ZHCSY08H May 2000 – March 2025 LM4050-N , LM4050-N-Q1
PRODUCTION DATA
LM4050-N 是一款经过曲率校正的精密微功耗带隙并联电压基准。对于空间受限的应用,LM4050-N 可采用超小型 SOT-23 表面贴装封装。LM4050-N 设计为在“+”引脚和“−”引脚之间无需连接外部电容器的情况下稳定运行。不过,如果使用了旁路电容器,LM4050-N 仍可以保持稳定。可通过提供多个固定反向击穿电压来减少设计工作:2.048V、2.5V、4.096V、5V、8.192V 和 10V。最小工作电流从 60µA (LM4050-N-2.0) 增至 100μA (LM4050-N-10.0)。所有版本都具有 15mA 的最大工作电流。
采用 SOT-23 封装的 LM4050-Ns 在引脚 2 (−) 和引脚 3 (裸片连接接口触点)之间有一个寄生肖特基二极管。因此,SOT-23 封装的引脚 3 必须悬空或连接到引脚 2。
4.096V 版本允许单个 5V 12 位 ADC 或 DAC 在 LSB 等于 1mV 的情况下运行。对于由 10V 或更高电源供电的 12 位 ADC 或 DAC,8.192V 版本提供 2mV/LSB。
典型热磁滞规范定义为热循环后测量的 25°C 时电压变化。该器件先热循环至温度 –40°C,然后在 25°C 时测量。接下来,器件热循环至温度 125°C,然后再次在 25°C 时测量。两次 25°C 时测量之间产生的 VOUT 差值漂移就是热磁滞。热磁滞由热机械封装应力引起,在精密基准中很常见。环境存储温度、工作温度和电路板安装温度变化都是可能导致热磁滞的因素。
在传统的并联稳压器应用(图 8-1)中,电源电压和 LM4050-N 之间连接了一个外部串联电阻器 (RS)。RS 决定流经负载 (IL) 和 LM4050-N (IQ) 的电流。由于负载电流和电源电压可能会发生变化,因此 RS 必须足够小,才能在即使电源电压处于最小值且负载电流处于最大值的情况下也能为 LM4050-N 至少提供最大 IRMIN(规范表)。当电源电压处于最大值且 IL 处于最小值时,RS 必须足够大,以便流经 LM4050-N 的电流小于 15mA。
RS 由电源电压 (VS)、负载和工作电流(IL 和 IQ)以及 LM4050-N 的反向击穿电压 VR 决定。
