ZHCSVZ1B April 2024 – January 2025 ISO7741TA-Q1 , ISO7741TB-Q1 , ISO7742TA-Q1 , ISO7742TB-Q1
PRODUCTION DATA
与所有高速 CMOS IC 一样,该器件需要一个 10nF 至 100nF 的旁路电容器。
初级中心抽头处的输入大容量电容器能够在快速转换瞬态期间为初级提供大电流。为最大限度减小纹波,电容应为 1μF 至到10μF。在具有专用接地层的双层 PCB 设计中,将该电容器放置在靠近初级中心抽头的位置,以便最大限度减小布线电感。在具有低电感接地参考平面与 VCC 的四层 PCB 设计中,可以将电容器放置在电路板电源入口处。为提供低电感路径,请为连接参考平面或初级中心抽头的每个连接使用两个并联过孔。
整流器输出端的大容量电容器可使输出电压变得平滑。将该电容器的电容设置为 1μF 至 10μF。
对于稳压器输入端,不一定需要小电容。不过,良好的模拟设计实践表明,使用 47nF 至 100nF 的较小值,能够改善稳压器的瞬态响应与噪声抑制能力。
LDO 输出电容器能够为后续隔离器与收发器电路提供稳压输出缓冲。输出电容器的选择取决于数据表中规定的 LDO 稳定性要求。不过,多数情况下,4.7μF 至 10μF 范围内的低 ESR 陶瓷电容器能够满足该等要求。