ZHCSIH4C June   2018  – June 2025 BQ40Z80

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  初级（一级）安全特性
      2. 6.3.2  次级（二级）安全特性
      3. 6.3.3  充电控制特性
      4. 6.3.4  Gas Gauging
      5. 6.3.5  多功能引脚
      6. 6.3.6  配置
        1. 6.3.6.1 振荡器功能
        2. 6.3.6.2 系统存在运行
        3. 6.3.6.3 紧急关闭
        4. 6.3.6.4 2 节、3 节、4 节、5 节或 6 节串联电芯配置
        5. 6.3.6.5 电芯均衡
      7. 6.3.7  电池参数测量
        1. 6.3.7.1 充电和放电计数
      8. 6.3.8  寿命数据记录特性
      9. 6.3.9  身份验证
      10. 6.3.10 防篡改
      11. 6.3.11 LED 显示
      12. 6.3.12 IATA 支持
      13. 6.3.13 电压
      14. 6.3.14 电流
      15. 6.3.15 温度
      16. 6.3.16 通信
        1. 6.3.16.1 SMBus 开启和关闭状态
        2. 6.3.16.2 SBS 命令
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息免责声明
    2. 7.2 应用信息
    3. 7.3 典型应用
      1. 7.3.1 设计要求
      2. 7.3.2 详细设计过程
        1. 7.3.2.1 使用带 BQSTUDIO 的 BQ40Z80EVM
        2. 7.3.2.2 高电流路径
          1. 7.3.2.2.1 保护 FET
          2. 7.3.2.2.2 化学保险丝
          3. 7.3.2.2.3 锂离子电芯连接
          4. 7.3.2.2.4 检测电阻
          5. 7.3.2.2.5 降低 ESD
        3. 7.3.2.3 电量监测计电路
          1. 7.3.2.3.1 库伦计数接口
          2. 7.3.2.3.2 电源去耦和 PBI
          3. 7.3.2.3.3 系统存在
          4. 7.3.2.3.4 SMBus 通信
          5. 7.3.2.3.5 FUSE 电路
        4. 7.3.2.4 次级电流保护
          1. 7.3.2.4.1 电芯和电池输入
          2. 7.3.2.4.2 外部电芯均衡
          3. 7.3.2.4.3 PACK 和 FET 控制
          4. 7.3.2.4.4 预放电控制
          5. 7.3.2.4.5 温度输出
          6. 7.3.2.4.6 LED
      3. 7.3.3 应用曲线
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 保护器 FET 旁路电容器和电池包端子旁路电容器
        2. 7.5.1.2 ESD 火花隙
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
7.3.2.2.1 保护 FET

为给定应用选择 N 沟道充电和放电 FET。对于 7 节串联电芯应用，充电 FET额定电压必须高于最大电压，因此使用 TI CSD18504Q5A。TI CSD18504Q5A 是一款 50A、 40V 器件，在栅极驱动电压为 10V 时具有 5.3mΩ 的 Rds(on)。放电 FET 可承受更高电压；使用 TI CSD18540Q5B。TI CSD18540Q5B 是一款 100A、 60V 器件，在栅极驱动电压为 10V 时具有 1.8mΩ 的 Rds(on)。

如果使用预充电 FET，则需要计算 R2，以将预充电电流限制为所需的速率。请务必考虑串联电阻的功率损耗。预充电电流限制为 (VCHARGER – VBAT)/R2，最大功率耗散为 (VCHARGER – VBAT)2/R2。

所有保护 FET 的栅极均由栅极和源极之间的高阻值电阻拉至源极，以确保在栅极驱动开路时将 FET 关断。

电容器 C1 和 C2 有助于在 ESD 事件期间保护 FET。使用两个器件可实现在其中一个器件短路时正常运行。设计电容器引线的覆铜迹线电感时应尽可能短而宽，以实现良好的 ESD 保护。保证 C1 和 C2 的额定电压足以在其中一个电容器短路时抑制施加的电压。