ZHCSG08F October 2016 – June 2026 DRV8702-Q1 , DRV8703-Q1
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源(VM、AVDD、DVDD) | ||||||
| t(SLEEP) | 睡眠时间 | nSLEEP = 低电平至睡眠模式 | 100 | µs | ||
| t(wu) | 唤醒时间 | nSLEEP = 高电平至输出变化 | 1 | ms | ||
| ton | 导通时间 | VM > UVLO2 至输出切换 | 1 | ms | ||
| 电荷泵(VCP、CPH、CPL) | ||||||
| fS(VCP) | 电荷泵开关频率 | VM > UVLO2 | 200 | 400 | 700 | kHz |
| 控制输入(IN1、IN2、nSLEEP、MODE、nSCS、SCLK、SDI、PH、EN) | ||||||
| tpd | 传播延迟 | IN1、IN2 至 GHx 或 GLx | 500 | ns | ||
| FET 栅极驱动器(GH1、GH2、SH1、SH2、GL1、GL2) | ||||||
| t(DEAD) | 输出死区时间 (DRV8702-Q1) | 观察到的 t(DEAD) 取决于 IDRIVE 设置 | 240 | ns | ||
| t(DEAD) | 输出死区时间 (DRV8703-Q1) | TDEAD = 2'b00;观察到的 t(DEAD) 取决于 IDRIVE 设置 | 120 | ns | ||
| TDEAD = 2'b01;观察到的 t(DEAD) 取决于 IDRIVE 设置 | 240 | |||||
| TDEAD = 2'b10;观察到的 t(DEAD) 取决于 IDRIVE 设置 | 480 | |||||
| TDEAD = 2'b11;观察到的 t(DEAD) 取决于 IDRIVE 设置 | 960 | |||||
| t(DRIVE) | 栅极驱动时间 | 2.5 | µs | |||
| 电流并联放大器和 PWM 电流控制(SP、SN、SO、VREF) | ||||||
| tS | 精度达 ±1% 的趋稳时间(1) | VSP = VSN = GND 至 VSP = 240mV,VSN = GND,AV = 10;C(SO) = 200pF | 0.5 | µs | ||
| VSP = VSN = GND 至 VSP = 120mV,VSN = GND,AV = 20;C(SO) = 200pF | 1 | |||||
| VSP = VSN = GND 至 VSP = 60mV,VSN = GND,AV = 40;C(SO) = 200pF | 2 | |||||
| VSP = VSN = GND 至 VSP = 30mV,VSN = GND,AV = 80;C(SO) = 200pF | 4 | |||||
| toff | PWM 关断时间 (DRV8702-Q1) | 25 | µs | |||
| toff | PWM 关断时间 (DRV8703-Q1) | TOFF = 00 | 25 | µs | ||
| TOFF = 01 | 50 | |||||
| TOFF = 10 | 100 | |||||
| TOFF = 11 | 200 | |||||
| t(BLANK) | PWM 消隐时间 | 2 | µs | |||
| 保护电路 | ||||||
| t(UVLO) | VM UVLO 下降抗尖峰脉冲时间 | VM 下降;UVLO 报告 | 10 | µs | ||
| t(OCP) | 过流抗尖峰时间 | 3.7 | 4 | 4.3 | µs | |
| t(RETRY) | 过流重试时间 | 2.8 | 3 | 3.2 | ms | |
| t(WD) | 看门狗超时 (DRV8703-Q1) | WD_DLY = 2’b00 | 10 | ms | ||
| WD_DLY = 2’b01 | 20 | |||||
| WD_DLY = 2’b10 | 50 | |||||
| WD_DLY = 2’b11 | 100 | |||||
| t(RESET) | 看门狗计时器复位周期 | 64 | µs | |||
| SPI | ||||||
| t(SPI_READY) | 上电后的 SPI 读取 | VM > VUVLO1 | 5 | 10 | ms | |
| td(SDO) | SDO 输出数据延迟时间,CLK 高电平至 SDO 有效 | CL = 20pF | 30 | ns | ||
| ta | SCS 访问时间,SCS 低电平至 SDO 退出高阻抗状态 | 10 | ns | |||
| tdis | SCS 禁用时间,SCS 高电平至 SDO 进入高阻抗状态 | 10 | ns | |||