ZHCSN08E August   2020  – March 2026 DRV8714-Q1 , DRV8718-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 VQFN (RVJ) 56 引脚封装和引脚功能
    2. 5.2 VQFN (RHA) 40 引脚封装和引脚功能
    3. 5.3 HTQFP (PHP) 48 引脚封装和引脚功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部组件
      2. 7.3.2 器件接口类型
        1. 7.3.2.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.2.2 硬件 (H/W)
      3. 7.3.3 输入 PWM 控制模式
        1. 7.3.3.1 具有输入 PWM 映射的半桥控制方案
          1. 7.3.3.1.1 DRV8718-Q1 半桥控制
          2. 7.3.3.1.2 DRV8714-Q1 半桥控制
        2. 7.3.3.2 H 桥控制
          1. 7.3.3.2.1 DRV8714-Q1 H 桥控制
        3. 7.3.3.3 分离式 HS 和 LS 螺线管控制
          1. 7.3.3.3.1 DRV8714-Q1 分离式 HS 和 LS 螺线管控制
      4. 7.3.4 智能栅极驱动器
        1. 7.3.4.1 功能方框图
        2. 7.3.4.2 压摆率控制 (IDRIVE)
        3. 7.3.4.3 栅极驱动状态机 (TDRIVE)
        4. 7.3.4.4 传播延迟降低 (PDR)
          1. 7.3.4.4.1 PDR 预充电/预放电控制环路运行详细信息
            1. 7.3.4.4.1.1 PDR 预充电/预放电设置
          2. 7.3.4.4.2 PDR 后充电/后放电控制环路运行详细信息
            1. 7.3.4.4.2.1 PDR 充电后/放电后设置
          3. 7.3.4.4.3 检测驱动和续流 MOSFET
        5. 7.3.4.5 自动占空比补偿 (DCC)
        6. 7.3.4.6 闭环压摆时间控制 (STC)
          1. 7.3.4.6.1 STC 控制环路设置
      5. 7.3.5 三倍（双极）电荷泵
      6. 7.3.6 宽共模电流分流放大器
      7. 7.3.7 引脚图
        1. 7.3.7.1 逻辑电平输入引脚（INx/ENx、INx/PHx、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI）
        2. 7.3.7.2 逻辑电平推挽输出 (SDO)
        3. 7.3.7.3 逻辑电平多功能引脚 (DRVOFF/nFLT)
        4. 7.3.7.4 四电平输入（GAIN，MODE）
        5. 7.3.7.5 六电平输入（IDRIVE，VDS）
      8. 7.3.8 保护和诊断
        1. 7.3.8.1  栅极驱动器禁用（DRVOFF/nFLT 和 EN_DRV）
        2. 7.3.8.2  低 IQ 断电制动（POB、BRAKE）
        3. 7.3.8.3  故障复位 (CLR_FLT)
        4. 7.3.8.4  DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        5. 7.3.8.5  PVDD 电源欠压监测器 (PVDD_UV)
        6. 7.3.8.6  PVDD 电源过压监测器 (PVDD_OV)
        7. 7.3.8.7  VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        8. 7.3.8.8  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        9. 7.3.8.9  栅极驱动器故障 (VGS_GDF)
        10. 7.3.8.10 热警告 (OTW)
        11. 7.3.8.11 热关断 (OTSD)
        12. 7.3.8.12 离线短路和开路负载检测（OOL 和 OSC）
        13. 7.3.8.13 看门狗计时器
        14. 7.3.8.14 故障检测和响应汇总表
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 非运行或睡眠状态
      2. 7.4.2 待机状态
      3. 7.4.3 运行状态
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 接口
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 用于连接多个从器件的 SPI 接口
        1. 7.5.3.1 用于连接菊花链中多个从器件的 SPI 接口
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 DRV8718-Q1 寄存器映射
    2. 8.2 DRV8714-Q1 寄存器映射
    3. 8.3 DRV8718-Q1 寄存器说明
      1. 8.3.1 DRV8718-Q1_STATUS 寄存器
      2. 8.3.2 DRV8718-Q1_CONTROL 寄存器
      3. 8.3.3 DRV8718-Q1_CONTROL_ADV 寄存器
      4. 8.3.4 DRV8718-Q1_STATUS_ADV 寄存器
    4. 8.4 DRV8714-Q1 寄存器说明
      1. 8.4.1 DRV8714-Q1_STATUS 寄存器
      2. 8.4.2 DRV8714-Q1_CONTROL 寄存器
      3. 8.4.3 DRV8714-Q1_CONTROL_ADV 寄存器
      4. 8.4.4 DRV8714-Q1_STATUS_ADV 寄存器
  10. 9 应用实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 栅极驱动器配置
          1. 9.2.2.1.1 VCP 负载计算示例
          2. 9.2.2.1.2 IDRIVE 计算示例
          3. 9.2.2.1.3 tDRIVE 计算示例
          4. 9.2.2.1.4 最大 PWM 开关频率
        2. 9.2.2.2 电流分流放大器配置
        3. 9.2.2.3 功率耗散
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 初始化
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 确定大容量电容器的大小
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件文档与支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装选项附录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.2 DRV8718-Q1_CONTROL 寄存器

表 8-14 列出了 DRV8718-Q1_CONTROL 寄存器。表 8-14 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留位置，并且不应修改寄存器内容。

