞬态尖峰。因此，QH2 和 QL2 的额定电压必须为 58V 或更高。MOSFET 的栅极平坦电压需要小于转换器的最小输入电压，否则，MOSFET 在启动或过载状况下不会始终完全增强。

以下公式计算降压运行模式下 QH2 中的功率损耗：

方程式 48.

P_{COND (QH 2)} = {I_{OUT}}^{2} \times R_{DS, On (QH 2)}

升压运行模式下 QL2 中的功率损耗由以下公式分别给出的导通损耗和开关损耗分量组成：

方程式 49.

P_{COND (QL 2)} = (1 - \frac{V_{IN}}{V_{OUT}}) \times {(I_{OUT} \times \frac{V_{OUT}}{V_{IN}})}^{2} \times R_{DS, On (QL 2)}

和

方程式 50.

P_{SW (QL 2)} = \frac{1}{2} \times V_{OUT} \times (I_{OUT} \times \frac{V_{OUT}}{V_{IN}}) \times (t_{r} + t_{f}) \times f_{SW}

上升 (t_r) 和下降 (t_f) 时间可根据 MOSFET 数据表获取，或通过实验室实测获得。通常，R_DSON 较小（导通损耗较小）的 MOSFET 具有较长的上升和下降时间（开关损耗较大）。

以下公式给出升压运行模式下 QH2 中的功率损耗。

方程式 51.

P_{C O N D (Q H 2)} = \frac{V_{I N}}{V_{O U T}} \times {(I_{O U T} \times \frac{V_{O U T}}{V_{I N}})}^{2} \times R_{D S, O n (Q H 2)}