产品详情

Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.9 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Open-Load Detection, Smart Gate Drive Topology External FET, Multichannel Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.9 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Open-Load Detection, Smart Gate Drive Topology External FET, Multichannel Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHA) 40 36 mm² (6 mm × 6 mm) HTQFP (PHP) 48 81 mm² (9 mm × 9 mm) VQFN (RVJ) 56 64 mm² (8 mm × 8 mm)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 多通道半桥栅极驱动器
    • 4 个和 8 个半桥驱动器型号(引脚对引脚)
    • 4.9V 至 37V(最大绝对值为 40V)工作电压范围
    • 具有输出映射的 4 个 PWM 输入
    • 三倍电荷泵可实现 100% PWM
    • 半桥、H 桥和 SPI 控制模式
  • 智能多级栅极驱动架构
    • 可调转换率控制
    • 自适应传播延迟控制
    • 50µA 至 62mA 峰值拉电流输出
    • 50µA 至 62mA 峰值灌电流输出
    • 集成死区时间握手
  • 2 个具有宽共模电压范围的电流分流放大器
    • 支持内联、高侧或低侧
    • 可调增益设置(10、20、40、80V/V)
  • 提供多个接口选项
    • SPI:详细配置和诊断
    • H/W:简化的控制和更少的 MCU 引脚
  • 具有可湿性侧面的紧凑型 VQFN 封装
  • 集成保护特性
    • 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
    • 低 IQ,睡眠模式电机制动 (BRAKE)
    • 电源和稳压器电压监测器
    • MOSFET VDS 过流监视器
    • MOSFET VGS 栅极故障监测器
    • 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
    • 离线开路负载和短路诊断
    • 器件热警告和热关断
    • 窗口看门狗计时器
    • 故障条件中断引脚 (nFAULT)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 多通道半桥栅极驱动器
    • 4 个和 8 个半桥驱动器型号(引脚对引脚)
    • 4.9V 至 37V(最大绝对值为 40V)工作电压范围
    • 具有输出映射的 4 个 PWM 输入
    • 三倍电荷泵可实现 100% PWM
    • 半桥、H 桥和 SPI 控制模式
  • 智能多级栅极驱动架构
    • 可调转换率控制
    • 自适应传播延迟控制
    • 50µA 至 62mA 峰值拉电流输出
    • 50µA 至 62mA 峰值灌电流输出
    • 集成死区时间握手
  • 2 个具有宽共模电压范围的电流分流放大器
    • 支持内联、高侧或低侧
    • 可调增益设置(10、20、40、80V/V)
  • 提供多个接口选项
    • SPI:详细配置和诊断
    • H/W:简化的控制和更少的 MCU 引脚
  • 具有可湿性侧面的紧凑型 VQFN 封装
  • 集成保护特性
    • 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
    • 低 IQ,睡眠模式电机制动 (BRAKE)
    • 电源和稳压器电压监测器
    • MOSFET VDS 过流监视器
    • MOSFET VGS 栅极故障监测器
    • 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
    • 离线开路负载和短路诊断
    • 器件热警告和热关断
    • 窗口看门狗计时器
    • 故障条件中断引脚 (nFAULT)

DRV871x-Q1 系列器件是适用于驱动多个电机或负载的高度集成多通道栅极驱动器。该器件集成了 4 个 (DRV8714-Q1) 或 8 个 (DRV8718-Q1) 半桥栅极驱动器、驱动器电源、电流分流放大器和保护监测器,可降低系统的总体复杂性和成本并减小尺寸。

智能栅极驱动架构可管理死区时间以防止击穿、控制压摆率以降低电磁干扰 (EMI) 并优化传播延迟以提升性能。

提供的输入模式可实现独立的半桥或 H 桥控制。可在不同驱动器之间多路复用四个 PWM 输入,并提供 SPI 控制。

宽共模分流放大器具有内联电流检测功能,即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联检测,放大器可用于低侧或高侧检测配置。

这些器件提供了一系列保护特性,可促进系统稳健运行。此类功能包括欠压和过压监测、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监测、离线开路负载和短路诊断,以及内部热警告和热关断保护功能。

DRV871x-Q1 系列器件是适用于驱动多个电机或负载的高度集成多通道栅极驱动器。该器件集成了 4 个 (DRV8714-Q1) 或 8 个 (DRV8718-Q1) 半桥栅极驱动器、驱动器电源、电流分流放大器和保护监测器,可降低系统的总体复杂性和成本并减小尺寸。

智能栅极驱动架构可管理死区时间以防止击穿、控制压摆率以降低电磁干扰 (EMI) 并优化传播延迟以提升性能。

提供的输入模式可实现独立的半桥或 H 桥控制。可在不同驱动器之间多路复用四个 PWM 输入,并提供 SPI 控制。

宽共模分流放大器具有内联电流检测功能,即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联检测,放大器可用于低侧或高侧检测配置。

这些器件提供了一系列保护特性,可促进系统稳健运行。此类功能包括欠压和过压监测、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监测、离线开路负载和短路诊断,以及内部热警告和热关断保护功能。

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DRV8714H-Q1EVM — DRV8714H-Q1 具有硬件配置的四通道智能栅极驱动器评估模块

DRV8714H-Q1 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8714H-Q1 具有内嵌式电流检测功能的四通道栅极驱动器。该 EVM 上的器件采用 40 引脚 6mm x 6mm RHA 封装类型,具有简化的硬件接口。它接受 4.9V 至 40V(直流)的宽电源输入电压范围。

DRV8714H-Q1 智能栅极驱动架构可优化死区时间,从而防止击穿并控制压摆率。四个 PWM 输入用于设置分配输出的 PWM 频率和占空比。如果不需要 PWM,则支持开关控制。电流检测放大器可用于低侧或高侧检测配置。

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

DRV8714S-Q1EVM — DRV8714S-Q1 具有 SPI 配置的四通道智能栅极驱动器评估模块

DRV8714S-Q1 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8714S-Q1 具有内嵌式电流检测和离线诊断功能的四通道栅极驱动器。此 EVM 上采用的器件是具有 SPI 接口的 56 引脚 8mm x 8mm RVJ 封装型号,可接受 4.9V 至 40V 直流的宽电源输入范围。

DRV8714S-Q1 智能栅极驱动架构可优化死区时间,从而防止击穿并控制压摆率。四个 PWM 输入用于设置分配输出的 PWM 频率和占空比。如果不需要 PWM,则支持开关控制。电流检测放大器可用于低侧或高侧检测配置。

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
应用软件和框架

STK-3P-STK1000 — 使用 MSPM0G35xx 和 STK-3P-STK1000 套件的应用示例

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支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RHA) 40 Ultra Librarian
HTQFP (PHP) 48 Ultra Librarian
VQFN (RVJ) 56 Ultra Librarian

订购和质量

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支持和培训

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