表 8-14 DRV8718-Q1_CONTROL 寄存器
地址 首字母缩写词 寄存器名称 部分
7h IC_CTRL1 器件通用功能控制寄存器 1转到
8h IC_CTRL2 器件通用功能控制寄存器 2转到
9h BRG_CTRL1 半桥 1-4 输出状态控制转到
Ah BRG_CTRL2 半桥 5-8 输出状态控制转到
Bh PWM_CTRL1 半桥 1-4 PWM 映射控制转到
Ch PWM_CTRL2 半桥 5-8 PWM 映射控制转到
Dh PWM_CTRL3 半桥 1-8 高侧或者低侧驱动控制转到
Eh PWM_CTRL4 半桥 1-8 续流配置转到
Fh IDRV_CTRL1 半桥 1 栅极驱动拉/灌电流转到
10h IDRV_CTRL2 半桥 2 栅极驱动拉/灌电流转到
11h IDRV_CTRL3 半桥 3 栅极驱动拉/灌电流转到
12h IDRV_CTRL4 半桥 4 栅极驱动拉/灌电流转到
13h IDRV_CTRL5 半桥 5 栅极驱动拉/灌电流转到
14h IDRV_CTRL6 半桥 6 栅极驱动拉/灌电流转到
15h IDRV_CTRL7 半桥 7 栅极驱动拉/灌电流转到
16h IDRV_CTRL8 半桥 8 栅极驱动拉/灌电流转到
17h IDRV_CTRL9 半桥 1-8 栅极驱动低电流控制转到
18h DRV_CTRL1 栅极驱动器 VGS 及 VDS 监控配置转到
19h DRV_CTRL2 半桥 1-4 VGS 和 VDS tDRV 配置转到
1Ah DRV_CTRL3 半桥 5-8 VGS 和 VDS tDRV 配置转到
1Bh DRV_CTRL4 半桥 1-8 VGS tDEAD_D 配置转到
1Ch DRV_CTRL5 半桥 1-8 VDS tDS_DG 配置转到
1Dh DRV_CTRL6 半桥 1-8 VDS 故障下拉电流配置转到
1Fh VDS_CTRL1 半桥 1 及 2 VDS 过流阈值转到
20h VDS_CTRL2 半桥 3 及 4 VDS 过流阈值转到
21h VDS_CTRL3 半桥 5 及 6 VDS 过流阈值转到
22h VDS_CTRL4 半桥 7 及 8 VDS 过流阈值转到
23h OLSC_CTRL1 半桥 1-4 离线诊断控制转到
24h OLSC_CTRL2 半桥 5-8 离线诊断控制转到
25h UVOV_CTRL 欠压及过压监控器配置。转到
26h CSA_CTRL1 分流放大器 1 及 2 配置转到
27h CSA_CTRL2 分流放大器 1 消隐配置转到
28h CSA_CTRL3 分流放大器 2 消隐配置转到

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 8-15 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 8-15 DRV8718-Q1_CONTROL 访问类型代码
访问类型 代码 说明
读取类型
R R 读取
写入类型
W W 写入
复位或默认值
- n 复位后的值或默认值

8.3.2.1 IC_CTRL1 寄存器（地址 = 7h）[复位 = 6h]

图 8-8 展示了 IC_CTRL1，表 8-16 对其进行了介绍。

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用于驱动器和诊断使能、SPI 锁定及清除故障命令的控制寄存器。

图 8-8 IC_CTRL1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
EN_DRV EN_OLSC RESERVED LOCK CLR_FLT
R/W-0b R/W-0b R-00b R/W-011b R/W-0b
表 8-16 IC_CTRL1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 EN_DRV R/W 0b 使能栅极驱动器。
0b = 禁用栅极驱动器输出并使能无源下拉电阻。
1b = 栅极驱动器输出已启用。
6 EN_OLSC R/W 0b 使能离线开路负载和短路诊断。
0b = 禁用。
1b = VDS 监控器设置为实时电压监控模式并使能离线诊断电流源。
5-4 RESERVED R 00b 保留
3-1 LOCK R/W 011b 锁定和解锁控制寄存器。未列出的位设置无效。
011b = 解锁所有控制寄存器。
110b = 通过忽略除 LOCK 寄存器之外的后续写入来锁定控制寄存器。
0 CLR_FLT R/W 0b 清除锁存故障状态信息。
0b = 默认状态。
1b = 清除锁存故障位，完成后复位为 0b。还会清除 SPI 故障和看门狗故障状态。

8.3.2.2 IC_CTRL2 寄存器（地址 = 8h）[复位 = 2h]

图 8-9 展示了 IC_CTRL2，表 8-17 对其进行了介绍。

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用于引脚模式、电荷泵模式及看门狗的控制寄存器。

图 8-9 IC_CTRL2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
DIS_SSC DRVOFF_nFLT CP_MODE WD_EN WD_FLT_M WD_WIN WD_RST
R/W-0b R/W-0b R/W-00b R/W-0b R/W-0b R/W-1b R/W-0b
表 8-17 IC_CTRL2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 DIS_SSC R/W 0b 使能展频时钟
0b = 已启用。
1b = 禁用。
6 DRVOFF_nFLT R/W 0b 设置 DRVOFF/nFLT 多功能引脚模式。
0b = 引脚用作 DRVOFF 全局驱动器禁用。
1b = 引脚用作 nFLT 开漏故障中断输出。
5-4 CP_MODE R/W 00b 电荷泵工作模式。
00b = 三倍器和倍频器模式之间自动切换。
01b = 始终为倍频器模式。
10b = 始终为三倍器模式。
11b = RSVD
3 WD_EN R/W 0b 看门狗计时器使能。
0b = 看门狗计时器已禁用。
1b = 看门狗计时器已使能。
2 WD_FLT_M R/W 0b 看门狗故障模式。看门狗故障由 CLR_FLT 清除。
0b = 向 WD_FLT 和 WARN 寄存器位报告看门狗故障。栅极驱动器保持启用状态，nFAULT 未被断言。
1b = 向 WD_FLT、FAULT 寄存器位和 nFAULT 引脚报告看门狗故障。栅极驱动器都被禁用以响应看门狗故障。
1 WD_WIN R/W 1b 看门狗计时器窗口。
0b = 4 至 40ms
1b = 10 至 100ms
0 WD_RST R/W 0b 看门狗重启。上电后默认为 0b。将该位反转以重启看门狗计时器。写入后，该位将反映新的取反值。

