10 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (September 2015)to RevisionF (March 2022)
- 根据新裸片规格更新了特性 部分Go
- 根据新裸片规格更新了说明 部分Go
- 根据新裸片规格更新了绝对最大额定值 部分Go
- 将供电电压最小值从 2.5V 更新为 2.7VGo
- 将结至环境热阻分别从 165°C/W、325°C/W 和 235°C/W 更新为 133.5°C/W、185.4°C/W 和 169.6°C/WGo
- 已将输入失调电压典型值从 ±0.7mV 更新为 ±0.35mVGo
- 将输入偏移电压漂移典型值从 ±2μV/°C 更新为 ±2.5μV/°CGo
- 将输入偏置电流典型值从 −1.2μA 更新为 0.4μA，从 0.45μA 更新为 0.4μAGo
- 将输入偏移电流从 20nA 更新为 7nAGo
- 将 RL= 2kΩ VID= 100mV 时的输出电压摆幅高位典型值从 100mV 更新为 50mVGo
- 将 VID=−100mV 时的输出电压摆幅低位典型值从 20mV 更新为 50mVGo
- 将 RL= 2kΩ VID=−100mV 时的输出电压摆幅低位典型值从 40mV 更新为 50mVGo
- 将电源电流典型值从 0.95mA 更新为 1.35mA，将 TA=–40°C 至 +125°C 的最大值从 1.9mA 更新为 2.23mA，将最大值从 1.3mA 更新为 1.93mAGo
- 将转换率从 8.5V/μs 更新为了 35V/μsGo
- 将单位增益频率从 7.5MHz 更新为 11MHzGo
- 将单位增益带宽从 16MHz 更新为 24MHzGo
- 将总计谐波失真 + 噪声从 −77dB 更新为 −113dBGo
- 将 CMRR 测试条件、典型值和最小值从 70dB 更新为 109dBGo
- 将 CMVR 参数从 20mV 更新为 50mVGo
- 添加了 VCM 参数Go
- 将 AVOL 测试条件和典型值从 65dB 更新为 75dBGo
- 将 AVOL 测试条件和典型值从 62dB 更新为 70dBGo
- 将 AVOL 测试条件和典型值从 59dB 更新为 65dBGo
- 将 AVOL 测试条件和典型值从 55dB 更新为 62dBGo
- 将 IOUT 测试条件和最小值从 30mA 更新为 ±40mAGo
- 将 IOUT 测试条件和最小值从 20mA 更新为 ±35mAGo
- 将 IOUT 测试条件和最小值从 40mA 更新为 ±20mAGo
- 将 IOUT 测试条件和最小值从 30mA 更新为 ±20mAGo
- 将 IOUT 测试条件和典型值从 48mA 更新为 ±85mAGo
- 将 IOUT 测试条件和典型值从 65mA 更新为 ±60mAGo
- 删除了±5-V 电气特性 部分Go
- 删除了±15-V 电气特性 部分Go
- 根据新裸片规格更新了典型特性 部分Go
- 移除了估算输出电压摆幅 部分Go
- 更新了“输出短路电流与消耗问题”Go
- 添加了电过应力 部分Go
- 添加了新旧裸片比较 一节Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (March 2013)to RevisionE (September 2015)
- 添加了引脚配置和功能 部分、ESD 等级 表、特性说明 部分、器件功能模式、应用和实现 部分、电源相关建议 部分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (May 2008)to RevisionD (March 2013)
- 将美国国家半导体 (National Semiconductor) 数据表的布局更改为 TI 格式Go