ZHCSIH4C June   2018  – June 2025 BQ40Z80

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  初级（一级）安全特性
      2. 6.3.2  次级（二级）安全特性
      3. 6.3.3  充电控制特性
      4. 6.3.4  Gas Gauging
      5. 6.3.5  多功能引脚
      6. 6.3.6  配置
        1. 6.3.6.1 振荡器功能
        2. 6.3.6.2 系统存在运行
        3. 6.3.6.3 紧急关闭
        4. 6.3.6.4 2 节、3 节、4 节、5 节或 6 节串联电芯配置
        5. 6.3.6.5 电芯均衡
      7. 6.3.7  电池参数测量
        1. 6.3.7.1 充电和放电计数
      8. 6.3.8  寿命数据记录特性
      9. 6.3.9  身份验证
      10. 6.3.10 防篡改
      11. 6.3.11 LED 显示
      12. 6.3.12 IATA 支持
      13. 6.3.13 电压
      14. 6.3.14 电流
      15. 6.3.15 温度
      16. 6.3.16 通信
        1. 6.3.16.1 SMBus 开启和关闭状态
        2. 6.3.16.2 SBS 命令
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息免责声明
    2. 7.2 应用信息
    3. 7.3 典型应用
      1. 7.3.1 设计要求
      2. 7.3.2 详细设计过程
        1. 7.3.2.1 使用带 BQSTUDIO 的 BQ40Z80EVM
        2. 7.3.2.2 高电流路径
          1. 7.3.2.2.1 保护 FET
          2. 7.3.2.2.2 化学保险丝
          3. 7.3.2.2.3 锂离子电芯连接
          4. 7.3.2.2.4 检测电阻
          5. 7.3.2.2.5 降低 ESD
        3. 7.3.2.3 电量监测计电路
          1. 7.3.2.3.1 库伦计数接口
          2. 7.3.2.3.2 电源去耦和 PBI
          3. 7.3.2.3.3 系统存在
          4. 7.3.2.3.4 SMBus 通信
          5. 7.3.2.3.5 FUSE 电路
        4. 7.3.2.4 次级电流保护
          1. 7.3.2.4.1 电芯和电池输入
          2. 7.3.2.4.2 外部电芯均衡
          3. 7.3.2.4.3 PACK 和 FET 控制
          4. 7.3.2.4.4 预放电控制
          5. 7.3.2.4.5 温度输出
          6. 7.3.2.4.6 LED
      3. 7.3.3 应用曲线
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 保护器 FET 旁路电容器和电池包端子旁路电容器
        2. 7.5.1.2 ESD 火花隙
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

所述典型值的条件是 TA = 25°C 且 VCC = 21.6V，最小值/最大值的条件是 TA = –40°C 至 85°C 且 VCC = 2.2V 至 32V（除非另有说明）
参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电流
INORMAL NORMAL 模式 CPU 未激活、CHG 开启。DSG 开启、高频振荡器开启、低频振荡器开启、REG18 开启、ADC 开启、ADC_Filter 开启、CC_Filter 开启、CC 开启、LED/按钮/GPIO 关闭、SMBus 未激活、无闪存写入 663 µA