8.3.2.3 BRG_CTRL1 寄存器（地址 = 9h）[复位 = 0h]

图 8-10 展示了 BRG_CTRL1，表 8-18 对其进行了介绍。

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用于设置半桥 1-4 输出状态的控制寄存器。

图 8-10 BRG_CTRL1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
HB1_CTRL HB2_CTRL HB3_CTRL HB4_CTRL
R/W-00b R/W-00b R/W-00b R/W-00b
表 8-18 BRG_CTRL1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 HB1_CTRL R/W 00b 半桥 1 输出状态控制。
00b = 高阻抗 (HI-Z)。GH1 和 GL1 下拉电阻。
01b = 驱动低侧 (LO)。GH1 下拉电阻和 GL1 上拉电阻。
10b = 驱动高侧 (HI)。GH1 上拉电阻和 GL1 下拉电阻。
11b = 输入 PWM 控制。HB1_PWM、HB1_HL 和 HB1_FW。
5-4 HB2_CTRL R/W 00b 半桥 2 输出状态控制。
00b = 高阻抗 (HI-Z)。GH2 和 GL2 下拉电阻。
01b = 驱动低侧 (LO)。GH2 下拉电阻和 GL2 上拉电阻。
10b = 驱动高侧 (HI)。GH2 上拉电阻和 GL2 下拉电阻。
11b = 输入 PWM 控制。HB2_PWM、HB2_HL 和 HB2_FW。
3-2 HB3_CTRL R/W 00b 半桥 3 输出状态控制。
00b = 高阻抗 (HI-Z)。GH3 和 GL3 下拉电阻。
01b = 驱动低侧 (LO)。GH3 下拉电阻和 GL3 上拉电阻。
10b = 驱动高侧 (HI)。GH3 上拉电阻和 GL3 下拉电阻。
11b = 输入 PWM 控制。HB3_PWM、HB3_HL 和 HB3_FW。
1-0 HB4_CTRL R/W 00b 半桥 4 输出状态控制。
00b = 高阻抗 (HI-Z)。GH4 和 GL4 下拉电阻。
01b = 驱动低侧 (LO)。GH4 下拉电阻和 GL4 上拉电阻。
10b = 驱动高侧 (HI)。GH4 上拉电阻和 GL4 下拉电阻。
11b = 输入 PWM 控制。HB4_PWM、HB4_HL 和 HB4_FW。

8.3.2.4 BRG_CTRL2 寄存器（地址 = Ah）[复位 = 0h]

图 8-11 展示了 BRG_CTRL2，表 8-19 对其进行了介绍。

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用于设置半桥 5-8 输出状态的控制寄存器。

图 8-11 BRG_CTRL2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
HB5_CTRL HB6_CTRL HB7_CTRL HB8_CTRL
R/W-00b R/W-00b R/W-00b R/W-00b
表 8-19 BRG_CTRL2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 HB5_CTRL R/W 00b 半桥 5 输出状态控制。
00b = 高阻抗 (HI-Z)。GH5 和 GL5 下拉电阻。
01b = 驱动低侧 (LO)。GH5 下拉电阻和 GL5 上拉电阻。
10b = 驱动高侧 (HI)。GH5 上拉电阻和 GL5 下拉电阻。
11b = 输入 PWM 控制。HB5_PWM、HB5_HL 和 HB5_FW。
5-4 HB6_CTRL R/W 00b 半桥 6 输出状态控制。
00b = 高阻抗 (HI-Z)。GH6 和 GL6 下拉电阻。
01b = 驱动低侧 (LO)。GH6 下拉电阻和 GL6 上拉电阻。
10b = 驱动高侧 (HI)。GH6 上拉电阻和 GL6 下拉电阻。
11b = 输入 PWM 控制。HB6_PWM、HB6_HL 和 HB6_FW。
3-2 HB7_CTRL R/W 00b 半桥 7 输出状态控制。
00b = 高阻抗 (HI-Z)。GH7 和 GL7 下拉电阻。
01b = 驱动低侧 (LO)。GH7 下拉电阻和 GL7 上拉电阻。
10b = 驱动高侧 (HI)。GH7 上拉电阻和 GL7 下拉电阻。
11b = 输入 PWM 控制。HB7_PWM、HB7_HL 和 HB7_FW。
1-0 HB8_CTRL R/W 00b 半桥 8 输出状态控制。
00b = 高阻抗 (HI-Z)。GH8 和 GL8 下拉电阻。
01b = 驱动低侧 (LO)。GH8 下拉电阻和 GL8 上拉电阻。
10b = 驱动高侧 (HI)。GH8 上拉电阻和 GL8 下拉电阻。
11b = 输入 PWM 控制。HB8_PWM、HB8_HL 和 HB8_FW。

8.3.2.5 PWM_CTRL1 寄存器（地址 = Bh）[复位 = 5h]

图 8-12 展示了 PWM_CTRL1，表 8-20 对其进行了介绍。

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用于映射半桥 1-4 的输入 PWM 源的控制寄存器。

图 8-12 PWM_CTRL1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
HB1_PWM HB2_PWM HB3_PWM HB4_PWM
R/W-00b R/W-00b R/W-01b R/W-01b
表 8-20 PWM_CTRL1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 HB1_PWM R/W 00b 为半桥 1 配置 PWM 输入源。
00b = IN1
01b = IN2
10b = IN3
11b = IN4
5-4 HB2_PWM R/W 00b 为半桥 2 配置 PWM 输入源。
00b = IN1
01b = IN2
10b = IN3
11b = IN4
3-2 HB3_PWM R/W 01b 为半桥 3 配置 PWM 输入源。
00b = IN1
01b = IN2
10b = IN3
11b = IN4
1-0 HB4_PWM R/W 01b 为半桥 4 配置 PWM 输入源。
00b = IN1
01b = IN2
10b = IN3
11b = IN4

8.3.2.6 PWM_CTRL2 寄存器（地址 = Ch）[复位 = AFh]

图 8-13 展示了 PWM_CTRL2，表 8-21 对其进行了介绍。

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用于映射半桥 5-8 的输入 PWM 源的控制寄存器。

图 8-13 PWM_CTRL2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
HB5_PWM HB6_PWM HB7_PWM HB8_PWM
R/W-10b R/W-10b R/W-11b R/W-11b
表 8-21 PWM_CTRL2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 HB5_PWM R/W 10b 为半桥 5 配置 PWM 输入源。
00b = IN1
01b = IN2
10b = IN3
11b = IN4
5-4 HB6_PWM R/W 10b 为半桥 6 配置 PWM 输入源。
00b = IN1
01b = IN2
10b = IN3
11b = IN4
3-2 HB7_PWM R/W 11b 为半桥 7 配置 PWM 输入源。
00b = IN1
01b = IN2
10b = IN3
11b = IN4
1-0 HB8_PWM R/W 11b 为半桥 8 配置 PWM 输入源。
00b = IN1
01b = IN2
10b = IN3
11b = IN4

8.3.2.7 PWM_CTRL3 寄存器（地址 = Dh）[复位 = 0h]

图 8-14 展示了 PWM_CTRL3，表 8-22 对其进行了介绍。

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用于设置半桥 1-8 的 PWM 驱动 MOSFET（高电平或者低电平）的控制寄存器。

