ZHCSN08E August 2020 – March 2026 DRV8714-Q1 , DRV8718-Q1
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图 5-7 DRV8718S-Q1 VQFN (RVJ) 56 引脚封装顶视图
图 5-8 DRV8714S-Q1 VQFN (RVJ) 56 引脚封装顶视图| 引脚 | I/O | 类型 | 说明 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 编号 | 名称 | ||||
| DRV8718S-Q1 | DRV8714S-Q1 | ||||
| 1 | SCLK | I | 数字 | 串行时钟输入。串行数据会移出并在此引脚上的相应上升沿和下降沿被捕捉。内部下拉电阻。 | |
| 2 | SDI | I | 数字 | 串行数据输入。在 SCLK 引脚的下降沿捕捉数据。内部下拉电阻。 | |
| 3 | SDO | O | 数字 | 串行数据输出。在 SCLK 引脚的上升沿移出数据。推挽式输出。 | |
| 4 | IN1 | IN1/EN1 | I | 数字 | 半桥和 H 桥控制输入。请参阅节 7.3.3。内部下拉电阻。 |
| 5 | IN2 | IN2/PH1 | I | 数字 | |
| 6 | IN3 | IN3/EN2 | I | 数字 | |
| 7 | IN4 | IN4/PH2 | I | 数字 | |
| 8 | nSLEEP | I | 数字 | 器件使能引脚。置为逻辑低电平可关断器件并进入睡眠模式。内部下拉电阻。 | |
| 9 | DRVOFF/nFLT | I/O | 数字 | 用于驱动器关断输入或故障指示灯输出的多功能引脚。请参阅节 7.3.8。内部下拉电阻。 | |
| 10 | AREF | I | 电源 | 电流检测放大器的外部电压基准和电源。建议在 AREF 和 AGND 引脚之间连接一个 0.1µF、6.3V 的陶瓷电容器。 | |
| 11 | AGND | I/O | 电源 | 器件接地。连接到系统地。 | |
| 12 | SO1 | O | 模拟 | 分流放大器输出。 | |
| 13 | SO2 | O | 模拟 | 分流放大器输出。 | |
| 14 | BRAKE | I | 数字 | 断电制动引脚。在低功耗睡眠模式下,置为逻辑高电平以启用低侧栅极驱动器。请参阅节 7.3.8.2。内部下拉电阻。 | |
| 15 | SP1 | I | 模拟 | 放大器正输入。连接到分流电阻器的正端子。 | |
| 16 | SN1 | I | 模拟 | 放大器负输入。连接到分流电阻器的负端子。 | |
| 17 | SP2 | I | 模拟 | 放大器正输入。连接到分流电阻器的正端子。 | |
| 18 | SN2 | I | 模拟 | 放大器负输入。连接到分流电阻器的负端子。 | |
| 19 | GL1 | NC | O | 模拟 | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。 |
| 20 | SH1 | NC | I | 模拟 | 高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。 |
| 21 | GH1 | NC | O | 模拟 | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。 |
| 22 | GH2 | GH1 | O | 模拟 | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。 |
| 23 | SH2 | SH1 | I | 模拟 | 高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。 |
| 24 | GL2 | GL1 | O | 模拟 | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。 |
| 25 | PGND1 | I | 模拟 | 低侧 MOSFET 栅极驱动 1-4 检测和电源返回。连接到靠近器件和半桥 1-4 的系统接地。 | |
| 26 | GL3 | GL2 | O | 模拟 | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。 |
| 27 | SH3 | SH2 | I | 模拟 | 高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。 |
| 28 | GH3 | GH2 | O | 模拟 | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。 |
| 29 | GH4 | NC | O | 模拟 | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。 |
| 30 | SH4 | NC | I | 模拟 | 高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。 |
| 31 | GL4 | NC | O | 模拟 | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。 |
| 32 | GND | I/O | 接地 | 器件接地。连接到系统地。 | |
| 33 | CP2L | I/O | 电源 | 电荷泵开关节点。在 CP2H 引脚和 CP2L 引脚之间连接一个 100nF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。 | |
| 34 | CP2H | I/O | 电源 | ||
| 35 | CP1L | I/O | 电源 | 电荷泵开关节点。在 CP1H 引脚和 CP1L 引脚之间连接一个 100nF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。 | |
| 36 | CP1H | I/O | 电源 | ||
| 37 | VCP | I/O | 电源 | 电荷泵输出。在 VCP 和 PVDD 引脚之间连接一个 1µF、16V 的陶瓷电容器。 | |
| 38 | PVDD | I | 电源 | 器件驱动器电源输入。连接到电桥电源。在 PVDD 和 GND 引脚之间连接一个 0.1µF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器和大于或等于 10µF 的局部大容量电容。 | |
| 39 | DRAIN | I | 模拟 | 桥式 MOSFET 漏极电压感测引脚。连接到高侧 MOSFET 漏极的公共点。 | |
| 40 | NC | — | — | 无连接。 | |
| 41 | GL5 | NC | O | 模拟 | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。 |
| 42 | SH5 | NC | I | 模拟 | 高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。 |
| 43 | GH5 | NC | O | 模拟 | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。 |
| 44 | GH6 | GH3 | O | 模拟 | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。 |
| 45 | SH6 | SH3 | I | 模拟 | 高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。 |
| 46 | GL6 | GL3 | O | 模拟 | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。 |
| 47 | PGND2 | I | 模拟 | 低侧 MOSFET 栅极驱动 5-8 检测和电源返回。连接到靠近器件和半桥 5-8 的系统接地。 | |
| 48 | GL7 | GL4 | O | 模拟 | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。 |
| 49 | SH7 | SH4 | I | 模拟 | 高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。 |
| 50 | GH7 | GH4 | O | 模拟 | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。 |
| 51 | GH8 | NC | O | 模拟 | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。 |
| 52 | SH8 | NC | I | 模拟 | 高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。 |
| 53 | GL8 | NC | O | 模拟 | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。 |
| 54 | DGND | I/O | 接地 | 器件接地。连接到系统地。 | |
| 55 | DVDD | I | 电源 | 器件逻辑和数字输出电源输入。建议在 DVDD 和 GND 引脚之间连接一个 1.0µF、6.3V 的陶瓷电容器。 | |
| 56 | nSCS | I | 数字 | 串行芯片选择。此引脚上的逻辑低电平支持串行接口通信。内部上拉电阻。 | |