ZHCSOW5B September   2021  – July 2022 LM74721-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Reverse Battery Protection (A, C, GATE)
        1. 8.3.1.1 Input TVS Less Operation: VDS Clamp
      2. 8.3.2 Load Disconnect Switch Control (PD)
      3. 8.3.3 Overvoltage Protection and Battery Voltage Sensing (VSNS, SW, OV)
      4. 8.3.4 Boost Regulator
    4. 8.4 Shutdown Mode
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical 12-V Reverse Battery Protection Application
      1. 9.2.1 Design Requirements for 12-V Battery Protection
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Boost Converter Components (C2, C3, L1)
        2. 9.2.2.2 Input and Output Capacitance
        3. 9.2.2.3 Hold-Up Capacitance
        4. 9.2.2.4 MOSFET Selection: Q1
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 What to Do and What Not to Do
  10. 10Power Supply Recommendations
    1. 10.1 Transient Protection
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 Trademarks
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 术语表
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DRR|12
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –33V（直流）负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。集成的 VDS 钳位功能可实现输入无 TVS 的系统设计，从而在汽车应用中实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3μA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。

器件信息
器件型号封装(1)封装尺寸（标称值）
LM74721-Q1WSON (12)3.00mm × 3.00mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
GUID-20210428-CA0I-WBBD-ZNS5-67B4GLF3NQDR-low.gif适用于 12V 电池供电汽车类应用的低 IQ、无 TVS 理想二极管
GUID-20210906-SS0I-4TRV-RL1D-3N2D1LBPHGSM-low.gif无 TVS 条件下的 ISO7637-2 脉冲 1 性能