ZHCSEW3C April   2016  – February 2022 CSD17382F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 支持资源
    2. 6.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 6.3 Trademarks
    4. 6.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 6.5 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern
    4. 7.4 CSD17382F4 Embossed Carrier Tape Dimensions

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJC|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

该 30V、54mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能最大限度地减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

典型器件尺寸

产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 2.1 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.63 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 1.8V 110 mΩ
VGS = 2.5V 67 mΩ
VGS = 4.5V 56 mΩ
VGS = 8.0V 54 mΩ
VGS(th) 阈值电压 0.9 V

器件信息
器件(1)数量介质封装配送
CSD17382F430007 英寸卷带Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 无引线 SMD卷带包装
CSD17382F4T250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压30V
VGS栅源电压10V
ID持续漏极电流(1)2.3A
IDM脉冲漏极电流(2)14.8A
PD功率耗散(1)500mW
ESD 等级人体放电模型 (HBM)3000V
组件充电模式 (CDM)2000V
TJ、
Tstg		工作结温、
贮存温度		–55 至 150°C
EAS雪崩能量，单脉冲 ID = 6.5A，
L = 0.1mH，RG = 25Ω		2.1mJ
(1) 典型 RθJA = 245°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、
0.071mm 厚的铜焊盘时）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%.
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