由于 DRV8218 器件集成了能够驱动高电流的功率 MOSFET，因此，应特别注意布局设计和外部元件放置。下面提供了一些设计和布局指南。有关布局建议的更多信息，请参阅应用手册电机驱动器电路板布局最佳实践。
- 使用低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 和 VCC 引脚旁路至 GND。建议使用 0.1uF 以及 X5R 和 X7R 类型的电容。为获得最佳性能，应将这些电容器放置在尽可能靠近器件的位置，以尽可能减小环路电感。
- VM 电源大容量电容器可以是陶瓷电容器或电解电容器，并且建议应将其放置在尽可能靠近器件的位置，以尽可能减小回路电感。
- VM、OUT1、OUT2 和 GND 承载着从电源传输到输出，然后重新传回到接地的高电流。如果可行，应对这些布线使用厚金属布线或自定义多边形覆铜。
- 可以通过散热过孔将器件散热焊盘连接到 PCB 顶层接地平面和内部接地平面（如果可用），以尽可能提高 PCB 散热效果。
- 应尽可能扩大与散热焊盘相连的铜皮面积，提升散热效果。
- 有关电机驱动器的热管理、布线技术、电容器放置和接地优化的更多信息，请参阅应用手册 — 电机驱动器电路板布局的最佳实践。