ZHCSBM6A September 2013 – January 2018 CSD13202Q2
PRODUCTION DATA.
此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 12 | V | |
Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 5.1 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 0.76 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 2.5V | 9.1 | mΩ |
VGS = 4.5V | 7.5 | |||
VGS(th) | 阈值电压 | 0.8 | V |
器件 | 包装介质 | 数量 | 封装 | 发货 |
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CSD13202Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2.00mm × 2.00mm 塑料封装 |
卷带封装 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 12 | V |
VGS | 栅源电压 | ±8 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 22 | A |
持续漏极电流(1) | 14.4 | ||
IDM | 脉冲漏极电流,TA = 25°C 时测得(2) | 76 | A |
PD | 功率耗散(1) | 2.7 | W |
TJ,TSTG | 工作结温、 储存温度 |
–55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单脉冲 ID = 20A,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
20 | mJ |