ZHCSPL0 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSPL0D February 1998 – October 2025 CD54HC273 , CD54HCT273 , CD74HC273 , CD74HCT273

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

J|20

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.4 电气特性

参数		测试条件^⁽²⁾	V_CC (V)	25°C			-40°C 至 85°C		-55°C 至 125°C		单位
参数		测试条件^⁽²⁾	V_CC (V)	最小值	典型值	最大值	最小值	最大值	最小值	最大值	单位
HC 类型
V_IH	高电平输入电压		2	1.5			1.5		1.5		V
			4.5	3.15			3.15		3.15
			6	4.2			4.2		4.2
V_IL	低电平输入电压		2			0.5		0.5		0.5	V
			4.5			1.35		1.35		1.35
			6			1.8		1.8		1.8
V_OH	高电平输出电压 CMOS 负载	I_OH = –20μA	2	1.9			1.9		1.9		V
		I_OH = –20μA	4.5	4.4			4.4		4.4
		I_OH = –20μA	6	5.9			5.9		5.9
	高电平输出电压 TTL 负载	I_OH = – 4mA	4.5	3.98			3.84		3.7		V
	高电平输出电压 TTL 负载	I_OH = – 5.2mA	6	5.48			5.34		5.2		V
V_OL	低电平输出电压 CMOS 负载	I_OL = 20μA	2			0.1		0.1		0.1	V
		I_OL = 20μA	4.5			0.1	-	0.1	-	0.1
		I_OL = 20μA	6			0.1		0.1		0.1
	低电平输出电压 TTL 负载	I_OL = 4mA	4.5			0.26		0.33		0.4	V
	低电平输出电压 TTL 负载	I_OL = 5.2mA	6			0.26		0.33		0.4	V
I_I	输入漏电流	V_I = V_CC 或 GND	6			±0.1		±1		±1	mA
I_CC	静态器件电流	V_I = V_CC 或 GND	6			8		80		160	mA
HCT 类型
V_IH	高电平输入电压		4.5 至 5.5	2			2		2		V
V_IL	低电平输入电压		4.5 至 5.5			0.8		0.8		0.8	V
V_OH	高电平输出电压 CMOS 负载	I_OH = –20μA	4.5	4.4			4.4		4.4		V
V_OH	高电平输出电压 TTL 负载	I_OH = – 4mA	4.5	3.98			3.84		3.7		V
V_OL	低电平输出电压 CMOS 负载	I_OL = 20μA	4.5			0.1		0.1		0.1	V
V_OL	低电平输出电压 TTL 负载	I_OL = 4mA	4.5			0.26		0.33		0.4	V
I_I	输入漏电流	V_I = V_CC 或 GND	5.5			±0.1		±1		±1	μA
I_CC	静态器件电流	V_I = V_CC 或 GND	5.5			8		80		160	μA
ΔI_CC⁽¹⁾	每个输入引脚的附加静态器件电流	CLR 输入保持在 V_CC –2.1	4.5 至 5.5		100	540		675		735	μA
		数据输入保持在 V_CC –2.1	4.5 至 5.5		100	144		180		196	μA
		CLK 输入保持在 V_CC –2.1	4.5 至 5.5		100	540		675		735	μA

(1) 对于双电源系统，理论上最坏情况（V_I = 2.4V，V_CC = 5.5V）下的规格为 1.8mA。

(2) 除非另有说明，否则 V_I = V_IH 或 V_IL。