ZHCSN20 April 2020 DRV8434A
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源电压(VM、DVDD) | ||||||
IVM | VM 工作电源电流 | ENABLE = 1,nSLEEP = 1,无电机负载 | 5 | 6.5 | mA | |
IVMQ | VM 睡眠模式电源电流 | nSLEEP = 0 | 2 | 4 | μA | |
tSLEEP | 休眠时间 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 |
120 |
μs | ||
tRESET | nSLEEP 复位脉冲 | nSLEEP 低电平至清除故障 |
20 |
40 |
μs | |
tWAKE | 唤醒时间 | nSLEEP = 1 至输出转换 | 0.8 | 1.2 | ms | |
tON | 开通时间 | VM > UVLO 至输出转换 | 0.8 | 1.2 | ms | |
tEN |
启用时间 |
ENABLE = 0/1 至输出转换 |
5 |
μs | ||
VDVDD | 内部稳压器电压 | 无外部负载,6V < VVM < 48V | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
无外部负载,VVM = 4.5V |
4.2 |
4.35 |
V |
|||
电荷泵(VCP、CPH、CPL) | ||||||
VVCP | VCP 工作电压 | 6V < VVM < 48V | VVM + 5 | V | ||
f(VCP) | 电荷泵开关频率 | VVM > UVLO;nSLEEP = 1 | 360 | kHz | ||
逻辑电平输入(STEP、DIR、nSLEEP) | ||||||
VIL | 输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.6 | V | ||
VIH | 输入逻辑高电平电压 | 1.5 | 5.5 | V | ||
VHYS | 输入逻辑迟滞 | 150 | mV | |||
IIL | 输入逻辑低电平电流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
IIH | 输入逻辑高电平电流 | VIN = 5V | 100 | μA | ||
三电平输入(M0、ENABLE) | ||||||
VI1 | 输入逻辑低电平电压 | 连接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
VI2 | 输入高阻抗电压 | 高阻态 | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
VI3 | 输入逻辑高电平电压 | 连接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
IO | 输出上拉电流 | 10 | μA | |||
四电平输入(M1、STL_MODE) | ||||||
VI1 | 输入逻辑低电平电压 | 连接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
VI2 | 330kΩ ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | 1.4 | V | |
VI3 | 输入高阻抗电压 | 高阻态 | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
VI4 | 输入逻辑高电平电压 | 连接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
IIL | 输出上拉电流 | 10 | μA | |||
扭矩计数输入/失速阈值输出 (TRQ_CNT/STL_TH) | ||||||
VO1 | 输出低电压 | STL_MODE = 0V | 0.1 | V | ||
VO2 | 输出高电压 | STL_MODE = 0V | 2.4 | V | ||
VI1 | 输入低电压 | STL_MODE = DVDD | 0.1 | V | ||
VI2 | 输入高电压 | STL_MODE = DVDD | 2.4 | V | ||
NBIT | 扭矩计数 DAC 分辨率 | 12 | 位 | |||
CLOAD | TRQ_CNT/STL_TH 引脚容性负载 | RLOAD = 无限,相位裕度 = 45° | 1 | nF | ||
ISHORT | TRQ_CNT/STL_TH 引脚短路电流 | 满量程输出短路接地 | 2 | mA | ||
tS | DAC 输出电压稳定时间 | 99% 的最终目标 | 50 | μs | ||
控制输出(nFAULT、STL_REP) | ||||||
VOL | 输出逻辑低电平电压 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
IOH | 输出逻辑高电平泄漏电流 | -1 | 1 | μA | ||
VIL | 输入逻辑低电平电压 | STL_REP,下拉到低电平,以禁用失速报告 | 0 | 0.6 | V | |
VIH | 输入逻辑高电平电压 | STL_REP,下拉到高电平,以启用失速报告 | 1.5 | 5.5 | V | |
电机驱动器输出(AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2) | ||||||
RDS(ON) | 高侧 FET 导通电阻 | TJ = 25°C、IO = -1A | 165 | 200 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = -1A | 250 | 300 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = -1A | 280 | 350 | mΩ | |||
RDS(ON) | 低侧 FET 导通电阻 | TJ = 25°C、IO = 1A | 165 | 200 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = 1A | 250 | 300 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = 1A | 280 | 350 | mΩ | |||
tSR | 输出压摆率 | VVM = 24V、IO = 1A,在 10% 至 90% 之间 | 240 | V/µs | ||
PWM 电流控制 (VREF) | ||||||
KV | 跨阻增益 |
VREF = 3.3V |
1.254 | 1.32 | 1.386 | V/A |
IVREF |
VREF 泄漏电流 |
VREF = 3.3V |
8.25 |
μA | ||
ΔITRIP | 电流跳变精度 | 0.25A < IO < 0.5A | –12 | 12 | % | |
0.5A < IO < 1A | -6 |
6 |
||||
1A < IO < 2.5A | -4 |
4 |
||||
IO,CH | AOUT 和 BOUT 电流匹配 | IO = 2.5A | -2.5 | 2.5 | % | |
保护电路 | ||||||
VUVLO | VM UVLO 锁定 | VM 下降,UVLO 下降 | 4.1 | 4.25 | 4.35 | V |
VM 上升,UVLO 上升 | 4.2 | 4.35 | 4.45 | |||
VUVLO,HYS | 欠压迟滞 | 上升至下降阈值 | 100 | mV | ||
VCPUV | 电荷泵欠压 | VCP 下降;CPUV 报告 | VVM + 2 | V | ||
IOCP | 过流保护 | 流经任何 FET 的电流 | 4 | A | ||
tOCP | 过流抗尖峰时间 | 2 | μs | |||
tRETRY | 过流重试时间 | 4 | ms | |||
tOL | 开路负载检测时间 | 50 | ms | |||
IOL | 开路负载电流阈值 | 75 | mA | |||
TOTSD | 热关断 | 内核温度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
THYS_OTSD | 热关断迟滞 | 内核温度 TJ | 20 | °C |