图 8-14 PWM_CTRL3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
HB1_HL HB2_HL HB3_HL HB4_HL HB5_HL HB6_HL HB7_HL HB8_HL
R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b
表 8-22 PWM_CTRL3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 HB1_HL R/W 0b 将半桥 1 PWM 设置为高侧或者低侧栅极驱动器。
0b = 将高侧设置为驱动 MOSFET。
1b = 将低侧设置为驱动 MOSFET。
6 HB2_HL R/W 0b 将半桥 2 PWM 设置为高侧或者低侧栅极驱动器。
0b = 将高侧设置为驱动 MOSFET。
1b = 将低侧设置为驱动 MOSFET。
5 HB3_HL R/W 0b 将半桥 3 PWM 设置为高侧或者低侧栅极驱动器。
0b = 将高侧设置为驱动 MOSFET。
1b = 将低侧设置为驱动 MOSFET。
4 HB4_HL R/W 0b 将半桥 4 PWM 设置为高侧或者低侧栅极驱动器。
0b = 将高侧设置为驱动 MOSFET。
1b = 将低侧设置为驱动 MOSFET。
3 HB5_HL R/W 0b 将半桥 5 PWM 设置为高侧或者低侧栅极驱动器。
0b = 将高侧设置为驱动 MOSFET。
1b = 将低侧设置为驱动 MOSFET。
2 HB6_HL R/W 0b 将半桥 6 PWM 设置为高侧或者低侧栅极驱动器。
0b = 将高侧设置为驱动 MOSFET。
1b = 将低侧设置为驱动 MOSFET。
1 HB7_HL R/W 0b 将半桥 7 PWM 设置为高侧或者低侧栅极驱动器。
0b = 将高侧设置为驱动 MOSFET。
1b = 将低侧设置为驱动 MOSFET。
0 HB8_HL R/W 0b 将半桥 8 PWM 设置为高侧或者低侧栅极驱动器。
0b = 将高侧设置为驱动 MOSFET。
1b = 将低侧设置为驱动 MOSFET。

8.3.2.8 PWM_CTRL4 寄存器（地址 = Eh）[复位 = 0h]

图 8-15 展示了 PWM_CTRL4，表 8-23 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置半桥 1-8 的 PWM 续流模式的控制寄存器。

图 8-15 PWM_CTRL4 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
HB1_FW HB2_FW HB3_FW HB4_FW HB5_FW HB6_FW HB7_FW HB8_FW
R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b
表 8-23 PWM_CTRL4 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 HB1_FW R/W 0b 为半桥 1 配置空转设置。
0b = 有效运行。在内部生成反相 PWM。
1b =无源。依赖续流二极管。
6 HB2_FW R/W 0b 为半桥 2 配置空转设置。
0b = 有效运行。在内部生成反相 PWM。
1b =无源。依赖续流二极管。
5 HB3_FW R/W 0b 为半桥 3 配置空转设置。
0b = 有效运行。在内部生成反相 PWM。
1b =无源。依赖续流二极管。
4 HB4_FW R/W 0b 为半桥 4 配置空转设置。
0b = 有效运行。在内部生成反相 PWM。
1b =无源。依赖续流二极管。
3 HB5_FW R/W 0b 为半桥 5 配置空转设置。
0b = 有效运行。在内部生成反相 PWM。
1b =无源。依赖续流二极管。
2 HB6_FW R/W 0b 为半桥 6 配置空转设置。
0b = 有效运行。在内部生成反相 PWM。
1b =无源。依赖续流二极管。
1 HB7_FW R/W 0b 为半桥 7 配置空转设置。
0b = 有效运行。在内部生成反相 PWM。
1b =无源。依赖续流二极管。
0 HB8_FW R/W 0b 为半桥 8 配置空转设置。
0b = 有效运行。在内部生成反相 PWM。
1b =无源。依赖续流二极管。

8.3.2.9 IDRV_CTRL1 寄存器（地址 = Fh）[复位 = FFh]

图 8-16 展示了 IDRV_CTRL1，表 8-24 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于配置半桥 1 高侧及低侧栅极驱动器的拉电流和灌电流的控制寄存器。

图 8-16 IDRV_CTRL1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRVP_1 IDRVN_1
R/W-1111b R/W-1111b
表 8-24 IDRV_CTRL1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 IDRVP_1 R/W 1111b 半桥 1 峰值源上拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO1)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)
3-0 IDRVN_1 R/W 1111b 半桥 1 峰值吸收下拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO1)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)

8.3.2.10 IDRV_CTRL2 寄存器（地址 = 10h）[复位 = FFh]

图 8-17 展示了 IDRV_CTRL2，表 8-25 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于配置半桥 2 高侧及低侧栅极驱动器的拉电流和灌电流的控制寄存器。

图 8-17 IDRV_CTRL2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRVP_2 IDRVN_2
R/W-1111b R/W-1111b
表 8-25 IDRV_CTRL2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 IDRVP_2 R/W 1111b 半桥 2 峰值源上拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO2)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)
3-0 IDRVN_2 R/W 1111b 半桥 2 峰值吸收下拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO2)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)

8.3.2.11 IDRV_CTRL3 寄存器（地址 = 11h）[复位 = FFh]

图 8-18 展示了 IDRV_CTRL3，表 8-26 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于配置半桥 3 高侧及低侧栅极驱动器的拉电流和灌电流的控制寄存器。

图 8-18 IDRV_CTRL3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRVP_3 IDRVN_3
R/W-1111b R/W-1111b
表 8-26 IDRV_CTRL3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 IDRVP_3 R/W 1111b 半桥 3 峰值源上拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO3)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)
3-0 IDRVN_3 R/W 1111b 半桥 3 峰值吸收下拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO3)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)

8.3.2.12 IDRV_CTRL4 寄存器（地址 = 12h）[复位 = FFh]

图 8-19 展示了 IDRV_CTRL4，表 8-27 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于配置半桥 4 高侧及低侧栅极驱动器的拉电流和灌电流的控制寄存器。

图 8-19 IDRV_CTRL4 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRVP_4 IDRVN_4
R/W-1111b R/W-1111b
表 8-27 IDRV_CTRL4 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 IDRVP_4 R/W 1111b 半桥 4 峰值源上拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO4)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)
3-0 IDRVN_4 R/W 1111b 半桥 4 峰值吸收下拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO4)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)

8.3.2.13 IDRV_CTRL5 寄存器（地址 = 13h）[复位 = FFh]

图 8-20 展示了 IDRV_CTRL5，表 8-28 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于配置半桥 5 高侧及低侧栅极驱动器的拉电流和灌电流的控制寄存器。