ISLEEP SLEEP 模式 CPU 未激活、CHG 导通、DSG 导通、高频振荡器关闭、低频振荡器开启、REG18 开启、ADC 关闭、ADC_Filter 关闭、CC_Filter 关闭、LED/按钮/GPIO 关闭、SMBus 未激活、无闪存写入 96 µA
CPU 未激活、CHG 关闭。DSG 开启、高频振荡器关闭、低频振荡器开启、REG18 开启、ADC 关闭、ADC_Filter 关闭、CC_Filter 关闭、LED/按钮/GPIO 关闭、SMBus 未激活、无闪存写入、BAT = 14.4V 90 µA
ISHUTDOWN SHUTDOWN 模式 CPU 未激活、CHG 关闭。DSG 关闭、高频振荡器关闭、低频振荡器关闭、REG18 关闭、ADC 关闭、ADC_Filter 关闭、CC_Filter 关闭、LED/按钮/GPIO 关闭、SMBus 未激活、无闪存写入、BAT = 14.4V 1.4 µA
电源控制
VSWITCHOVER– BAT 至 VCC 切换电压 VBAT < VSWITCHOVER– 1.95 2.1 2.2 V
VSWITCHOVER+ VCC 至 BAT 切换电压 VBAT > VSWITCHOVER– + VHYS 2.9 3.1 3.25 V
VHYS 切换电压迟滞 VSWITCHOVER+ – VSWITCHOVER– 1000 mV
ILKG 输入漏电流 BAT 引脚，BAT = 0V，VCC = 32V，PACK = 32V 1 µA
PACK 引脚，BAT = 32V，VCC = 0V，PACK = 0V 1
BAT 和 PACK 端子、BAT = 0V、VCC = 0V、PACK = 0V、PBI = 32V 1
RPD 内部下拉电阻 PACK 30 40 50 kΩ
AFE 上电复位
VREGIT– 负向输入电压 VREG 1.51 1.55 1.59 V
VHYS 上电复位迟滞 VREGIT+ – VREGIT– 70 100 130 mV
tRST 上电复位时间 200 300 400 µs
AFE 看门狗复位和唤醒计时器
tWDT AFE 看门狗超时 tWDT = 500 372 500 628 ms
tWDT = 1000 744 1000 1256 ms
tWDT = 2000 1488 2000 2512 ms
tWDT = 4000 2976 4000 5024 ms
tWAKE AFE 唤醒计时器 tWAKE = 250 186 250 314 ms
tWAKE = 500 372 500 628 ms
tWAKE = 1000 744 1000 1256 ms
tWAKE = 2000 1488 2000 2512 ms
tFETOFF 复位后的 FET 关断延迟 tFETOFF = 512 409 512 614 ms
内部 1.8V LDO
VREG 稳压器电压 1.6 1.8 2 V
ΔVO(TEMP) 温度范围内的稳压器输出 ΔVREG / ΔTA、IREG = 10mA ±0.25%
ΔVO(LINE) 线路调节 ΔVREG / ΔVBAT、IBAT = 10mA -0.6% 0.5%
ΔVO(LOAD) 负载调整率 ΔVREG / ΔIREG、IREG = 0mA 至 10mA -1.5% 1.5%
IREG 稳压器输出电流限制 VREG = 0.9 × VREG(NOM)、VIN > 2.2V 20 mA
ISC 内部短路电流限制 VREG = 0 × VREG(NOM) 25 40 55 mA
PSRRREG 电源抑制比 ΔVBAT / ΔVREG、IREG = 10mA、VIN > 2.5V，f = 10Hz 40 dB
VSLEW 压摆率增强电压阈值 VREG 1.58 1.65 V
电压基准 1
VREF1 内部基准电压 TA = 25°C，修整后 1.215 1.22 1.225 V
VREF1(DRIFT) 内部基准电压漂移 TA = 0°C 至 60°C，修整后 ±50 PPM/°C
TA = –40°C 至 85°C，修整后 ±80 PPM/°C
电压基准 2
VREF2 内部基准电压 TA = 25°C，修整后 1.22 1.225 1.23 V
VREF2(DRIFT) 内部基准电压漂移 TA = 0°C 至 60°C，修整后 ±50 PPM/°C
TA = –40°C 至 85°C，修整后 ±80 PPM/°C
