LF398-N

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单片采样保持电路(10µs 采集,7mV 失调电压)

产品详情

Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70
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SOIC (D) 14 51.9 mm² (8.65 mm × 6 mm) PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm)
  • 通过 ±5V 至 ±18V 的电源工作
  • 采集时间少于 10µs
  • 逻辑输入与 TTL、PMOS、CMOS 兼容
  • 在 Ch = 0.01µF 时保持步进为 0.5mV(典型值)
  • 低输入偏移
  • 增益精度为 0.002%
  • 在保持模式下,输出噪声较低
  • 在保持模式期间,输入特点不变
  • 在采样或保持模式中,电源抑制比高
  • 宽带宽
  • 符合太空要求,符合 JM38510
  • 通过 ±5V 至 ±18V 的电源工作
  • 采集时间少于 10µs
  • 逻辑输入与 TTL、PMOS、CMOS 兼容
  • 在 Ch = 0.01µF 时保持步进为 0.5mV(典型值)
  • 低输入偏移
  • 增益精度为 0.002%
  • 在保持模式下,输出噪声较低
  • 在保持模式期间,输入特点不变
  • 在采样或保持模式中,电源抑制比高
  • 宽带宽
  • 符合太空要求,符合 JM38510

LFx98x 器件是采用 BI-FET 技术的单片采样保持电路,利用快速采集信号和低下降率获得超高的直流精度。作为单位增益跟随器,直流增益精度为 0.002%(典型值),采集时间低至 6µs (0.01%)。采用双极输入级以实现低偏移电压和宽带宽。输入偏移调整是通过单个引脚完成的,不会降低输入偏移漂移。宽带宽允许将 LFx98x 包含在 1MHz 运算放大器的反馈环路内,而不会出现稳定性问题。输入阻抗为 1010Ω,允许使用高源阻抗,而不会降低精度。

P 通道结型 FET 与输出放大器中的双极器件相结合,通过 1µF 保持电容器提供低至 5mV/min 的下降率。JFET 的噪声显著低于先前设计中使用的 MOS 器件,并且不会出现高温不稳定性。总体设计可确保在保持模式下没有输入到输出的馈通,即使输入信号等于电源电压。

LFx98x 上的逻辑输入与低输入电流完全不同,允许直接连接到 TTL、PMOS 和 CMOS。差分阈值为
1.4V。LFx98x 由 ±5V 至 ±18V 的电源供电。

A 版本可提供更严格的电气规格。

LFx98x 器件是采用 BI-FET 技术的单片采样保持电路,利用快速采集信号和低下降率获得超高的直流精度。作为单位增益跟随器,直流增益精度为 0.002%(典型值),采集时间低至 6µs (0.01%)。采用双极输入级以实现低偏移电压和宽带宽。输入偏移调整是通过单个引脚完成的,不会降低输入偏移漂移。宽带宽允许将 LFx98x 包含在 1MHz 运算放大器的反馈环路内,而不会出现稳定性问题。输入阻抗为 1010Ω,允许使用高源阻抗,而不会降低精度。

P 通道结型 FET 与输出放大器中的双极器件相结合,通过 1µF 保持电容器提供低至 5mV/min 的下降率。JFET 的噪声显著低于先前设计中使用的 MOS 器件,并且不会出现高温不稳定性。总体设计可确保在保持模式下没有输入到输出的馈通,即使输入信号等于电源电压。

LFx98x 上的逻辑输入与低输入电流完全不同,允许直接连接到 TTL、PMOS 和 CMOS。差分阈值为
1.4V。LFx98x 由 ±5V 至 ±18V 的电源供电。

A 版本可提供更严格的电气规格。

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