ZHCSI76F May   2008  – July 2026 LM7321 , LM7322

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出短路电流与消耗问题
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 驱动容性负载
      2. 6.4.2 电过应力
      3. 6.4.3 新旧芯片比较
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 典型应用
    2. 7.2 布局
      1. 7.2.1 布局指南
      2. 7.2.2 布局示例
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.1 输出短路电流与消耗问题

LM732xx 输出级旨在提供最大输出电流能力。尽管在所有工作电压下都能容忍输出对地或对任一电源的瞬时短路，但持续时间较长的短路情况可能导致结温升至超过器件的绝对最大额定值，尤其是在较高电源电压条件下。电源电压低于 6V 时，器件可长时间承受输出短路工况。

当运算放大器连接负载时，器件的功率耗散包括由流入器件的电源电流引起的静态功耗，以及由负载电流引起的功率耗散。负载部分的功耗本身可包括一个平均值（由直流负载电流引起）和一个交流分量。如果存在输出电压偏移，或者输出交流平均电流非零，或者运算放大器工作在单电源应用中且输出维持在线性工作范围内的某点，则会有直流负载电流流过。

因此，

方程式 1. PTOTAL=PQ+PDC+PAC

运算放大器静态功率耗散的计算公式为：

方程式 2. PQ=IS×VS

其中

  • IS：电源电流
  • VS：总电源电压 (V+ − V−)

直流负载功率的计算公式为：

方程式 3. PDC=IO×Vr-Vo

其中

  • VO：平均输出电压
  • Vr：对于拉电流为 V+，对于灌电流为 V−

交流负载功率的计算方式为 PAC = 参见表 6-1。

表 6-1 显示了运算放大器在标准正弦波、三角波和方波波形下耗散的负载功耗的最大交流分量：

表 6-1 标准波形下输出级功率耗散的归一化交流功率
PAC (W.Ω/V2)
正弦三角波方形
50.7 × 10–346.9 × 10–362.5 × 10–3

表格条目已归一化至 VS2/RL。要计算功率耗散的交流负载电流分量，只需将输出波形对应的表格条目乘以因子 VS2/RL 即可。例如，在 ±12V 电源、600Ω 负载以及三角波形条件下，输出级的功率耗散计算如下：

方程式 4. PAC=46.9×10-3×576600=45.0mW

特定温度下允许的最大功率耗散是允许最大芯片结温 (TJ(MAX))、环境温度 TA 和结至环境的封装热阻 θJA 的函数。

方程式 5. PDMAX=TJMAX-TAθJA

对于 LM732xx 系列，允许的最高结温为 150°C，达到该温度时不允许功率耗散。25°C 温度下的功率能力可通过以下公式计算得出：

对于 VSSOP 封装（双通道）：

方程式 6. PDMax= 150°C-25°C169.6°C=0.737W

对于 SOIC 封装（单通道）：

方程式 7. PDMax= 150°C-25°C133.5°C=0.936W

同样，125°C 温度下的功率能力通过以下公式计算得出：

对于 VSSOP 封装（双通道）：

方程式 8. PDMax= 150°C-125°C169.6°C=0.147W

对于 SOIC 封装（单通道）：

方程式 9. PDMax= 150°C-125°C124°C=0.202W

在需要大功率运行且无法降低环境温度时，通入气流是降低热阻、提高功率能力的有效方式。