VC1、VC2、VC3、VC4、VC5、VC6、BAT、PACK
K 比例因数 VC1–VSS、VC2–VC1、VC3–VC2、VC4–VC3、VC5–VC4、VC6–VC5 0.198 0.2 0.202 –
VC6–VSS 0.032 0.0333 0.034
BAT–VSS、PACK–VSS 0.0275 0.0286 0.0295
VREF2 0.49 0.5 0.51
VIN 输入电压范围 VC1–VSS、VC2–VC1、VC3–VC2、VC4–VC3、VC5–VC4、VC6–VC5 -0.2 5 V
VC6–VSS -0.2 30
PACK–VSS -0.2 32
ILKG 输入漏电流 VC1、VC2、VC3、VC4、VC5、VC6、电芯均衡关闭、电芯分离检测关闭、ADC 多路复用器关闭 1 µA
电芯均衡和电芯分离检测
RCB 内部电芯均衡电阻 用于内部 FET 开关的 RDS(ON)，2V < VDS < 4V 200 Ω
ICD 内部电芯分离检查电流 VCx > VSS + 0.8V 30 50 70 µA
ADC
VIN 输入电压范围 内部基准 (VREF1) -0.2 1 V
外部基准 (VREG) -0.2 0.8 × VREG
满量程范围相关 VFS = VREF1 或 VREG –VFS VFS V
INL 积分非线性 (1LSB = VREF1/(10 × 2N) = 1.225/(10 × 215) = 37.41µV) 16 位、最佳拟合、–0.1V 至 0.8 × VREF1 ±8.5 LSB
16 位、最佳拟合、–0.2V 至 -0.1V ±13.1
OE 偏移误差 16 位、校准后、VFS = VREF1 ±67 ±157 µV
OED 失调电压误差漂移 16 位、校准后、VFS = VREF1 0.6 3 µV/°C
GE 增益误差 16 位、–0.1 至 0.8 × VFS ±0.2% ±0.8% /FSR
GED 增益误差漂移 16 位、–0.1 至 0.8 × VFS 150 PPM/°C
EIR 有效输入电阻 8 MΩ
ADC 数字滤波器
tCONV 转换时间 ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 0, 0 31.25 ms
ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 0, 1 15.63
ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 1, 0 7.81
ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 1, 1 1.95
Res 分辨率 不缺失代码、ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 0, 0 16 位
Eff_Res 有效分辨率 带符号、ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 0, 0 14 15 位
带符号、ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 0, 1 13 14
带符号、ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 1, 0 11 12
带符号、ADCTL[SPEED1, SPEED0] = 1, 1 9 10
电流唤醒比较器
VWAKE 唤醒电压阈值 VWAKE = VSRP – VSRN= ± 0.625mV ±0.3 ±0.625 ±0.9 mV
VWAKE = VSRP – VSRN = ± 1.25mV ±0.6 ±1.25 ±1.8
VWAKE = VSRP – VSRN = ± 2.5mV ±1.2 ±2.5 ±3.6
VWAKE = VSRP – VSRN = ± 5mV ±2.4 ±5.0 ±7.2
VWAKE(DRIFT) VWAKE 精度的温漂 0.5% /°C
tWAKE 从施加电流到唤醒中断的时间 250 700 µs
tWAKE(SU) 唤醒比较器启动时间 500 1000 µs
库仑计
VINPUT 输入电压范围 -0.1 0.1 V
VRANGE 满量程范围相关 –VREF1 /10 VREF1 /10 V
