ZHDS169 April   2026 LM5192-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 相关产品
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 串行控制总线的时序要求
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输入电压范围 (VIN)
      2. 7.3.2  高压偏置电源稳压器（VCC、VDDA）
      3. 7.3.3  使能 (EN)
      4. 7.3.4  开关频率
      5. 7.3.5  双随机展频 (DRSS)
      6. 7.3.6  软启动
      7. 7.3.7  输出电压
      8. 7.3.8  超短可控导通时间
      9. 7.3.9  双环路架构
        1. 7.3.9.1 电压环路误差放大器
        2. 7.3.9.2 电流环路误差放大器
      10. 7.3.10 可编程 ILIM
      11. 7.3.11 IOUT 监测器
      12. 7.3.12 电缆压降补偿
      13. 7.3.13 斜率补偿
      14. 7.3.14 分流电流检测
      15. 7.3.15 断续模式电流限制
      16. 7.3.16 器件配置 (CFG)
      17. 7.3.17 脉冲频率调制 (PFM)/同步
      18. 7.3.18 热关断 (TSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 待机模式
      3. 7.4.3 就绪模式
      4. 7.4.4 工作模式
      5. 7.4.5 睡眠模式
  9. 8 LM5192-Q1 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 动力总成元件
        1. 9.1.1.1 降压电感器
        2. 9.1.1.2 输出电容器
        3. 9.1.1.3 输入电容器
        4. 9.1.1.4 功率 MOSFET
        5. 9.1.1.5 EMI 滤波器
      2. 9.1.2 误差放大器和补偿
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 高效率、宽输入、400kHz 同步降压稳压器
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 降压电感器
          2. 9.2.1.2.2 电流检测电阻
          3. 9.2.1.2.3 输出电容器
          4. 9.2.1.2.4 输入电容器
          5. 9.2.1.2.5 补偿器件
        3. 9.2.1.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 功率级布局
        2. 9.4.1.2 栅极驱动布局
        3. 9.4.1.3 PWM 控制器布局
        4. 9.4.1.4 热设计和布局
        5. 9.4.1.5 接地平面设计
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
        1. 10.2.1.1 PCB 布局资源
        2. 10.2.1.2 热设计资源
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4.2 布局示例

图 9-16 展示了具有分立功率 MOSFET 的同步降压稳压器的布局示例。该设计采用内层作为顶层正下方的电源环路返回路径，以构成小面积开关电源环路。这个环路面积也就是说寄生电感必须尽可能小，从而尽可能地减少 EMI 以及开关节点电压过冲和振铃。

高频电源环路电流通过 MOSFET，经由内层的电源接地平面，然后通过陶瓷电容器返回至 VIN。

多个陶瓷电容器并联放置在高侧 MOSFET 漏极附近。小尺寸电容器的低等效串联电感 (ESL) 和高自谐振频率 (SRF) 可以带来出色的高频性能。这些电容器的负端子通过多个过孔连接到内层接地平面，从而尽可能地减少寄生环路电感。

用于提高抗噪性和降低 EMI 的附加准则如下：

  • 将 PGND 直接连接到低侧 MOSFET 和电源接地。将 AGND 直接连接到敏感模拟元件的模拟接地平面。AGND 的模拟接地平面与 PGND 的电源接地平面都必须在器件正下方单点连接至裸露焊盘。
  • 使用较短的铜连接（无过孔）将 MOSFET 直接连接到电感器端子，因为该网络具有高 dv/dt 并且会增加辐射 EMI。开关节点连接的单层布线意味着具有高 dv/dt 的开关节点过孔不会出现在 PCB 的底部。此举可避免在 EMI 测试期间电场耦合到参考接地平面。VIN 和 PGND 平面覆铜屏蔽了将 MOSFET 连接到电感器端子的多边形，从而进一步减少了辐射 EMI 信号。
  • 将 EMI 滤波器元件放置在 PCB 底部，使元件与顶部的功率级元件隔离开来。
LM5192-Q1 PCB 顶层图 9-16 PCB 顶层