ZHCSMX4D September 2020 – March 2022 DRV8300
PRODUCTION DATA
DRV8300 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300D 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。DRV8300N 使用外部自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。
相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125V) 绝对最大值,从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
器件型号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
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DRV8300DIPW | TSSOP (20) | 6.40mm × 4.40mm |
DRV8300DPW | TSSOP (20) | 6.40mm × 4.40mm |
DRV8300NIPW | TSSOP (20) | 6.40mm × 4.40mm |
DRV8300NPW | TSSOP (20) | 6.40mm × 4.40mm |
DRV8300DRGE | VQFN (24) | 4.00mm × 4.00mm |
DRV8300NRGE | VQFN (24) | 4.00mm × 4.00mm |