INL 积分非线性 (1LSB = VREF1/(10 × 2N) = 1.215/(10 × 215) = 3.71µV) 16 位，输入电压范围最佳拟合 ±5.2 ±22.3 LSB
OE 偏移误差 16 位、校准后 ±5.0 ±10 µV
OED 失调电压误差漂移 15 位 + 符号，校准后 0.2 0.3 µV/°C
GE 增益误差 15 位 + 符号，在输入电压范围内 ±0.2% ±0.8% /FSR
GED 增益误差漂移 15 位 + 符号，在输入电压范围内 150 PPM/°C
EIR 有效输入电阻 2.5 MΩ
tCONV 转换时间 单次转换 250 ms
Eff_Res 有效分辨率 单次转换 15 位
电流保护阈值
VOCD OCD 检测阈值电压范围 VOCD = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 1 -16.6 -100 mV
VOCD = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 0 -8.3 -50 mV
ΔVOCD OCD 检测阈值电压程序步骤 VOCD = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 1 -5.56 mV
VOCD = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 0 -2.78 mV
VSCC SCC 检测阈值电压范围 VSCC = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 1 44.4 200 mV
VSCC = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 0 22.2 100 mV
ΔVSCC SCC 检测阈值电压程序步骤 VSCC = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 1 22.2 mV
VSCC = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 0 11.1 mV
VSCD1 SCD1 检测阈值电压范围 VSCD1 = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 1 -44.4 -200 mV
VSCD1 = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 0 -22.2 -100 mV
ΔVSCD1 SCD1 检测阈值电压程序步骤 VSCD1 = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 1 -22.2 mV
VSCD1 = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 0 -11.1 mV
VSCD2 SCD2 检测阈值电压范围 VSCD2 = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 1 -44.4 -200 mV
VSCD2 = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 0 -22.2 -100 mV
ΔVSCD2 SCD2 检测阈值电压程序步骤 VSCD2 = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 1 -22.2 mV
VSCD2 = VSRP – VSRN、PROTECTION_CONTROL[RSNS] = 0 -11.1 mV
VOFFSET OCD、SCC 和 SCDx 偏移误差 修整后 -2.5 2.5 mV
VSCALE OCD、SCC 和 SCDx 量程误差 无修整 -10% 10%
修整后 -5% 5%
电流保护时序
tOCD OCD 检测延迟时间 1 31 ms
ΔtOCD OCD 检测延迟时间程序步骤 2 ms
tSCC SCC 检测延迟时间 0 915 µs
ΔtSCC SCC 检测延迟时间程序步骤 61 µs
tSCD1 SCD1 检测延迟时间 PROTECTION_CONTROL[SCDDx2] = 0 0 915 µs