图 8-20 IDRV_CTRL5 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRVP_5 IDRVN_5
R/W-1111b R/W-1111b
表 8-28 IDRV_CTRL5 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 IDRVP_5 R/W 1111b 半桥 5 峰值源上拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO5)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)
3-0 IDRVN_5 R/W 1111b 半桥 5 峰值吸收下拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO5)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)

8.3.2.14 IDRV_CTRL6 寄存器（地址 = 14h）[复位 = FFh]

图 8-21 展示了 IDRV_CTRL6，表 8-29 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于配置半桥 6 高侧及低侧栅极驱动器的拉电流和灌电流的控制寄存器。

图 8-21 IDRV_CTRL6 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRVP_6 IDRVN_6
R/W-1111b R/W-1111b
表 8-29 IDRV_CTRL6 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 IDRVP_6 R/W 1111b 半桥 6 峰值源上拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO6)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)
3-0 IDRVN_6 R/W 1111b 半桥 6 峰值吸收下拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO6)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)

8.3.2.15 IDRV_CTRL7 寄存器（地址 = 15h）[复位 = FFh]

图 8-22 展示了 IDRV_CTRL7，表 8-30 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于配置半桥 7 高侧及低侧栅极驱动器的拉电流和灌电流的控制寄存器。

图 8-22 IDRV_CTRL7 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRVP_7 IDRVN_7
R/W-1111b R/W-1111b
表 8-30 IDRV_CTRL7 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 IDRVP_7 R/W 1111b 半桥 7 峰值源上拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO7)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)
3-0 IDRVN_7 R/W 1111b 半桥 7 峰值吸收下拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO7)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)

8.3.2.16 IDRV_CTRL8 寄存器（地址 = 16h）[复位 = FFh]

图 8-23 展示了 IDRV_CTRL8，表 8-31 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于配置半桥 8 高侧及低侧栅极驱动器的拉电流和灌电流的控制寄存器。

图 8-23 IDRV_CTRL8 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRVP_8 IDRVN_8
R/W-1111b R/W-1111b
表 8-31 IDRV_CTRL8 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 IDRVP_8 R/W 1111b 半桥 8 峰值源上拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO8)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)
3-0 IDRVN_8 R/W 1111b 半桥 8 峰值吸收下拉电流。括号中为备用低电流值 (IDRV_LO8)。
0000b = 0.5mA (50µA)
0001b = 1mA (110µA)
0010b = 2mA (170µA)
0011b = 3mA (230µA)
0100b = 4mA (290µA)
0101b = 5mA (350µA)
0110b = 6mA (410µA)
0111b = 7mA (600µA)
1000b = 8mA (725µA)
1001b = 12mA (850µA)
1010b = 16mA (1mA)
1011b = 20mA (1.2mA)
1100b = 24mA (1.4mA)
1101b = 31mA (1.6mA)
1110b = 48mA (1.8mA)
1111b = 62mA (2.3mA)

8.3.2.17 IDRV_CTRL9 寄存器（地址 = 17h）[复位 = 0h]

图 8-24 展示了 IDRV_CTRL9，表 8-32 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于使能半桥 1-8 的超低拉电流和灌电流设置的控制寄存器。

图 8-24 IDRV_CTRL9 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
IDRV_LO1 IDRV_LO2 IDRV_LO3 IDRV_LO4 IDRV_LO5 IDRV_LO6 IDRV_LO7 IDRV_LO8
R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b
表 8-32 IDRV_CTRL9 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 IDRV_LO1 R/W 0b 为半桥 1 使能低电流 IDRVN 和 IDRVP 模式。
0b = IDRVP_1 和 IDRVN_1 使用标准值。
1b = IDRVP_1 和 IDRVN_1 使用低电流值。
6 IDRV_LO2 R/W 0b 为半桥 2 使能低电流 IDRVN 和 IDRVP 模式。
0b = IDRVP_2 和 IDRVN_2 使用标准值。
1b = IDRVP_2 和 IDRVN_2 使用低电流值。
5 IDRV_LO3 R/W 0b 为半桥 3 使能低电流 IDRVN 和 IDRVP 模式。
0b = IDRVP_3 和 IDRVN_3 使用标准值。
1b = IDRVP_3 和 IDRVN_3 使用低电流值。
4 IDRV_LO4 R/W 0b 为半桥 4 使能低电流 IDRVN 和 IDRVP 模式。
0b = IDRVP_4 和 IDRVN_4 使用标准值。
1b = IDRVP_4 和 IDRVN_4 使用低电流值。
3 IDRV_LO5 R/W 0b 为半桥 5 使能低电流 IDRVN 和 IDRVP 模式。
0b = IDRVP_5 和 IDRVN_5 使用标准值。
1b = IDRVP_5 和 IDRVN_5 使用低电流值。
2 IDRV_LO6 R/W 0b 为半桥 6 使能低电流 IDRVN 和 IDRVP 模式。
0b = IDRVP_6 和 IDRVN_6 使用标准值。
1b = IDRVP_6 和 IDRVN_6 使用低电流值。
1 IDRV_LO7 R/W 0b 为半桥 7 使能低电流 IDRVN 和 IDRVP 模式。
0b = IDRVP_7 和 IDRVN_7 使用标准值。
1b = IDRVP_7 和 IDRVN_7 使用低电流值。
0 IDRV_LO8 R/W 0b 为半桥 8 使能低电流 IDRVN 和 IDRVP 模式。
0b = IDRVP_8 和 IDRVN_8 使用标准值。
1b = IDRVP_8 和 IDRVN_8 使用低电流值。

8.3.2.18 DRV_CTRL1 寄存器（地址 = 18h）[复位 = 0h]

图 8-25 展示了 DRV_CTRL1，表 8-33 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置 VGS 及 VDS 监控工作模式和配置的控制寄存器。

图 8-25 DRV_CTRL1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
VGS_MODE VGS_IND VGS_LVL VGS_HS_DIS VDS_MODE VDS_IND
R/W-00b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-00b R/W-0b
表 8-33 DRV_CTRL1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 VGS_MODE R/W 00b 半桥 1-8 的 VGS 栅极故障监控模式。
00b = 锁存故障。
01b = 逐周期。
10b = 仅警告报告。
11b = 禁用。
5 VGS_IND R/W 0b VGS 故障独立关断模式配置。
0b = 禁用。VGS 故障将关断全部半桥驱动器。
1b = 已使能。VGS 栅极故障只会将相关的半桥驱动器关断。
4 VGS_LVL R/W 0b 用于死区时间握手的 VGS 阈值比较器电平以及用于半桥驱动器的 VGS 故障监控器。
0b = 1.4V
1b = 1V
3 VGS_HS_DIS R/W 0b VGS 死区时间握手监控器禁用。
0b = 0x0
1b = 禁用。半桥转换仅基于 TDRIVE 及可编程数字死区时间延迟。
2-1 VDS_MODE R/W 00b 半桥 1-8 的 VDS 过流监控模式。
00b = 锁存故障。
01b = 逐周期。
10b = 仅警告报告。
11b = 禁用。
0 VDS_IND R/W 0b VDS 故障独立关断模式配置。
0b = 禁用。VDS 故障将关断全部半桥驱动器。
1b = 已使能。VDS 栅极故障只会将相关的半桥驱动器关断。

