ZHCSYY2 September   2025 ISOTMP35R-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  绝缘规格
    6. 5.6  功率等级
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 集成隔离栅和热响应
      2. 6.3.2 模拟输出
        1. 6.3.2.1 输出精度
        2. 6.3.2.2 驱动能力
        3. 6.3.2.3 共模瞬态抗扰度 (CMTI)
      3. 6.3.3 热响应
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 外部缓冲器
      2. 7.1.2 ADC 接口注意事项
      3. 7.1.3 抑制电磁噪声
        1. 7.1.3.1 滤波技术
        2. 7.1.3.2 通用设计指南
        3. 7.1.3.3 PCB 布局实践
      4. 7.1.4 绝缘寿命
    2. 7.2 电源相关建议
      1. 7.2.1 PSRR 注意事项
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
      2. 7.3.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DFP|12
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1.3.2 通用设计指南

虽然滤波器设计取决于系统级噪声源，但建议采用以下做法：

  • 将 0.1µF 旁路电容器尽可能靠近 ISOTMP35R-Q1VDD 引脚布置。此电容器是实现出色运行所必需的，即使在使用额外滤波器时也应始终存在。

  • 使用 C0G/NP0 电容器进行信号路径滤波，并将 SMT 封装尺寸限制为 0603 或更小，以便最大程度减少寄生效应。

  • 选择铁氧体磁珠进行高频滤波时，请确保 DCR < 1Ω 以避免压降，压降可能在 VDD 上引入额外的噪声。

  • 使用低 ESR 电容器，这些电容器提供低阻抗接地路径并改善高频噪声抑制性能。