PROTECTION_CONTROL[SCDDx2] = 1 0 1850 µs
ΔtSCD1 SCD1 检测延迟时间程序步骤 PROTECTION_CONTROL[SCDDx2] = 0 61 µs
PROTECTION_CONTROL[SCDDx2] = 1 121 µs
tSCD2 SCD2 检测延迟时间 PROTECTION_CONTROL[SCDDx2] = 0 0 458 µs
PROTECTION_CONTROL[SCDDx2] = 1 0 915 µs
ΔtSCD2 SCD2 检测延迟时间程序步骤 PROTECTION_CONTROL[SCDDx2] = 0 30.5 µs
PROTECTION_CONTROL[SCDDx2] = 1 61 µs
tDETECT 电流故障检测时间 VSRP–VSRN = VT–3mV（适用于 OCD、SCD1和 SCD2）、VSRP – VSRN = VT – 3mV（适用于 SCC） 160 µs
tACC 电流故障延迟时间精度 最大延迟设置 -10% 10%
内部温度传感器
VTEMPT 内部温度传感器电压漂移 VTEMPP -1.9 -2.1 mV/°C
VTEMPP – VTEMPN（根据设计确定） 0.177 0.178 0.179 mV/°C
NTC 热敏电阻测量支持（TS1、TS2，引脚 12 和 13 配置为 TS3 和 TS4）
RNTC(PU) 内部上拉电阻 TS1 14.4 18 21.6 kΩ
TS2 14.4 18 21.6 kΩ
TS3 14.4 18 21.6 kΩ
TS4 14.4 18 21.6 kΩ
RNTC(DRIFT) -360 -280 -200 PPM/°C
低电压通用 I/O（多功能引脚 12 和 13 配置为 GPIO）
VIH 高电平输入 0.65 × VREG V
VIL 低电平输入 0.35 × VREG V
VOH 输出电压高电平 输出高电平、启用上拉、IOH = –1.0mA 0.75 × VREG V
输出高电平、启用上拉、IOH = –10µA
VOL 输出电压低电平 输出低电平、IOL = 1mA 0.2 × VREG V
CIN 输入电容 5 pF
ILKG 输入漏电流 1 µA
高压通用 I/O（多功能引脚 15、16、17 配置为 GPIO，PRES、DISP 或 SHUTDN 引脚 15 配置为 GPIO；引脚 16 配置为 PDSG）
VIH 高电平输入 1.3 V
VIL 低电平输入 0.55 V
VOH 输出电压高电平 输出已启用、VBAT > 5.5V、IOH =–0µA 3.5 V
输出已启用、VBAT > 5.5V、IOH =–10µA 1.8
VOL 输出电压低电平 输出禁用、IOL = 1.5mA 0.4 V
CIN 输入电容 5 pF
ILKG 输入漏电流 3 µA
RO 输出反向电阻 在 GPIO、PRES、DISP、SHUTDN、PDSG 和 PBI 之间 8 kΩ
具有恒流阱的通用 I/O（多功能引脚 20、21、22 配置为 LEDCNTLx）
VIH 高电平输入 LEDCNTLx 1.45 V
VIL 低电平输入 LEDCNTLx 0.55 V
VOH 输出电压高电平 LEDCNTLx、输出启用、VBAT > 3.0V、IOH = –22.5mA VBAT – 1.6 V
VOL 输出电压低电平 LEDCNTLx、输出禁用、VBAT > 3.0V、IOH = 3mA 0.4 V
ISC 高电平输出电流保护 LEDCNTLx -30 -45 -60 mA
IOL 低电平输出电流 LEDCNTLx、VBAT > 3.0V、VOL > 0.4V 15.75 22.5 29.25 mA
ILEDCNTLx 输出之间的电流匹配 LEDCNTLx、VBAT = VLED + 2.5V +/–1%
CIN 输入电容 LEDCNTLx 20 pF
ILKG 输入漏电流 LEDCNTLx 1 µA
fLED LED 的频率模式 LEDCNTLx 124 Hz
tSHUTDOWN 热关断 LEDCNTLx，根据设计确定 120 135 150 °C
通用 I/O（多功能引脚 20、21、22 配置为 GPIO）（引脚 20 配置为 PDSG）
VIH 高电平输入 1.45 V
VIL 低电平输入 0.55 V
VOH 输出电压高电平 输出已启用、VBAT > 3.0V、IOH =–22.5mA VBAT – 1.6 V
