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ZHCSRS9 December 2024 DLP991U

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

FLV|321
- MCLG052

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsrs9_oa

5.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内和电源电压下测得（除非另有说明）⁽¹⁾

参数		最小值	典型值	最大值	单位
电源电压
V_DD	LVCMOS 内核逻辑和低速接口 (LSIF) 的电源电压⁽²⁾	1.85	1.9	1.95	V
V_DDA	高速串行接口 (HSSI) 接收器的电源电压⁽²⁾	1.85	1.9	1.95	V
V_OFFSET	HVCMOS 和微镜电极的电源电压⁽²⁾⁽³⁾⁽⁴⁾	9.5	10	10.5	V
V_BIAS	微镜电极的电源电压⁽²⁾	17.5	18	18.5	V
V_RESET	微镜电极的电源电压⁽²⁾	-14.5	-14	-13.5	V
\| V_DDA – V_DD \|	电源电压差值（绝对值）⁽⁵⁾			0.3	V
\| V_BIAS – V_OFFSET \|	电源电压差值（绝对值）⁽⁶⁾			10.5	V
\| V_BIAS – V_RESET \|	电源电压差值（绝对值）			33	V
LVCMOS 输入
V_IH	高电平输入电压⁽²⁾ ⁽⁷⁾	0.7 × V_DD			V
V_IL	低电平输入电压⁽²⁾⁽⁷⁾			0.3 × V_DD	V
低速接口 (LSIF)
f_CLOCK	LSIF 时钟频率 (LS_CLK)⁽⁹⁾	108	120	130	MHz
DCD_IN	LSIF 占空比失真 (LS_CLK)	44%		56%
\| V_ID \|	LSIF 差分输入电压幅度 ⁽⁹⁾	150	350	440	mV
V_LVDS	LSIF 电压⁽⁹⁾	575		1520	mV
V_CM	共模电压⁽⁹⁾	700	900	1300	mV
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）	90	100	110	Ω
Z_IN	内部差分端接电阻	80	100	120	Ω
高速串行接口 (HSSI)
f_CLOCK	HSSI 时钟频率 (DCLK)⁽⁸⁾	1.8	1.8	1.8	GHz
DCD_IN	HSSI 占空比失真 (DCLK)	44%	50%	56%
\| V_ID \| Data	HSSI 差分输入电压幅度数据通道⁽⁸⁾	100	400	600	mV
\| V_ID \| CLK	HSSI 差分输入电压幅度时钟通道⁽⁸⁾	300	400	600	mV
VCM_DC Data	输入共模电压 (DC) 数据通道⁽⁸⁾	200	600	800	mV
VCM_DC CLK	输入共模电压 (DC) 时钟通道⁽⁸⁾	200	600	800	mV
VCM_ACp-p	数据通道和时钟通道共模电压上的交流峰峰值（纹波）⁽⁸⁾			100	mV
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）		100		Ω
Z_IN	内部差分端接电阻 (R_Xterm)	80	100	120	Ω
环境温度 410nm 至 800nm（可见光波长）
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度⁽¹⁰⁾⁽¹¹⁾⁽¹³⁾⁽¹⁶⁾	45		70⁽¹²⁾	°C
T_ARRAY	短期工作（最长 500 个小时）时的阵列温度⁽¹¹⁾⁽¹⁴⁾	10		45	°C
T_WINDOW	工作时的窗口温度，TP2 和 TP3	15		75	°C
T_{DELTA_MAX}	[TP2 或 TP3 的最大值] 减去 T_{MIN_ARRAY}⁽¹⁶⁾			5	°C
T_{DELTA_MIN}	[TP2 或 TP3 的最小值] 减去 T_{MAX_ARRAY}⁽¹⁶⁾	-30			°C
RH	相对湿度（非冷凝）			95%
固态照明 410nm 至 800nm（可见光波长）
ILL_UV	波长 < 410nm 时的照明功率 ⁽¹⁰⁾⁽¹⁷⁾			10	mW/cm²
ILL_VIS	波长 ≥410nm 且 ≤800nm 时的照明功率⁽¹⁵⁾⁽¹⁷⁾			60	W/cm²
ILL_IR	波长 > 800nm 时的照明功率 ⁽¹⁷⁾			10	mW/cm²
ILL_BLU	波长 ≥410nm 且 ≤475nm 时的照明功率⁽¹⁵⁾⁽¹⁷⁾			20	W/cm²
ILL_BLU1	波长 ≥410nm 且 ≤440nm 时的照明功率⁽¹⁵⁾⁽¹⁷⁾			3.1	W/cm²
采用光源⁽¹⁸⁾ 400nm 至 420nm 时的环境温度
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度⁽¹⁰⁾⁽¹¹⁾⁽¹²⁾⁽¹³⁾⁽¹⁶⁾	20		30	°C
T_WINDOW	工作时的窗口温度，TP2 和 TP3	10		30	°C
T_{DELTA_MAX}	[TP2 或 TP3 的最大值] 减去 T_{MIN_ARRAY}⁽¹⁶⁾			5	°C
T_{DELTA_MIN}	[TP2 或 TP3 的最小值] 减去 T_{MAX_ARRAY}⁽¹⁶⁾	-10			°C
RH	相对湿度（非冷凝）			95%
占空比	工作着陆占空比⁽²⁰⁾		50%
照明 400nm 至 420nm⁽¹⁹⁾
ILL_UV	波长 < 400nm 时的照明功率 ⁽¹⁰⁾⁽¹⁷⁾			10	mW/cm²
ILL_BLU2	波长 ≥400nm 且 ≤420nm 时的照明功率⁽¹⁵⁾⁽¹⁷⁾			22.5	W/cm²

