ZHCSIW2C July 2000 – October 2018 LF198-N , LF298 , LF398-N
PRODUCTION DATA.
LFx98x 器件是采用 BI-FET 技术的单片采样保持电路,利用快速采集信号和低下降率获得超高的直流精度。作为单位增益跟随器,直流增益精度为 0.002%(典型值),采集时间低至 6μs (0.01%)。采用双极输入级以实现低偏移电压和宽带宽。输入偏移调整是通过单个引脚完成的,不会降低输入偏移漂移。宽带宽允许将 LFx98x 包含在 1MHz 运算放大器的反馈环路内,而不会出现稳定性问题。输入阻抗为 1010Ω,允许使用高源阻抗,而不会降低精度。
P 通道结型 FET 与输出放大器中的双极器件相结合,通过 1μF 保持电容器提供低至 5mV/min 的下降率。JFET 的噪声显著低于先前设计中使用的 MOS 器件,并且不会出现高温不稳定性。总体设计可确保在保持模式下没有输入到输出的馈通,即使输入信号等于电源电压。
LFx98x 上的逻辑输入与低输入电流完全不同,允许直接连接到 TTL、PMOS 和 CMOS。差分阈值为
1.4V。LFx98x 由 ±5V 至 ±18V 的电源供电。
器件编号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
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LF298、LF398-N | SOIC (14) | 8.65mm × 3.91mm |
LFx98x | TO-99 (8) | 9.08mm × 9.08mm |
LF398-N | PDIP (8) | 9.81mm × 6.35mm |