ZHCSNK0 december   2022 LM7480

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议的操作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 电荷泵
      2. 9.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 9.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 9.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 9.3.3 过压保护和电池电压检测（VSNS、SW、OV）
      4. 9.3.4 低 Iq 关断和欠压锁定 (EN/UVLO)
    4. 9.4 器件功能模式
    5. 9.5 应用示例
      1. 9.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing
      2. 9.5.2 具有未抑制负载突降保护功能的理想二极管
  11. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 10.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 10.2.2 汽车反向电池保护
      3. 10.2.3 详细设计过程
        1. 10.2.3.1 设计注意事项
        2. 10.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 10.2.3.3 输入和输出电容
        4. 10.2.3.4 保持电容
        5. 10.2.3.5 过压保护和电池监测器
      4. 10.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 10.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 10.2.6 TVS 选择
      7. 10.2.7 应用曲线
    3. 10.3 200V 未抑制负载突降保护应用
      1. 10.3.1 200V 未抑制负载突降保护的设计要求
      2. 10.3.2 设计流程
        1. 10.3.2.1 升压转换器元件（C2、C3、L1）
        2. 10.3.2.2 输入和输出电容
        3. 10.3.2.3 VS 电容、电阻和齐纳钳位
        4. 10.3.2.4 过压保护和输出钳位
        5. 10.3.2.5 MOSFET Q1 选择
        6. 10.3.2.6 输入 TVS 选择
        7. 10.3.2.7 MOSFET Q2 选择
      3. 10.3.3 应用曲线
    4. 10.4 注意事项
    5. 10.5 电源相关建议
      1. 10.5.1 瞬态保护
      2. 10.5.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 10.5.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    6. 10.6 布局
      1. 10.6.1 布局指南
      2. 10.6.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

LM7480 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480 有两种型号：LM74800 和 LM74801。LM74800 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 ORing 设计。LM7480 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中的 200V 未抑制负载突降）的影响。

封装信息
器件型号封装(1)封装尺寸（标称值）
LM74800WSON (12)3.00mm × 3.00mm
LM74801
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
GUID-20221206-SS0I-G6VC-D2QN-DKVRCP8KZNHM-low.svg具有开关输出的理想二极管
GUID-20221206-SS0I-VMXS-D3BV-LLLJ77RZ8VG9-low.svg具有 200V 负载突降保护功能的理想二极管