ZHCSVL4E October   2009  – November 2024 CSD16301Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 接收文档更新通知
    2. 5.2 支持资源
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静电放电警告
    5. 5.5 术语表
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQK|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

该 25V 19mΩ 2mm x 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 可以极大地降低电源转换和负载管理应用中的损耗。2mm × 2mm SON 封装可提供相对于封装尺寸而言出色的热性能。

CSD16301Q2 顶视图顶视图

产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 25 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 2 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.4 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 3V 27 mΩ
VGS = 4.5V 23
VGS = 8V 19
VGS(th) 阈值电压 1.1 V
器件信息
器件 数量 介质 封装(1) 运输
CSD16301Q2 3000 7 英寸卷带 SON
2.00mm × 2.00mm
塑料封装		 卷带
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 25 V
VGS 栅源电压 +10/-8 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 5 A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 20
持续漏极电流(1) 8.2
IDM 脉冲漏极电流(2) 85 A
PD 功率耗散(1) 2.5 W
功率耗散，TC = 25°C 15
TJ，
TSTG		 工作结温，
贮存温度		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 14A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 10 mJ
(1) 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上的 RθJA = 50°C/W（典型值）。
(2) 最大 RθJC = 8.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
CSD16301Q2 RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD16301Q2 栅极电荷栅极电荷