ZHCSY08H May   2000  – March 2025 LM4050-N , LM4050-N-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性：2V 选项
    6. 5.6  电气特性：2.5V 选项
    7. 5.7  电气特性：4.1V 选项
    8. 5.8  电气特性：5V 选项
    9. 5.9  电气特性：8.2V 选项
    10. 5.10 电气特性：10V 选项
    11. 5.11 典型特性
      1. 5.11.1 启动特性
  7. 6 参数测量信息
    1.     20
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 并联稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 适用于模数转换器的精度基准
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 VOUT 有界放大器
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
      4. 8.2.4 VIN 有界放大器
        1. 8.2.4.1 设计要求
        2. 8.2.4.2 详细设计过程
      5. 8.2.5 ±4.096 精度基准
        1. 8.2.5.1 设计要求
        2. 8.2.5.2 详细设计过程
      6. 8.2.6 ±1mA 高精度电流源
        1. 8.2.6.1 设计要求
        2. 8.2.6.2 详细设计过程
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 支持资源
    2. 9.2 商标
    3. 9.3 静电放电警告
    4. 9.4 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性：2V 选项

所有其他限值 TA = TJ = 25°C。A、B 和 C 级分别指定初始反向击穿电压容差 ±0.1%、±0.2% 和 0.5%。
参数测试条件最小值(1)典型值(1)最大值(1)单位
VR反向击穿电压IR = 100μA2.048V
反向击穿电压容差(1)IR = 100μALM4050AIM3、LM4050AEM3±2.048mV
LM4050BIM3、LM4050BEM3±4.096
LM4050CIM3、LM4050CEM3±10.24
工业温度范围
TA = TJ = TMIN 至 TMAX		LM4050AIM3±9.0112
LM4050BIM3±11.4688
LM4050CIM3±14.7456
扩展温度范围
TA = TJ = TMIN 至 TMAX		LM4050AEM3±12.288
LM4050BEM3±14.7456
LM4050CEM3±17.2032
IRMIN最小工作电流TA = TJ = 25°C4160μA
TA = TJ = TMIN 至 TMAX65
ΔVR/ΔT平均反向击穿电压温度系数(1)IR = 10mA±20ppm/°C
IR = 1mA±15
IR = 100μA，TA = TJ = 25°C±15
IR = 100μA，
TA = TJ = TMIN 至 TMAX		±50
ΔVR/ΔIR随着工作电流的变化，反向击穿电压会发生变化(1)IRMIN ≤ IR ≤ 1mA，TA = TJ = 25°C0.30.8mV
IRMIN ≤ IR ≤ 1mA，
TA = TJ = TMIN 至 TMAX		1.2
1mA ≤ IR ≤ 15mA，TA = TJ = 25°C2.36
1mA ≤ IR ≤ 15mA，
TA = TJ = TMIN 至 TMAX		8
ZR反向动态阻抗IR = 1mA，f = 120Hz，IAC = 0.1 IR0.3Ω
eN宽带噪声IR = 100μA，10Hz ≤ f ≤ 10kHz34μVrms
ΔVR反向击穿电压的长期稳定性t = 1000 小时，T = 25°C ± 0.1°C，IR = 100μA120ppm
VHYST热磁滞(1)ΔT = -40°C 至 125°C0.7mV