8.3.2.19 DRV_CTRL2 寄存器（地址 = 19h）[复位 = 12h]

图 8-26 展示了 DRV_CTRL2，表 8-34 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置 tDRV、VGS 驱动及 VDS 监控半桥 1-4 的消隐时间的控制寄存器。

图 8-26 DRV_CTRL2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED VGS_TDRV_12 VGS_TDRV_34
R-00b R/W-010b R/W-010b
表 8-34 DRV_CTRL2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 RESERVED R 00b 保留
5-3 VGS_TDRV_12 R/W 010b VGS 驱动及 VDS 监控半桥 1 和 2 的消隐时间。
000b = 2µs
001b = 4µs
010b = 8µs
011b = 12µs
100b = 16µs
101b = 24µs
110b = 32µs
111b = 96µs
2-0 VGS_TDRV_34 R/W 010b VGS 驱动及 VDS 监控半桥 3 和 4 的消隐时间。
000b = 2µs
001b = 4µs
010b = 8µs
011b = 12µs
100b = 16µs
101b = 24µs
110b = 32µs
111b = 96µs

8.3.2.20 DRV_CTRL3 寄存器（地址 = 1Ah）[复位 = 12h]

图 8-27 展示了 DRV_CTRL3，表 8-35 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置 tDRV、VGS 驱动及 VDS 监控半桥 5-8 的消隐时间的控制寄存器。

图 8-27 DRV_CTRL3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED VGS_TDRV_56 VGS_TDRV_78
R-00b R/W-010b R/W-010b
表 8-35 DRV_CTRL3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 RESERVED R 00b 保留
5-3 VGS_TDRV_56 R/W 010b VGS 驱动及 VDS 监控半桥 5 和 6 的消隐时间。
000b = 2µs
001b = 4µs
010b = 8µs
011b = 12µs
100b = 16µs
101b = 24µs
110b = 32µs
111b = 96µs
2-0 VGS_TDRV_78 R/W 010b VGS 驱动及 VDS 监控半桥 7 和 8 的消隐时间。
000b = 2µs
001b = 4µs
010b = 8µs
011b = 12µs
100b = 16µs
101b = 24µs
110b = 32µs
111b = 96µs

8.3.2.21 DRV_CTRL4 寄存器（地址 = 1Bh）[复位 = 0h]

图 8-28 展示了 DRV_CTRL4，表 8-36 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置 VGS tDEAD_D 的控制寄存器，用于半桥 1-8 的额外数字死区时间插入。

图 8-28 DRV_CTRL4 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
VGS_TDEAD_12 VGS_TDEAD_34 VGS_TDEAD_56 VGS_TDEAD_78
R/W-00b R/W-00b R/W-00b R/W-00b
表 8-36 DRV_CTRL4 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 VGS_TDEAD_12 R/W 00b 半桥 1 及 2 的可插入数字死区时间。
00b = 0µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs
5-4 VGS_TDEAD_34 R/W 00b 半桥 3 及 4 的可插入数字死区时间。
00b = 0µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs
3-2 VGS_TDEAD_56 R/W 00b 半桥 5 及 6 的可插入数字死区时间。
00b = 0µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs
1-0 VGS_TDEAD_78 R/W 00b 半桥 7 及 8 的可插入数字死区时间。
00b = 0µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs

8.3.2.22 DRV_CTRL5 寄存器（地址 = 1Ch）[复位 = AAh]

图 8-29 展示了 DRV_CTRL5，表 8-37 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

控制寄存器，用于设置 VDS 和 tDS_DG，即半桥 1-8 的过电流监控抗尖峰脉冲时间。

图 8-29 DRV_CTRL5 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
VDS_DG_12 VDS_DG_34 VDS_DG_56 VDS_DG_78
R/W-10b R/W-10b R/W-10b R/W-10b
表 8-37 DRV_CTRL5 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 VDS_DG_12 R/W 10b 半桥 1 及 2 的 VDS 过流监控抗尖峰脉冲时间。
00b = 1µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs
5-4 VDS_DG_34 R/W 10b 半桥 3 及 4 的 VDS 过流监控抗尖峰脉冲时间。
00b = 1µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs
3-2 VDS_DG_56 R/W 10b 半桥 5 及 6 的 VDS 过流监控抗尖峰脉冲时间。
00b = 1µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs
1-0 VDS_DG_78 R/W 10b 半桥 7 及 8 的 VDS 过流监控抗尖峰脉冲时间。
00b = 1µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs

8.3.2.23 DRV_CTRL6 寄存器（地址 = 1Dh）[复位 = 0h]

图 8-30 展示了 DRV_CTRL6，表 8-38 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置栅极下拉电流 (IDRVN) 以便响应半桥 1-8 的 VDS 过流故障的控制寄存器。

图 8-30 DRV_CTRL6 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
VDS_IDRVN_12 VDS_IDRVN_34 VDS_IDRVN_56 VDS_IDRVN_78
R/W-00b R/W-00b R/W-00b R/W-00b
表 8-38 DRV_CTRL6 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 VDS_IDRVN_12 R/W 00b 半桥 1 和 2 的 VDS_OCP 故障后的 IDRVN 栅极下拉电流。
00b = 已编程 IDRVN
01b = 8mA
10b = 31mA
11b = 62mA
5-4 VDS_IDRVN_34 R/W 00b 半桥 3 和 4 的 VDS_OCP 故障后的 IDRVN 栅极下拉电流。
00b = 已编程 IDRVN
01b = 8mA
10b = 31mA
11b = 62mA
3-2 VDS_IDRVN_56 R/W 00b 半桥 5 和 6 的 VDS_OCP 故障后的 IDRVN 栅极下拉电流。
00b = 已编程 IDRVN
01b = 8mA
10b = 31mA
11b = 62mA
1-0 VDS_IDRVN_78 R/W 00b 半桥 7 和 8 的 VDS_OCP 故障后的 IDRVN 栅极下拉电流。
00b = 已编程 IDRVN
01b = 8mA
10b = 31mA
11b = 62mA

