ZHCSN20 April   2020 DRV8434A

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 分度器时序要求
      1. 6.6.1 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能模块图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 步进电机驱动器电流额定值
        1. 7.3.1.1 峰值电流额定值
        2. 7.3.1.2 均方根电流额定值
        3. 7.3.1.3 满量程电流额定值
      2. 7.3.2 PWM 电机驱动器
      3. 7.3.3 微步进分度器
      4. 7.3.4 通过 MCU DAC 控制 VREF
      5. 7.3.5 电流调节和衰减模式
        1. 7.3.5.1 智能调优纹波控制
        2. 7.3.5.2 消隐时间
      6. 7.3.6 电荷泵
      7. 7.3.7 线性稳压器
      8. 7.3.8 逻辑电平、三电平和四电平引脚图
        1. 7.3.8.1 nFAULT 引脚
      9. 7.3.9 保护电路
        1. 7.3.9.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.9.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.9.3 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.9.4 失速检测
        5. 7.3.9.5 开路负载检测 (OL)
        6. 7.3.9.6 热关断 (OTSD)
        7.       故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2.      43
      3. 7.4.2 禁用模式（nSLEEP = 1，ENABLE = 0）
      4. 7.4.3 工作模式（nSLEEP = 1，ENABLE = Hi-Z/1）
      5. 7.4.4 nSLEEP 复位脉冲
      6.      功能模式汇总
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 步进电机转速
        2. 8.2.2.2 电流调节
        3. 8.2.2.3 衰减模式
        4. 8.2.2.4 应用曲线
        5. 8.2.2.5 热应用
          1. 8.2.2.5.1 功率损耗
          2. 8.2.2.5.2 导通损耗
          3. 8.2.2.5.3 开关损耗
          4. 8.2.2.5.4 由于静态电流造成的功率损耗
          5. 8.2.2.5.5 总功率损耗
          6. 8.2.2.5.6 器件结温估算
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.5 电流调节和衰减模式

DRV8434A 以智能调优纹波控制衰减模式运行，该模式在 PWM 电流调节期间仅使用慢速衰减。PWM 调节电流由比较器设置，该比较器监测与低侧功率 MOSFET 并联的电流检测 MOSFET 两端的电压。电流检测 MOSFET 通过基准电流进行偏置，该基准电流是电流模式正弦加权 DAC 的输出，其满量程基准电流通过 VREF 引脚的电压进行设置。

您可以使用以下公式计算满量程调节电流 (IFS)：IFS (A) = VREF (V)/KV (V/A) = VREF (V)/1.32 (V/A)。

在 PWM 电流斩波期间，将启用 H 桥以驱动电流流过电机绕组，直至达到 PWM 电流斩波阈值。之后，通过启用 H 桥的两个低侧 MOSFET 来实现绕组电流的再循环。