ZHDS220 May   2026 DRV8218

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 瞬态电流能力
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 控制模式
        1. 7.4.1.1 PWM 控制模式 (MODE = 0)
        2. 7.4.1.2 PH/EN 控制模式 (MODE = 1)
        3. 7.4.1.3 独立半桥控制模式 (MODE = Hi-Z)
      2. 7.4.2 引脚图
        1. 7.4.2.1 逻辑电平输入
        2. 7.4.2.2 三电平输入
      3. 7.4.3 保护电路
        1. 7.4.3.1 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.4.3.2 OUTx 过流保护（OCP）
        3. 7.4.3.3 热关断 (TSD)
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 工作模式
      2. 7.5.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.5.3 故障模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 全桥驱动
        1. 8.2.1.1 电源电压
        2. 8.2.1.2 控制接口 - 全桥
        3. 8.2.1.3 低功耗操作
        4. 8.2.1.4 应用曲线
      2. 8.2.2 半桥驱动
        1. 8.2.2.1 控制接口
        2. 8.2.2.2 低功耗操作
        3. 8.2.2.3 应用曲线
      3. 8.2.3 并联多个驱动器
      4. 8.2.4 双线圈继电器驱动
        1. 8.2.4.1 控制接口
        2. 8.2.4.2 低功耗操作
        3. 8.2.4.3 应用曲线
      5. 8.2.5 电流检测
        1. 8.2.5.1 设计要求
        2. 8.2.5.2 详细设计过程
          1. 8.2.5.2.1 分流电阻器阻值调整
          2. 8.2.5.2.2 RC 滤波器
    3. 8.3 电流能力和热性能
      1. 8.3.1 功耗和输出电流能力
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 大容量电容
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5.2 低功耗睡眠模式

DRV8218 支持低功耗睡眠模式，可在驱动器未工作时减少 VM 和 VCC 的电流消耗。有两种方法可以进入低功耗睡眠模式：自动睡眠和使用 VCC 引脚。在自动睡眠模式下，器件消耗的电流最少，由 IVCCQ 和 IVMQ 表示。在 VCC 睡眠模式下，该器件消耗的电流最少（由 IVMQ_UV 和 IVCCQ_UV 表示），因为器件处于欠压锁定 (UVLO) 状态，VCC 低于 UVLO 阈值。

DRV8218 睡眠模式进入和唤醒时序图图 7-6 睡眠模式进入和唤醒时序图

Autosleep

表 7-7 介绍了如何在 PWM 控制模式和 PH/EN 控制模式下进入低功耗睡眠模式。

表 7-7 Autosleep 模式汇总
输入引脚状态 OUT1 OUT2 说明 退出/唤醒
MODE = 0，IN1 = IN2 = 0 高阻态 高阻态 PWM 或半桥接口自动睡眠：进入该状态后，输出将被禁用。该器件将保持工作模式 tAUTOSLEEP 时间，然后进入低功耗模式。 IN1 = 1 或 IN2 = 1
MODE = 1，EN = 0 L → 高阻态 L → 高阻态 PH/EN 接口自动睡眠：进入该状态后，通过接通低侧 FET，两个输出都进入制动模式。该器件将保持此状态 tAUTOSLEEP 时间，然后进入低功耗模式。处于低功耗模式后，输出将被禁用。 EN = 1

当输入引脚转为表 7-7 中所述状态之外的其他状态时，器件将返回运行模式。要将器件从自动睡眠模式唤醒，INx 引脚或 EN 引脚（取决于 MODE 状态）必须设置为高电平超过 tWAKE 时间，然后才能接收 PWM 输入信号。

VCC = 0V UVLO 睡眠模式

表 7-8 作为睡眠引脚的 VCC 电源汇总
输入引脚状态 OUT1 OUT2 说明 退出/唤醒
VCC = 0V、MODE = 0 (PWM) UVLO (Hi-Z) UVLO (Hi-Z) VCC 引脚可以由 GPIO 引脚供电，以控制器件进入睡眠模式。将 GPIO 驱动为低电平会将 VCC 拉至 UVLO 阈值以下，从而将器件置于低功耗模式并将所有输出设置为 Hi-Z。有关详细信息，请参阅节 8.2.2.2。 VCC > VUVLO，然后 IN1 或 IN2 = 1 并保持 tWAKE 时间
VCC = 0V、MODE = 1 (PH/EN) UVLO (Hi-Z) UVLO (Hi-Z) VCC > VUVLO，然后 EN = 1 并保持 tWAKE 时间
VCC = 0V、MODE = Hi-Z（半桥） UVLO (Hi-Z) UVLO (Hi-Z) VCC > VUVLO，然后 IN1 或 IN2 = 1 并保持 tWAKE 时间。

要将器件从 VCC 睡眠模式唤醒，VCC 引脚电压必须大于 VUVLO,VCC。VCC 引脚具有有效电压后，必须将一个或两个 INx 引脚设置为高电平超过 tWAKE 时间才能完全唤醒器件。为了保护微控制器 GPIO 引脚免受去耦电容充电电流造成的过电流影响，需要在 GPIO 和 VCC 引脚上的去耦电容之间添加一个电阻。有关设计此限流电阻的更多信息，请参阅节 8.2.2.2。

为确保尽可能减少电源电流消耗，可将所有输入引脚设置为逻辑低电平，以消除睡眠模式下通过下拉电阻器的电流消耗。如果 MODE 引脚设置为高阻态或逻辑低电平，该引脚将不会在睡眠模式下消耗电流。但是，当 MODE 引脚设置为逻辑高电平时，它会在睡眠模式下消耗一些电流。