ZHCSBM6A September   2013  – January 2018 CSD13202Q2

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Characteristics
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 6.2 Community Resources
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q2 封装尺寸
      1. 7.1.1 建议 PCB 布局
      2. 7.1.2 推荐的模版布局
    2. 7.2 Q2 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQK|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。

顶视图
CSD13202Q2 P0108-01_LPS235.gif

产品概要

TA = 25°C典型值单位
VDS 漏源电压 12 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 5.1 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.76 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 2.5V 9.1 mΩ
VGS = 4.5V 7.5
VGS(th) 阈值电压 0.8 V

器件信息

器件包装介质数量封装发货
CSD13202Q2 7 英寸卷带 3000 SON
2.00mm × 2.00mm
塑料封装		 卷带封装

绝对最大额定值

TA = 25°C值单位
VDS 漏源电压 12 V
VGS 栅源电压 ±8 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 22 A
持续漏极电流(1) 14.4
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) 76 A
PD 功率耗散(1) 2.7 W
TJ，TSTG 工作结温、
储存温度		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 20A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 20 mJ
  1. RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸，2 盎司覆铜上测得的值。
  2. 脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%。