8.3.2.24 VDS_CTRL1 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = DDh]

图 8-31 展示了 VDS_CTRL1，表 8-39 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置半桥 1 及 2 的 VDS 过流监控电压阈值的控制寄存器。

图 8-31 VDS_CTRL1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
VDS_LVL_1 VDS_LVL_2
R/W-1101b R/W-1101b
表 8-39 VDS_CTRL1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 VDS_LVL_1 R/W 1101b 半桥 1 VDS 过流监控阈值。
0000b = 0.06V
0001b = 0.08V
0010b = 0.10V
0011b = 0.12V
0100b = 0.14V
0101b = 0.16V
0110b = 0.18V
0111b = 0.2V
1000b = 0.3V
1001b = 0.4V
1010b = 0.5V
1011b = 0.6V
1100b = 0.7V
1101b = 1V
1110b = 1.4V
1111b = 2V
3-0 VDS_LVL_2 R/W 1101b 半桥 2 VDS 过流监控阈值。
0000b = 0.06V
0001b = 0.08V
0010b = 0.10V
0011b = 0.12V
0100b = 0.14V
0101b = 0.16V
0110b = 0.18V
0111b = 0.2V
1000b = 0.3V
1001b = 0.4V
1010b = 0.5V
1011b = 0.6V
1100b = 0.7V
1101b = 1V
1110b = 1.4V
1111b = 2V

8.3.2.25 VDS_CTRL2 寄存器（地址 = 20h）[复位 = DDh]

图 8-32 展示了 VDS_CTRL2，表 8-40 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置半桥 3 及 4 的 VDS 过流监控电压阈值的控制寄存器。

图 8-32 VDS_CTRL2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
VDS_LVL_3 VDS_LVL_4
R/W-1101b R/W-1101b
表 8-40 VDS_CTRL2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 VDS_LVL_3 R/W 1101b 半桥 3 VDS 过流监控阈值。
0000b = 0.06V
0001b = 0.08V
0010b = 0.10V
0011b = 0.12V
0100b = 0.14V
0101b = 0.16V
0110b = 0.18V
0111b = 0.2V
1000b = 0.3V
1001b = 0.4V
1010b = 0.5V
1011b = 0.6V
1100b = 0.7V
1101b = 1V
1110b = 1.4V
1111b = 2V
3-0 VDS_LVL_4 R/W 1101b 半桥 4 VDS 过流监控阈值。
0000b = 0.06V
0001b = 0.08V
0010b = 0.10V
0011b = 0.12V
0100b = 0.14V
0101b = 0.16V
0110b = 0.18V
0111b = 0.2V
1000b = 0.3V
1001b = 0.4V
1010b = 0.5V
1011b = 0.6V
1100b = 0.7V
1101b = 1V
1110b = 1.4V
1111b = 2V

8.3.2.26 VDS_CTRL3 寄存器（地址 = 21h）[复位 = DDh]

图 8-33 展示了 VDS_CTRL3，表 8-41 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置半桥 5 及 6 的 VDS 过流监控电压阈值的控制寄存器。

图 8-33 VDS_CTRL3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
VDS_LVL_5 VDS_LVL_6
R/W-1101b R/W-1101b
表 8-41 VDS_CTRL3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 VDS_LVL_5 R/W 1101b 半桥 5 VDS 过流监控阈值。
0000b = 0.06V
0001b = 0.08V
0010b = 0.10V
0011b = 0.12V
0100b = 0.14V
0101b = 0.16V
0110b = 0.18V
0111b = 0.2V
1000b = 0.3V
1001b = 0.4V
1010b = 0.5V
1011b = 0.6V
1100b = 0.7V
1101b = 1V
1110b = 1.4V
1111b = 2V
3-0 VDS_LVL_6 R/W 1101b 半桥 6 VDS 过流监控阈值。
0000b = 0.06V
0001b = 0.08V
0010b = 0.10V
0011b = 0.12V
0100b = 0.14V
0101b = 0.16V
0110b = 0.18V
0111b = 0.2V
1000b = 0.3V
1001b = 0.4V
1010b = 0.5V
1011b = 0.6V
1100b = 0.7V
1101b = 1V
1110b = 1.4V
1111b = 2V

8.3.2.27 VDS_CTRL4 寄存器（地址 = 22h）[复位 = DDh]

图 8-34 展示了 VDS_CTRL4，表 8-42 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于设置半桥 7 及 8 的 VDS 过流监控电压阈值的控制寄存器。

图 8-34 VDS_CTRL4 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
VDS_LVL_7 VDS_LVL_8
R/W-1101b R/W-1101b
表 8-42 VDS_CTRL4 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 VDS_LVL_7 R/W 1101b 半桥 7 VDS 过流监控阈值。
0000b = 0.06V
0001b = 0.08V
0010b = 0.10V
0011b = 0.12V
0100b = 0.14V
0101b = 0.16V
0110b = 0.18V
0111b = 0.2V
1000b = 0.3V
1001b = 0.4V
1010b = 0.5V
1011b = 0.6V
1100b = 0.7V
1101b = 1V
1110b = 1.4V
1111b = 2V
3-0 VDS_LVL_8 R/W 1101b 半桥 8 VDS 过流监控阈值。
0000b = 0.06V
0001b = 0.08V
0010b = 0.10V
0011b = 0.12V
0100b = 0.14V
0101b = 0.16V
0110b = 0.18V
0111b = 0.2V
1000b = 0.3V
1001b = 0.4V
1010b = 0.5V
1011b = 0.6V
1100b = 0.7V
1101b = 1V
1110b = 1.4V
1111b = 2V

8.3.2.28 OLSC_CTRL1 寄存器（地址 = 23h）[复位 = 0h]

图 8-35 展示了 OLSC_CTRL1，表 8-43 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于使能和禁用半桥 1-4 的离线诊断电流源的控制寄存器。

