ZHCSAK1D November   2012  – February 2018 CSD18532Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     俯视图
      1.      Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5B 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板布局
    4. 7.4 Q5B 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNK|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 2.5mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。

俯视图

CSD18532Q5B P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 60 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 44 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 6.9 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 3.3 mΩ
VGS = 10V 2.5
VGS(th) 阈值电压 1.8 V

器件信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 发货
CSD18532Q5B 2500 13 英寸卷带 SON
5.00-mm × 6.00-mm
塑料封装		 卷带封装
CSD18532Q5BT 250 13 英寸卷带
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 60 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 172
持续漏极电流(1) 23
IDM 脉冲漏极电流(2) 400 A
PD 功率耗散(1) 3.2 W
功耗，TC = 25°C 156
TJ，Tstg 工作结温、
储存温度		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 80A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 320 mJ
  1. RθJA = 40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。