输出禁用、IOL = 3mA 0.4 V
ISC 高电平输出电流保护 -30 -45 -60 mA
IOL 低电平输出电流 VBAT > 3.0V、VOL > 0.4V 15.75 22.5 29.25 mA
CIN 输入电容 20 pF
ILKG 输入漏电流 1 uA
SMBD、SMBC 高电压 I/O
VIH 输入电压高电平 SMBC、SMBD、VREG = 1.8V 1.3 V
VIL 输入电压低电平 SMBC、SMBD、VREG = 1.8V 0.8 V
VOL 输出低电压 SMBC、SMBD、VREG = 1.8V、IOL = 1.5mA 0.4 V
CIN 输入电容 5 pF
ILKG 输入漏电流 1 µA
RPD 下拉电阻 0.7 1 1.3 MΩ
SMBus
fSMB SMBus 工作频率 SLAVE 模式，SMBC 50% 占空比 10 100 kHz
fMAS SMBus 主时钟频率 MASTER 模式，无时钟低电平从模式延长 51.2 kHz
tBUF 开始和停止之间的总线空闲时间 4.7 µs
tHD(START) （重复）开始后的保持时间 4 µs
tSU(START) 重复启动建立时间 4.7 µs
tSU(STOP) 停止设置时间 4 µs
tHD(DATA) 数据保持时间 300 ns
tSU(DATA) 数据设置时间 250 ns
tTIMEOUT 误差信号检测时间 25 35 ms
tLOW 时钟低电平时间 4.7 µs
tHIGH 时钟高电平周期 4 50 µs
tR 时钟上升时间 10% 至 90% 1000 ns
tF 时钟下降时间 90% 至 10% 300 ns
tLOW(SEXT) 累计时钟低电平从模式延长时间 25 ms
tLOW(MEXT) 累计时钟低电平主模式延长时间 10 ms
SMBus XL
fSMBXL SMBus XL 工作频率 SLAVE 模式，SMBC 50% 占空比 40 400 kHz
tBUF 开始和停止之间的总线空闲时间 4.7 µs
tHD(START) （重复）开始后的保持时间 4 µs
tSU(START) 重复启动建立时间 4.7 µs
tSU(STOP) 停止设置时间 4 µs
tTIMEOUT 误差信号检测时间 5 20 ms
tLOW 时钟低电平时间 20 µs
tHIGH 时钟高电平周期 20 µs
FUSE 驱动器 (AFEFUSE)
VOH 输出电压高电平 VBAT ≥ 8V、CL = 1nF、IAFEFUSE = 0µA 6 7 8.65 V
VBAT < 8V、CL = 1nF、IAFEFUSE = 0µA VBAT – 0.1 VBAT V
VIH 高电平输入 1.5 2 2.5 V
IAFEFUSE(PU) 内部上拉电流 VBAT < 8V、VAFEFUSE = VSS 150 330 nA
RAFEFUSE 输出阻抗 2 2.6 3.2 kΩ
CIN 输入电容 5 pF
tDELAY 保险丝修整检测延迟 128 256 µs
tRISE 保险丝输出上升时间 5 20 µs
N 沟道 FET 驱动器（CHG、DSG）
输出电压比率 RatioDSG = (VDSG – VBAT) / VBAT、2.2V < VBAT < 4.92V、PACK 和 DSG 之间电阻为 10MΩ 2.133 2.333 2.45 ––
RatioCHG = (VCHG – VBAT) / VBAT、2.2V < VBAT < 4.92V、BAT 和 CHG 之间电阻为 10MΩ 2.133 2.333 2.433 ––
VFETON 输出电压、CHG 和 DSG 导通 VDSG(ON) = (VDSG – VBAT)、VBAT ≥ 4.92V（高达 32V）、PACK 和 DSG 之间电阻为 10MΩ 10.5 11.5 12.5 V
VCHG(ON) = (VCHG – VBAT)、VBAT ≥ 4.92V（高达 32V）、BAT 和 CHG 之间电阻为 10MΩ 10.5 11.5 12.5 V
VFETOFF 输出电压、CHG 和 DSG 关断 VDSG(OFF) = (VDSG – VPACK)、PACK 和 DSG 之间电阻为 10MΩ -0.4 0.4 V
VCHG(OFF) = (VCHG – VBAT)、BAT 和 CHG 之间电阻为 10MΩ -0.4 0.4 V
