DRV8218
- N 沟道 H 桥电机驱动器
- 1.8V 至 11V 工作电源电压范围
- 高输出电流能力:8A 峰值
- 80mΩ RDS(ON)(高侧 + 低侧)
- 每个 FET 40mΩ
- 并联半桥模式 RDS(on): 20mΩ (HS1||HS2)
- 120nA 超低功耗睡眠模式
- 在 VVM = 5V、VVCC = 3.3V、TJ = 25°C 时 <120nA
- 定时自动睡眠模式以减少 GPIO
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 支持 PWM、PH/EN、独立半桥、并联半桥多种模式,适配灵活应用场景并减少了 GPIO
- 保护特性
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过流保护 (OCP)
- 热关断 (TSD)
- 可驱动各种类型的负载:
- 一个双向有刷直流电机
- 两个单向有刷直流电机
- 单线圈或双线圈闩锁继电器
- 推挽式和双稳态螺线管
- 其他电阻、电感或 LED 负载
- 器件产品系列。请参阅器件比较表了解详细信息。
DRV8218 是一款集成 H 桥电机驱动器,具有四个 N 沟道功率 FET、电荷泵稳压器和内置保护电路。三倍电荷泵架构支持在低至 1.8V 的电压下运行,即使在电池电压较低的情况下也能保持稳定的 RDS(on)。所有电容器均已集成,从而显著减少了 PCB 占用空间并实现 100% 占空比运行。
该器件支持三种控制接口模式,包括 PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、独立半桥以及并行半桥模式。每个接口都包括低功耗睡眠模式,通过关断大多数内部电路,可将静态电流降低至 120nA 以下。
输出电流峰值高达 8A,逻辑电源电压范围为 1.8V 至 5.5V,电机电源电压范围为 1.8V 至 11V。这些内置的保护功能包括欠压锁定 (UVLO)、过流保护 (OCP) 和热关断 (TSD)。DRV8218 属于引脚对引脚兼容系列,具有可扩展的 RDS(on) 和电源电压选项。请参阅器件比较,了解详细信息;或访问 ti.com,了解 TI 的完整有刷电机驱动器产品系列。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | DRV8218 11V 8A H 桥电机驱动器,具备 PWM、PH/EN、半桥控制接口以及低功耗睡眠模式 数据表 | PDF | HTML | 2026年 5月 12日 | ||
| 应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计与开发
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评估板
DRV8212EVM — DRV8212 具有低功耗睡眠模式的低电压 H 桥电机驱动器评估模块
DRV8212 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8212 电机驱动器。
DRV8212 集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器以及保护电路。该器件支持 PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、独立半桥和并行半桥控制模式。
EVM 配备了电位器,可用于设置输入控制引脚(PH/IN1、EN/IN2)的占空比。
用户指南:
PDF
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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