图 8-35 OLSC_CTRL1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
PU_SH1 PD_SH1 PU_SH2 PD_SH2 PU_SH3 PD_SH3 PU_SH4 PD_SH4
R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b
表 8-43 OLSC_CTRL1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 PU_SH1 R/W 0b 半桥 1 上拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
6 PD_SH1 R/W 0b 半桥 1 下拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
5 PU_SH2 R/W 0b 半桥 2 上拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
4 PD_SH2 R/W 0b 半桥 2 下拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
3 PU_SH3 R/W 0b 半桥 3 上拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
2 PD_SH3 R/W 0b 半桥 3 下拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
1 PU_SH4 R/W 0b 半桥 4 上拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
0 PD_SH4 R/W 0b 半桥 4 下拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。

8.3.2.29 OLSC_CTRL2 寄存器（地址 = 24h）[复位 = 0h]

图 8-36 展示了 OLSC_CTRL2，表 8-44 对其进行了介绍。

返回到汇总表。

用于使能和禁用半桥 5-8 的离线诊断电流源的控制寄存器。

图 8-36 OLSC_CTRL2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
PU_SH5 PD_SH5 PU_SH6 PD_SH6 PU_SH7 PD_SH7 PU_SH8 PD_SH8
R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b R/W-0b
表 8-44 OLSC_CTRL2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 PU_SH5 R/W 0b 半桥 5 上拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
6 PD_SH5 R/W 0b 半桥 5 下拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
5 PU_SH6 R/W 0b 半桥 6 上拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
4 PD_SH6 R/W 0b 半桥 6 下拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
3 PU_SH7 R/W 0b 半桥 7 上拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
2 PD_SH7 R/W 0b 半桥 7 下拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
1 PU_SH8 R/W 0b 半桥 8 上拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。
0 PD_SH8 R/W 0b 半桥 8 下拉诊断电流源。设置 EN_OLSC = 1b 以使用。
0b = 禁用。
1b = 已使能。

8.3.2.30 UVOV_CTRL 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 14h]

UVOV_CTRL 如图 8-37 所示，并在表 8-45 中进行了说明。

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用于设置欠压及过压监控配置的控制寄存器。

图 8-37 UVOV_CTRL 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
PVDD_UV_MODE PVDD_OV_MODE PVDD_OV_DG PVDD_OV_LVL VCP_UV_MODE VCP_UV_LVL
R/W-0b R/W-00b R/W-10b R/W-1b R/W-0b R/W-0b
表 8-45 UVOV_CTRL 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 PVDD_UV_MODE R/W 0b PVDD 电源欠压监控模式。
0b = 锁存故障。
1b = 自动恢复。
6-5 PVDD_OV_MODE R/W 00b PVDD 电源过压监控模式。
00b = 锁存故障。
01b = 自动恢复。
10b = 仅警告报告。
11b = 禁用。
4-3 PVDD_OV_DG R/W 10b PVDD 电源过压监控抗尖峰脉冲时间。
00b = 1µs
01b = 2µs
10b = 4µs
11b = 8µs
2 PVDD_OV_LVL R/W 1b PVDD 电源过压监控阈值。
0b = 21.5V
1b = 28.5V
1 VCP_UV_MODE R/W 0b VCP 电荷泵欠压监控模式。
0b = 锁存故障。
1b = 自动恢复。
0 VCP_UV_LVL R/W 0b VCP 电荷泵欠压监控阈值。
0b = 4.75V
1b = 6.25V

8.3.2.31 CSA_CTRL1 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 9h]

图 8-38 展示了 CSA_CTRL1，表 8-46 对其进行了介绍。

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用于分流放大器 1 及 2 的增益和基准电压的控制寄存器。

图 8-38 CSA_CTRL1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED CSA_DIV_1 CSA_GAIN_1 CSA_DIV_2 CSA_GAIN_2
R-00b R/W-0b R/W-01b R/W-0b R/W-01b
表 8-46 CSA_CTRL1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 RESERVED R 00b 保留
5 CSA_DIV_1 R/W 0b 电流分流放大器 1 基准电压分压器。
0b = AREF / 2
1b = AREF / 8
4-3 CSA_GAIN_1 R/W 01b 电流分流放大器 1 增益设置。
00b = 10V/V
01b = 20V/V
10b = 40V/V
11b = 80V/V
2 CSA_DIV_2 R/W 0b 电流分流放大器 2 基准电压分压器。
0b = AREF / 2
1b = AREF / 8
1-0 CSA_GAIN_2 R/W 01b 电流分流放大器 2 增益设置。
00b = 10V/V
01b = 20V/V
10b = 40V/V
11b = 80V/V

8.3.2.32 CSA_CTRL2 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0h]

图 8-39 展示了 CSA_CTRL2，表 8-47 对其进行了介绍。

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用于分流放大器 1 消隐配置的控制寄存器。

图 8-39 CSA_CTRL2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED CSA_BLK_SEL_1 CSA_BLK_LVL_1
R-00b R/W-000b R/W-000b
表 8-47 CSA_CTRL2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 RESERVED R 00b 保留
5-3 CSA_BLK_SEL_1 R/W 000b 电流分流放大器 1 消隐触发源。
000b = 半桥 1
001b = 半桥 2
010b = 半桥 3
011b = 半桥 4
100b = 半桥 5
101b = 半桥 6
110b = 半桥 7
111b = 半桥 8
2-0 CSA_BLK_LVL_1 R/W 000b 电流分流放大器 1 消隐时间。tDRV 的百分比。
000b = 0 %，禁用
001b = 25 %
010b = 37.5 %
011b = 50 %
100b = 62.5 %
101b = 75 %
110b = 87.5 %
111b = 100 %

8.3.2.33 CSA_CTRL3 寄存器（地址 = 28h）[复位 = 20h]

图 8-40 展示了 CSA_CTRL3，表 8-48 对其进行了介绍。

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用于分流放大器 2 消隐配置的控制寄存器。

图 8-40 CSA_CTRL3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED CSA_BLK_SEL_2 CSA_BLK_LVL_2
R-00b R/W-100b R/W-000b
表 8-48 CSA_CTRL3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 RESERVED R 00b 保留
5-3 CSA_BLK_SEL_2 R/W 100b 电流分流放大器 2 消隐触发源。
000b = 半桥 1
001b = 半桥 2
010b = 半桥 3
011b = 半桥 4
100b = 半桥 5
101b = 半桥 6
110b = 半桥 7
111b = 半桥 8
2-0 CSA_BLK_LVL_2 R/W 000b 电流分流放大器 2 消隐时间。tDRV 的百分比。
000b = 0 %，禁用
001b = 25 %
010b = 37.5 %
011b = 50 %
100b = 62.5 %
101b = 75 %
110b = 87.5 %
111b = 100 %