ZHDS220 May   2026 DRV8218

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 瞬态电流能力
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 控制模式
        1. 7.4.1.1 PWM 控制模式 (MODE = 0)
        2. 7.4.1.2 PH/EN 控制模式 (MODE = 1)
        3. 7.4.1.3 独立半桥控制模式 (MODE = Hi-Z)
      2. 7.4.2 引脚图
        1. 7.4.2.1 逻辑电平输入
        2. 7.4.2.2 三电平输入
      3. 7.4.3 保护电路
        1. 7.4.3.1 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.4.3.2 OUTx 过流保护（OCP）
        3. 7.4.3.3 热关断 (TSD)
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 工作模式
      2. 7.5.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.5.3 故障模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 全桥驱动
        1. 8.2.1.1 电源电压
        2. 8.2.1.2 控制接口 - 全桥
        3. 8.2.1.3 低功耗操作
        4. 8.2.1.4 应用曲线
      2. 8.2.2 半桥驱动
        1. 8.2.2.1 控制接口
        2. 8.2.2.2 低功耗操作
        3. 8.2.2.3 应用曲线
      3. 8.2.3 并联多个驱动器
      4. 8.2.4 双线圈继电器驱动
        1. 8.2.4.1 控制接口
        2. 8.2.4.2 低功耗操作
        3. 8.2.4.3 应用曲线
      5. 8.2.5 电流检测
        1. 8.2.5.1 设计要求
        2. 8.2.5.2 详细设计过程
          1. 8.2.5.2.1 分流电阻器阻值调整
          2. 8.2.5.2.2 RC 滤波器
    3. 8.3 电流能力和热性能
      1. 8.3.1 功耗和输出电流能力
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 大容量电容
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1 概述

DRV8218 是一款完全集成的 H 桥电机驱动器，采用紧凑的 2×2mm WSON 封装规格，可提供超过 4A 的直流电流。四个集成的 N 沟道功率 MOSFET 提供仅为 80mΩ 的组合 RDS(on)，与等效分立式 FET 解决方案相比，可节省高达 93% 的电路板面积，同时无需外部栅极电阻器、反激式二极管和自举电容器。

具有所有片上集成电容器的三倍电荷泵架构在整个 1.8V 至 11V 电机电源电压范围内保持稳定的 RDS(on)，即使在分立式解决方案性能下降的低电池电压下也是如此。DRV8218 的最小电源电压为 1.8V，非常适合单节锂离子电池、多节碱性电池和其他电池供电应用。完全集成的电荷泵还可实现 100% PWM 占空比运行，并支持高达 100kHz 的 PWM 频率。

该器件支持三种控制接口模式：PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN) 和独立半桥 - 可通过三电平 MODE 引脚进行选择。PH/EN 模式支持通过单个微控制器计时器外设，进行双向电机控制。在半桥模式下，两个输出都可以并联以实现 20mΩ 有效 RDS(on)，适用于高电流单负载应用。所有模式下的自动死区时间生成无需手动匹配的 FET 时序来防止击穿，从而简化了固件并缩短了上市时间。

该器件不需要专用睡眠 GPIO，而是在输入保持非活动状态 tAUTOSLEEP (7–14ms) 后自动进入睡眠模式，将静态电流降低至 120nA 以下，从而延长电池寿命。或者，可通过微控制器 GPIO 驱动 VCC 引脚，来通过 UVLO 进入睡眠模式。

片上保护包括过流保护 (OCP)、热关断 (TSD) 和欠压锁定 (UVLO)，可防止短路、过热和电源压降，从而提高系统可靠性并可能消除对外部保险丝的需求。所有故障自动恢复。在半桥模式下，OCP 针对每个输出独立运行，从而允许不受影响的通道在单通道故障期间继续正常运行。

DRV8218 属于引脚对引脚兼容的驱动器系列，具有可扩展的 RDS (on) 和电源电压选项。有关完整的器件比较、请参阅节 4。