(1) 节 5.4 在最终产品中安装 DMD 之后适用

(2) 运行 DMD 需要连接以下所有电源：V_DD、V_DDA、V_OFFSET、V_BIAS 和 V_RESET。运行 DMD 需要所有 V_SS 连接。

(3) 所有电压值均以 V_SS 接地引脚为基准。

(4) V_OFFSET 电源电压瞬态必须处于指定的最大电压范围内。

(5) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_DDA – V_DD | 必须小于指定的限值。

(6) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_BIAS – V_OFFSET | 必须小于指定的限值。

(7) LVCMOS 输入引脚为 DMD_DEN_ARSTZ。

(8) 请参阅节 5.8中的高速串行接口 (HSSI) 时序要求。

(9) 请参阅节 5.8中的低速接口 (LSIF) 时序要求。

(10) 如果该 DMD 同时暴露于最大温度和 UV 照明（请参阅节 5.4），则会缩短器件寿命。

(11) 阵列温度无法直接测量，必须通过在图 6-1 所示测试点 1 (TP1) 测量的温度以及封装热阻（使用中的计算）进行分析计算。

(12) 最大工作阵列温度应根据 DMD 在最终应用中经历的微镜着陆占空比进行降额。有关微镜着陆占空比的定义，请参阅节 6.8.1。

(13) 长期定义为器件的使用寿命。

(14) 短期定义为器件使用寿命期间的累积时间。

(15) DMD 上可能入射的最大光功率受到每个指定波长范围的最大光功率密度以及微镜阵列温度 T_ARRAY 的限制。

(16) 计算示例请参考节 6.6。

(17) 计算示例请参考节 6.7。

(18) 数字微镜器件 (DMD) 的最佳长期性能和光学效率可能会受到各种应用参数的影响，包括照明频谱、照明功率密度、微镜着陆占空比、环境温度（存储和运行）、DMD 温度、环境湿度（存储和运行）以及通电或断电占空比。TI 建议在设计周期中尽早考虑特定于应用的影响。

(19) 这包括 DMD 上的照明功率密度和照明总功率，而不包括有源阵列外部 DMD 器件的照明溢出。

(20) 着陆占空比是指单个微镜着陆于一种状态（12° 或 –12°）与着陆于相反状态（–12° 或 12°）的时间百分比。50% 相当于 50/50 占空比，其中微镜着陆于打开状态的时间比例为 50%，着陆于关闭状态的时间比例为 50%。有关着陆占空比的更多信息，请参阅第 7.8 节。

DLP991U 建议的最大阵列温度 - 410nm 至 800nm（可见光波长）的降额曲线

图 5-1 建议的最大阵列温度 - 410nm 至 800nm（可见光波长）的降额曲线