tR 上升时间 VDSG 为 VDSG(ON)(TYP) 的 0% 至 35%、VBAT ≥ 2.2V、CL = DSG 和 PACK 之间的 4.7nF、DSG 和 CL 之间的电阻为 5.1kΩ、PACK 和 DSG 之间电阻为 10MΩ 200 500 µs
VCHG 为 VCHG(ON)(TYP) 的 0% 至 35%、VBAT ≥ 2.2V、CL = CHG 和 BAT 之间的 4.7nF、CHG 和 CL 之间的电阻为 5.1kΩ、BAT 和 CHG 之间的电阻为 10MΩ 200 500 µs
tF 下降时间 VDSG 为 VDSG(ON)(TYP) 至 1V、VBAT ≥ 2.2V、CL = DSG 和 PACK 之间的 4.7nF、DSG 和 CL 之间的电阻为 5.1kΩ、PACK 和 DSG 之间电阻为 10MΩ 40 300 µs
VCHG 为 VCHG(ON)(TYP) 至 1V、VBAT ≥ 2.2V、CL = CHG 和 BAT 之间的 4.7nF、CHG 和 CL 之间的电阻为 5.1kΩ、BAT 和 CHG 之间电阻为 10MΩ 40 200 µs
P 沟道 FET 驱动器 (PCHG)
VFETON 输出电压，PCHG 导通 VPCHG(ON) = VCC – VPCHG、VCC 和 CHG 之间电阻为 10MΩ、VBAT ≥ 8V 6 7 8 V
VFETOFF 输出电压，PCHG 关断 VPCHG(OFF) = VCC – VPCHG、VCC 和 CHG 之间电阻为 10MΩ -0.4 0.4 V
tR 上升时间 VPCHG 为 VPCHG(ON)(TYP) 的 10% 至 90%、VSS ≥ 8V、CL = PCHG 和 VCC 之间的 4.7nF、PCHG 和 CL 之间的电阻为 5.1kΩ、VCC 和 CHG 之间电阻为 10MΩ 40 200 µs
tF 下降时间 VPCHG 为 VPCHG(ON)(TYP) 的 90% 至 10%、VSS ≥ 8V、CL = PCHG 和 VCC 之间的 4.7nF、PCHG 和 CL 之间的电阻为 5.1kΩ、VCC 和 CHG 之间电阻为 10MΩ 40 200 µs
高频振荡器
fHFO 工作频率 16.78 MHz
fHFO(ERR) 频率误差 TA = –20°C 至 70°C，包括频率漂移 -2.5% ±0.25% 2.5%
TA = –40°C 至 85°C，包括频率漂移 -3.5% ±0.25% 3.5%
tHFO(SU) 启动时间 TA = –20°C 至 85°C、CLKCTL[HFRAMP] = 1、振荡器频率在标称频率的 +/–3% 范围内 4 ms
TA = –20°C 至 85°C、CLKCTL[HFRAMP] = 0、振荡器频率在标称频率的 +/–3% 范围内 100 µs
低频振荡器
fLFO 工作频率 262.144 kHz
fLFO(ERR) 频率误差 TA = –20°C 至 70°C，包括频率漂移 -1.5% ±0.25% 1.5%
TA = –40°C 至 85°C，包括频率漂移 -2.5% ±0.25% 2.5%
tLFO(FAIL) 故障检测频率 30 80 100 kHz
指令闪存
数据保存时间 10 年
闪存编程写入周期数 1000 周期
tPROGWORD 字编程时间 40 µs
tMASSERASE 批量擦除时间 40 ms
tPAGEERASE 页擦除时间 40 ms
tFLASHREAD 闪存读取电流 2 mA
tFLASHWRITE 闪存写入电流 5 mA
IFLASHERASE 闪存擦除电流 15 mA
数据闪存
数据保存时间 10 年
闪存编程写入周期数 20000 周期
tPROGWORD 字编程时间 40 µs
tMASSERASE 批量擦除时间 40 ms
tPAGEERASE 页擦除时间 40 ms
tFLASHREAD 闪存读取电流 1 mA
tFLASHWRITE 闪存写入电流 5 mA
IFLASHERASE 闪存擦除电流 15 mA
ECC 身份验证
INORMAL+AUTH NORMAL 模式 + 身份验证 CPU 活动、CHG 开启。DSG 开启、高频振荡器开启、低频振荡器开启、REG18 开启、ADC 开启、ADC_Filter 开启、CC_Filter 开启、CC 开启、SMBus 未激活、身份验证启动 1350 µA
tSIGN EC-KCDSA 签名时间 3.8V < VCC 或 BAT < 32V 375 ms
身份验证操作的数量 20000 操作