ZHCSPA3C november   2021  – may 2023 INA350

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 增益设置
        1. 8.3.1.1 增益误差和漂移
      2. 8.3.2 输入共模电压范围
      3. 8.3.3 EMI 抑制
      4. 8.3.4 典型规格与分布
      5. 8.3.5 电气过应力
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 基准引脚
      2. 9.1.2 输入偏置电流返回路径
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 电阻式电桥压力传感器
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
        1. 10.1.1.1 PSpice® for TI
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

对于 VS = (V+) – (V–) = 1.8V 至 5.5V（±0.9V 至 ±2.75V）（TA = 25°C），VREF = VS/2，G = 10、20、30 和 50，RL = 10kΩ 连接至 VS/2，VCM = [(VIN+) + (VIN–)]/2 = VS/2，VIN = (VIN+) – (VIN–) = 0V 且 VOUT = VS/2（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VOSI 失调电压，RTI(1) VS = 5.5V TA = 25°C ±0.2 ±1.2 mV
VOSI 输入失调电压随温度变化的情况，RTI(1) VS = 5.5V TA = –40°C 至 125°C ±1.3 mV
VOSI 失调电压温漂，RTI(2) VS = 5.5V TA = –40°C 至 125°C ±0.6 µV/°C
PSRR 电源抑制比 TA = 25°C   20 75 µV/V
ZIN-DM 差分阻抗 100 || 5 GΩ || pF
ZIN-CM 共模阻抗 100 || 9 GΩ || pF
VCM 输入级共模范围(3) (V–) (V+)  V
CMRR DC 共模抑制比，RTI VCM = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 1V，高 CMRR 区域 VS = 5.5V，VREF = VS/2 85 95 dB
CMRR DC 共模抑制比，RTI VCM = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 1V，高 CMRR 区域 VS = 3.3V，VREF = VS/2 94 dB
CMRR DC 共模抑制比，RTI VCM = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 0.1V VS = 5.5V，VREF = VS/2 62 75 dB
偏置电流
IB 输入偏置电流 VCM = VS/2 ±0.65 pA
IOS 输入失调电流 VCM = VS/2 ±0.25 pA
噪声电压
eNI 输入参考电压噪声密度(5) f = 1kHz 36 nV/√Hz
eNI 输入参考电压噪声密度(5) f = 10kHz 34 nV/√Hz
ENI 输入参考电压噪声(5) fB = 0.1Hz 至 10Hz 3.2 µVPP
in 输入电流噪声 f = 1kHz f = 1kHz 22 fA/√Hz
增益
GE 增益误差(4) G = 10，VREF = VS/2 VO = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 0.1V ±0.05 ±0.50 %
G = 20，VREF = VS/2 ±0.06 ±0.60
增益误差(4) G = 30，VREF = VS/2 ±0.075 ±0.60
G = 50，VREF = VS/2 ±0.082 ±0.60
输出
VOH 正电源轨余量 RL = 10kΩ 至 VS/2 15 30 mV
VOL 负电源轨余量 RL = 10kΩ 至 VS/2 15 30 mV
CL 驱动 负载电容驱动 VO = 100mV 阶跃，过冲 < 20% 500 pF
ZO 闭环输出阻抗 f = 10kHz 51 Ω
ISC 短路电流 VS = 5.5V ±20 mA
频率响应
BW 带宽，–3dB G = 10 VIN = 10mVpk-pk 100 kHz
G = 20 50
带宽，–3dB G = 30 40
G = 50 25
THD + N 总谐波失真 + 噪声 VS = 5.5V，VCM = 2.75V，VO = 1VRMS，G = 10，RL = 100kΩ
ƒ = 1kHz，80kHz 测量 BW		 0.04 %
THD + N 总谐波失真 + 噪声 VS = 5.5V，VCM = 2.75V，VO = 1VRMS，G = 50，RL = 100kΩ
ƒ = 1kHz，80kHz 测量 BW		 VS = 5.5V，VCM = 2.75V，VO = 1VRMS，G = 50，RL = 100kΩ
ƒ = 1kHz，80kHz 测量 BW		 0.15 %
EMIRR 电磁干扰抑制比 f = 1GHz，VIN_EMIRR = 100mV 96 dB
SR 压摆率 VS = 5V，VO = 2V 阶跃 0.24 V/µs
tS 建立时间 G = 10，达到 0.1%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 17 µs
G = 10，达到 0.01%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 38
G = 20，达到 0.1%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 20
G = 20，达到 0.01%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 27
建立时间 G = 30，达到 0.1%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 30
G = 30，达到 0.01%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 57
G = 50，达到 0.1%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 44
G = 50，达到 0.01%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 85
过载恢复 VIN = 1V，G = 10 16 µs
过载恢复 VIN = 1V，G = 50 VIN = 1V，G = 50 6.5 µs
参考输入
RIN 输入阻抗 60 kΩ
电压范围 (V–) (V+) V
输出增益 1 V/V
参考增益误差 ±0.004 %
电源
VS 电源电压 单电源 1.7 5.5 V
VS 电源电压 双电源 ±0.85 ±2.75 V
IQ 静态电流 VIN = 0V 100 125 µA
TA = –40°C 至 125°C 135
IQSD 每个放大器的静态电流 所有放大器均为禁用状态，SHDN = V– 0.70 1.25 µA
VIL 逻辑低电平阈值电压（增益选择） 对于 INA350ABS，G = 10，对于 INA350CDS，G = 30 (V–) + 0.2 V V
VIH 逻辑高电平阈值电压（增益选择） 对于 INA350ABS，G = 20，对于 INA350CDS，G = 50 (V–) + 1V V
tON 放大器启用时间（完全关断）(6) VCM = VS/2，VO = 0.9 × VS/2，
RL 连接到 V–		 100 µs
tOFF 放大器禁用时间(6) VCM = VS/2，VO = 0.1 × VS/2，
RL 连接到 V–		 4 µs
SHDN 引脚输入偏置电流（每个引脚） (V+) ≥ SHDN ≥ (V–) + 1V 10 nA
SHDN 引脚输入偏置电流（每个引脚） (V–) ≤ SHDN ≤ (V–) + 0.2V 175 nA
(1) 总失调电压，以输入为参考 (RTI)：VOS = (VOSI) + (VOSO/G)。
(2) 失调漂移具有不相关性。使用以下公式计算输入参考失调漂移：ΔVOS(RTI) = √[ΔVOSI2 + (ΔVOSO / G)2]
(3) 输入共模电压范围仅为仪表放大器的输入级。整个 INA350x 输入范围取决于输入共模电压、差分电压、增益、参考电压和电源电压的组合。将向典型特性曲线添加更多信息。
(4) 最小值和最大值由特性指定。
(5) 总 RTI 电压噪声等于：eN(RTI) = √[eNI2 + (eNO / G)2]
(6) 禁用时间 (tOFF) 和启用时间 (tON) 是指施加给 SHDN 引脚的信号为 50% 时到输出电压达到 10%（禁用）或 90%（启用）电平时之间的时间间隔。