ZHCSAK1D November   2012  – February 2018 CSD18532Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     俯视图
      1.      Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5B 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板布局
    4. 7.4 Q5B 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNK|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

修订历史记录

Changes from C Revision (May 2017) to D Revision

Changes from B Revision (July 2014) to C Revision

  • Added “接收文档更新通知”“社区资源”部分添加到了“器件和文档支持”Go
  • Changed 将“建议 PCB 布局”部分方框图中Go

Changes from A Revision (May 2014) to B Revision

  • 将“7 英寸卷带”更改成了“13 英寸卷带”。Go

Changes from * Revision (Nov 2012) to A Revision

  • 更新了器件 说明添加了 ESD 信息。Go
  • 指定了 10V 时的 QgGo
  • 添加了小卷带选项。Go
  • 将脉冲漏极电流增至 400A。Go
  • 添加了表示外壳温度保持在 25°C 时的最大功耗的行。Go
  • 更新了脉冲漏极电流条件。Go
  • Eliminated Qg at 4.5 V. Go
  • Changed Figure 1 from a normalized RθJA curve to a RθJC curveGo
  • Updated the safe operating area in Figure 10. Go
  • 更新了机械制图。Go